Моделирование захвата и вывода электронного пучка бетатрона с азимутальной вариацией поля: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / Т. С. Иванилова ; науч. рук. Ю. Н. Адищев, офиц. оппоненты : В. Л. Чахлов, В. М. Попик; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Взрывоэмиссионные источники электронов для поверхностной термообработки материалов: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Б. А. Коваль ; науч. рук. Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1987. — 204 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 182-200.

Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1998. — 124 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 108-121.

Методика и устройства для определения диэлектрической проницаемости материалов, используемых в электрофизических установках: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20, 01.04.13 / А. А. Сулимов ; науч. рук. Н. П. Собенин, офиц. оппоненты: В. В. Петренко, А. В. Грызлов; Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (М.), Институт ядерных исследований РАН (М.). — М., 2003. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс ; офиц. оппоненты: Ю. И. Бельченко, Ю. П. Усов, Г. М. Кассиров; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Объединенный институт ядерных исследований. — Томск, 1994. — 34 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-30.