| 1 |
|
Исследование энергетических и временных характеристик газоразрядных эксимерных ArF и KrF лазеров на смесях He:Ar(Kr):F2: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.21 / А. А. Жупиков ; науч. рук. А. М. Ражев, офиц. оппоненты: В. Е. Бразовский, В. И. Денисов; Институт лазерной физики СО РАН (Новосибирск), Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск, 2006. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.
|
| 2 |
|
Исследование новых способов возбуждения газоразрядных лазеров высокого и среднего давления: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада : 01.04.04 / А. Р. Сорокин ; офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, К. Н. Фирсов, Д. А. Шапиро; Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт автоматики и электрометрии СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск, 1999. — 54 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 49-54.
|
| 3 |
|
Исследование механизмов импульсной лазерной микрообработки аморфных углеродных пленок: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Т. В. Кононенко ; науч. рук.: В. И. Конов, В. Г. Ральченко, офиц. оппоненты: Н. С. Захаров, И. А. Буфетов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научно-исследовательский центр технологических лазеров РАН (Шатура). — М., 1996. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-28.
|
| 4 |
|
Исследование процессов импульсного осаждения и травления в хлоросодержащих газах под действием излучения эксимерных лазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. В. Кузмичев ; науч. рук.: В. И. Конов, В. П. Агеев, офиц. оппоненты: М. Н. Либенсон, К. Н. Ельцов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научно-исследовательский центр технологических лазеров РАН (Шатура). — М., 1995. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 5 |
|
Лазерное осаждение пленок нитридов бора и углерода из газовой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / М. В. Угаров ; науч. рук. В. П. Агеев, офиц. оппоненты: Б. В. Спицын, Г. А. Шафеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Центр естественно-научных исследований (М.), Институт прикладных лазерных и информационных технологий РАН (Шатура). — М., 1999. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|