| 751 |
|
.
: Фейнмановские лекции по физике: научное издание / Р. Ф. Фейнман, Р. Лейтон, М. Сэндс. — Системные требования: Загл. с титул. экрана. - Основана на: данные с экрана.
|
| 752 |
|
Допуски и посадки : справочник: в 2 ч. / М. А. Палей, А. Б. Романов, В. А. Брагинский. — СПб.; : Политехника , Б.г.
Ч. 2 :. — , 2009. — 629 с.: ил. — Библиогр.: с. 526. — ISBN 978-5-7325-0885-7. — ISBN 978-5-7325-0886-4: 412.50 р.
Справочник содержит основные материалы и рекомендации по расчету, применению в машино- и приборостроении, других отраслях техники. Единой системы допусков и посадок (ЕСДП), основных норм взаимозаменяемости (ОНВ) в их увязке с международными стандартами (ИСО). Материал приведен по состоянию на январь 2008 г. В части 2 справочника рассмотрены основы и методы расчета размерных цепей, допуски и посадки типовых соединений - конических, резьбовых, шпоночных, шлицевых, с подшипниками качения, допуски зубчатых и червячных передач, допуски и посадки изделий из пластмасс, резин, керамики, древесины, нормы точности отливок из металлов и сплавов. Справочник предназначен для ИТР, занимающихся разработкой, конструированием изделий, а также производством и контролем машин, механизмов, деталей любых отраслей технике. Может быть полезен маркетологам, студентам технических университетов, техникумов, колледжей, а также преподавателям и научным работникам.
|
| 753 |
|
Молекулярная электроника и углеродные наноструктуры: [учеб. пособие для вузов по направлению подгот. 140400 "Техн. физика"] / И. Б. Захарова, Т. Л. Макарова ; рец.: В. А. Мошников, В. И. Ильин; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2008. — 122 с.: ил., табл.; 20 см. — (Приоритетный национальный проект) ; (Инновационная образовательная программа Санкт-Петербургского государственного политехнического университета / Федер. агентство по образованию). — Приоритетный национальный проект "Образование". Инновационная образовательная программа СПб. гос. политехнического ун-та "Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России". — Библиогр.: с. 122. — ISBN 978-5-7422-2107-4: 280.50 р.
Обобщены результаты ведущихся в мире интенсивных исследований в области молекулярной электроники, рассмотрены основные физические свойства и электронное строение молекулярных материалов и углеродных наноструктур, основные принципы создания приборов молекулярной электроники. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям и специальностям в области техники и технологии при изучении дисциплин "Микроэлектроника", "Микро- и оптоэлектроника", "Наноэлектроника", "Физика полимеров и неупорядоченных диэлектриков", "Физика структур пониженной размерности", "Физика сенсорных материалов и устройств", и может быть также использовано аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники, материаловедения.
|
| 754 |
|
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах = Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices: монография / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. : В. А. Гриценко, А. Л. Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова [и др.]. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2011. — 156 с.: ил. — (Интеграционные проекты СО РАН / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние). — Авт. указаны на обороте тит. л. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1183-6: 5.00 р.
Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1-x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах : оксида SiO2, оксинитрида SiO2Ny, и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.
|
| 755 |
|
Физика ферромагнетизма. Магнитные характеристки и практические применения: переводное издание / С. Тикадзуми ; пер. с яп. А. И. Леонова, под ред. Р. В. Писарева. — М.: Мир, 1987. — 420 с.: ил. — Библиогр.: с. 395-396, 401-403. — Имен. указ.: с. 404-405. — Предм. указ.: с. 406-410. — Указ. веществ: с. 411-417. — 4.10 р.
|