1 |
|
Лазеры и атмосфера : докл. всесоюзн. шк., февр. 1989 г. : в 2-х ч. / Гос. ком. СССР по гидрометеорологии, НПО "Тайфун", Институт экспериментальной метеорологии ; под ред. О. А. Волковицкого. — Обнинск; : НПО "Тайфун", Госкомгидромет.
: Атмосферная оптика и лазерное зондирование атмосферы. — Обнинск: НПО "Тайфун", Госкомгидромет, 1990. — 193 с.: ил. — Библиогр. в конце докл. — 1.00.
|
2 |
|
Лазеры и атмосфера : докл. всесоюзн. шк., февр. 1989 г. : в 2-х ч. / Гос. ком. СССР по гидрометеорологии, НПО "Тайфун", Институт экспериментальной метеорологии ; под ред. О. А. Волковицкого. — Обнинск; : НПО "Тайфун", Госкомгидромет.
: Новые тенденции в физике лазеров: докл. всесоюзн. шк., февр. 1989 г. — Обнинск: НПО "Тайфун", Госкомгидромет, 1990. — 91 с.: ил. — Библиогр. в конце докл.
|
3 |
|
Квантовая электроника / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1972. — 224 с.: ил. — 1.83.
|
4 |
|
Введение в физику инжекционных лазеров: монография / П. Г. Елисеев. — М.: Наука, 1983. — 294 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-294. — 3.30.
Полупроводниковые инжекционные лазеры получают все более широкое практическое применение. Массовые масштабы имеет их использование в волоконо-оптических системах передачи информации. За последнее время к исследованиям и разработкам в области лазеров этого типа привлечено много новых специалистов. Резко возросло количество научных публикаций в периодической печати. В данной книге представлены и кратко обсуждены главные проблемы физики лазерных полупроводниковых устройств инжекционного типа. Экспериментальные данные включены, главным образом, в виде примеров к отдельным параграфам и таблиц. Учтены новейшие научные результаты, относящиеся к гетеролазерм на основе многокомпонентных (четверных) систем твердых растворов. Рассмотрены более подробно механизм излучательных переходов, механизм накачки, закономерности формирования спектра лазерного излучения, некоторые нелинейные оптические явления, характерные для инжекционных лазеров.
|
5 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1990. — 102 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.00.
|