| 836 |
|
Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1997. — 131 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 119-129.
|
| 837 |
|
Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, Э. Н. Абдуллин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1997. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 838 |
|
Воздействие электрического поля на кинетические свойства материалов с неквадратичным энергетическим спектром: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Э. В. Марчук ; науч. рук. С. В. Крючков, офиц. оппоненты: М. Б. Белоненко, А. О. Литинский; Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоградский государственный университет, Волгоградский государственный технический университет. — Волгоград, 2008. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 839 |
|
Эффекты многократного ионного рассеяния и их использование для диагностики твердых растворов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / П. Ю. Бабенко ; науч. рук. А. П. Шергин, офиц. оппоненты: А. З. Девдариани, И. И. Пронин; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.), Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб., 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 840 |
|
Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.
|