| 1 |
|
Полупроводниковые устройства непрерывного действия / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. — М.: Радио и связь, 1990. — 256 с.: ил. — Библиогр.: с. 255. — ISBN 5-256-00725-4: 1.30.
|
| 2 |
|
Основы полупроводниковой электроники: [для специальности 351400 "Прикладная информатика (по обл.)" и др. междисциплинар. специальностям] / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. — М.: Горячая линия - Телеком, 2005. — 391 с.: ил.; 22 см. — (Учебное пособие для высших учебных заведений). — Библиогр.: с. 388. — ISBN 5-93517-226-7: 276.00.
В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.
|
| 3 |
|
Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / В. С. Валенко ; под ред. А. А. Ровдо. — М.: Додэка-XXI, 2001. — 368 с.: ил. — Предм. указ.: с. 349-362. — ISBN 5-94120-049-8: 126.50.
|
| 4 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. Гуртов. — 2-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2007. — 406 с.: ил.; 25 см. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 405-406. — ISBN 978-5-94836-120-8: 214.00.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.
|
| 5 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|