Эмиссионные свойства структур металл - диэлектрик - металл на основе пленок оксинитрида кремния: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Л. Галанский ; офиц. оппоненты : Г. А. Месяц ; науч. рук. Г. А. Воробьев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1979. — 203 л. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 185-196.

Автофотоэлектронная эмиссия из высокоомного P-типа кремния: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Б. П. Бундза ; офиц. оппоненты: Т. М. Лифшиц, Б. А. Нестеренко; Институт физики АН УССР, Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова. — Киев, 1980. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Устойчивость и эмиссионные свойства газоразрядных структур с осциллирующими электронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / С. П. Никулин ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель, офиц. оппоненты: В. А. Груздев, А. В. Козырев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Институт электрофизики УрО АН СССР, Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. — Томск, 1992. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.

Исследование численности элементарного акта автоэлектронной эмиссии металлов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Кочерыженков ; науч. рук. Г. Н. Фурсей, офиц. оппоненты: О. М. Артамонов, А. М. Тютиков; Оптический ин-т им. С. И. Вавилова, Электротехнический ин-т связи им. М. А. Бонч-Бруевича, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — Л., 1983. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.