| 26 |
|
Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: сб. ст. / сост. Е. С. Машкова, пер. с англ. под ред. Е. С. Машковой. — М.: Мир, 1989. — 349 с.: ил. — Библиогр.: с. 343-345. — Предм.-Имен. указ.: с. 346-349. — ISBN 5-03-000280-4: 4.80 р.
|
| 27 |
|
Характеристики электронных пучков в диодах со взрывоэмиссионным катодом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. Я. Беломытцев ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, В. ПЕ. Григорьев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск, 1984. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-15.
|
| 28 |
|
Вопросы формирования и устойчивости компенсированных электронных колец: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Ф. Вейнгардт ; науч. рук. А. Н. Диденко, офиц. оппоненты: А. А. Рухадзе, А. С. Огородников; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Объединенный институт ядерных исследований (Дубна). — Томск, 1981. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 29 |
|
Экспериментальное исследование вынужденного излучения сильноточных электронных пучков в ондулляторах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Г. В. Мельников ; науч. рук. А. Н. Диденко, офиц. оппоненты: А. А. Рухадзе, В. Л. Братман; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Харьковский физико-технический институт АН УССР (Харьков), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1982. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.
|
| 30 |
|
Молекулярные лазеры и их применение в лазерной спектроскопии молекул: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / И. Н. Князев ; офиц. оппоненты: Л. С. Корниенко, В. П. Чеботаев, Л. А. Шелепин; Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.), Институт спектроскопии АН СССР (Троицк), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 1980. — 43 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 37-43.
|