| 71 |
|
Физика соединений АII ВVI: монография / Л. А. Бовина [и др.] ; под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. — М.: Наука, 1986. — 320 с.: ил. — Библиогр.: с. 295-320. — 3.90 р.
|
| 72 |
|
Экситоны и биэкситоны в полупроводниках: сб. статей / АН МССР, Институт прикладной физики; редкол. : В. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1982. — 314 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10 р.
|
| 73 |
|
Электрические и оптические свойства полупроводников: сб. ст. / АН СССР, Дагистанский филиал, Институт физики; редкол. : Х. И. Амирханов [и др.]. — Махачкала, 1980. — 162 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.68 р.
|
| 74 |
|
Электронная теория неупорядоченных полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. и физико-техн. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич [и др.]. — М.: Наука, 1981. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 381-383. — 1.00 р.
|
| 75 |
|
Теория сверхтекучести: монография / И. М. Халатников. — М.: Наука, 1971. — 320 с.: ил. — Библиогр.: с. 319-320. — 1.10 р.
|
| 76 |
|
Фотосегнетоэлектрики: монография / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 254-262. — Алф. указ.: с. 263-264. — 1.70 р.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 77 |
|
Сильновозбужденные состояния в кристаллах: сборник научных трудов / АН СССР, Сиб. отд., ТНЦ. — Томск, 1991. — 186 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.15 р.
|
| 78 |
|
Физика диэлектриков (область сильных полей) / Г. И. Сканави. — М.: Физматлит, 1958. — 907 с.: ил. — Библиогр.: с. 888-895. — Алф. указ.: с. 896-899. — Предм. указ.: с. 900-907.
|
| 79 |
|
Пленочные термоэлементы: физика и применение: монография / Б. М. Гольцман [и др.] ; отв. ред. Н. С. Лидоренко; Науч. совет АН СССР по компл. пробл. "Методы прямого преобразования тепловой энергии в электрическую", Всесоюзн. науч.-исслед. ин-т источников тока. — М.: Наука, 1985. — 232 с.: ил. — Библиогр.: с. 216-230. — 2.60 р.
Книга посвящена проблемам создания пленочных термоэлектрических преобразователей энергии и устройств метрологии. Большое внимание уделено физическим исследованиям пленок термоэлектрических полупроводниковых материалов, методам исследования и теории, на которых они основаны. Подробно рассмотрена технология изготовления пленки халькогенидов элементов IV и V групп таблицы Менделеева. Описаны принципы конструирования, основные применения пленочных термоэлектрических батарей, а также ряд приборов на их основе.Книга рассчитана на специалистов в области физики и техники полупроводников, в частности, в области термоэлектричества.
|
| 80 |
|
Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия: учеб. для студ. вузов, обуч. по спец. "Физика металлов", "Металловедение , оборудование и технология термической обработки металлов" / Я. С. Уманский [и др.]. — М.: Металлургия, 1982. — 630 с.: ил. — Библиогр.: с.628-630. — 1.40 р.
Приведены необходимые для применения дифракционных методов сведения по кристаллографии. Рассмотрены теоретические основы и практическое использование дифракции рентгеновских лучей, электронов и нейтронов для изучения структуры кристаллов и металлических материалов. Изложены принципы и применение просвечивающей, дифракционной и растровой электронной микроскопии. Описаны методы локального элементного анализа, основанные на различных видах взаимодействия быстрых электронов с веществом. Учебник предназначен для студентов металлургических и политехнических вузов, специализирующихся в области металлофизики, металловедения и физико-химических исследований материалов. Может быть полезен инженерам исследователям, работающим в области металлофизики, физического металловедения и физико-химических исследований, технологии производства и обработки металлических материалов.
|