Пособие посвящено физическим основам современных методов генерирования, преобразования, передачи и диагностики мощных электрических импульсов. Основное внимание уделено фундаментальным физическим процессам, протекающим в электрических цепях, и следующим из них практическим методам управления параметрами этих процессов. Пособие отражает самый современный уровень понимания этой области физики, о чем свидетельствует успешная техническая реализация сложных устройств и приборов, имеющих мировую новизну и рекордные параметры. Достоинством пособия является то, что все математические выражения и формулы подробно выводятся автором из первых принципов электромагнетизма и не требуют от читателя обращения к другим учебным и справочным изданиям. Пособие написано на основе апробированного курса лекций, который автор в течение ряда лет читал студентам и магистрантам кафедры физики плазмы Томского государственного университета. Пособие также будет полезно аспирантам, преподавателям, инженерам и всем специалистам, работающим в области мощной импульсной техники, физической электроники и электрофизики.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

Представлено современное состояние коллоидной химии, ее прикладное значение применительно к новым материалам и технологиям с учетом наиболее крупных научных достижений за последние 20-25 лет. Подробно изложены основы коллоидной химии: поверхностные и капиллярные явления, термодинамика поверхностей раздела фаз, адсорбция поверхностно-активных веществ, мицеллярные системы, электроповерхностные явления, устойчивость и молекулярно-кинетические свойства дисперсных систем, ультрадисперсные системы («наносистемы»). Рассмотрены главные процессы коллоидной химии: коагуляция, коалесценция, седиментация, образование коллоидных структур. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по химическим, биологическим, медицинским, геологическим специальностям.

Рассмотрены основные подходы к компьютерному моделированию химико-технологических процессов (ХТП). Особое внимание уделяется изучению методологии расчетов и построения математических моделей типовых процессов химической технологии, их идентификации с использованием экспериментальных данных и решению задач оптимизации. Это позволяет рассматривать данное учебное пособие как руководство по созданию компьютерных моделей ХТП и их использованию для исследования, модернизации, диверсификации, оптимизации и управления процессами химической технологии специалистами, применяющими пакеты моделирующих программ ASPEN, HYSYS, PRO-II и ChemCad. Книга предназначена для обучения студентов химико-технологических вузов, а также для повышения квалификации инженеров-химиков и химиков-технологов для решения задач расчетно-технологического проектирования и управления химическими производствами, может быть полезной для специалистов в области нефтехимической, газоперерабатывающей промышленности, в производствах органической и неорганической химии, использующих современные автоматизированные системы проектирования (САПР) и системы научных исследований (АСНИ), и для инженеров химических предприятий, решающих задачи автоматизированного управления технологическими процессами (АСУТП), основу которых составляют статические и динамические компьютерные модели производственных процессов.

Учебно-методический комплекс (УМК) "Информационное общество: теория и практика" разработан в рамках Инновационной образовательной программы Томского государственного университета. Комплекс содержит электронное учебное пособие, тестовые задания, глоссарий. В пособии представлены основные современные теории информации и коммуникации. УМК предназначен для студентов, обучающихся по специальности "Гуманитарная информатика" а также для повышения квалификации преподавателей вузов и педагогов системы общего образования, использующих в учебном процессе современные информационные технологии.

Книга профессора У. Л. Леффлера «Переработка нефти» представляет собой научно-популярное описание процессов переработки нефти на современном нефтеперерабатывающем заводе. В ней содержатся в концентрированном виде важнейшие сведения о функционировании такого завода в целом и его отдельных блоков и установок, а также о выпускаемых нефтепродуктах - автомобильном бензине, дизельном, реактивном, котельном топливе, коксе, битуме и др. Описаны процессы первичной переработки нефти, процессы, улучшающие качество продукции и максимально повышающие глубину переработки нефти. Книга рассчитана на широкий круг читателей.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.