| 1 |
|
Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики / С. Г. Боев, В. Я. Ушаков. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 238 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-236. — ISBN 5-283-03969-2: 3.20.
|
| 2 |
|
Диэлектрическая поляризация / А. А. Потапов, М. С. Мецик. — Иркутск: Издательство Иркутского университета, 1986. — 263 с.: ил. — Библиогр.: с. 258-259. — 1.20.
|
| 3 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04.
|
| 4 |
|
Современные проблемы электрофизики: Сб. науч. тр. — СПб., 1992. — 304 с. — Библиогр.: с. 298. — 21.00.
Сборник составлен по материалам докладов, представленных на совещании по "Электрогидродинамике и электрофизике жидких диэлектриков" с целью отражения основных результатов, полученных к настоящему времени специалистами, работающими в этой быстроразвивающейся области науки. В материалах настоящего сборника освещены теоретические и экспериментальные вопросы конденсаторостроения, механизмы проводимости и зарядообразования в диэлектрических материалах, устройство и работа современных высоковольтных источников питания.Сборник рассчитан на научных сотрудников, инженеров, аспирантов и студентов.ОКБ "Новик" при Санкт-Петербургском университете.
|
| 5 |
|
Высокоэнергетическая электроника / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; отв. ред. Д. И. Вайсбурд; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225. — 2.30. |
| 6 |
|
Радиационные процессы в многокомпонентных материалах. Теория и компьютерное моделирование / Ю. В. Трушин; Рос. АН, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2002. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 361-367. — ISBN 5-79890-204-8.
|
| 7 |
|
Диагностика приповерхностного слоя и управление его свойствами (Актуальные вопросы физической электроники): сб. науч. тр. / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина; редкол. : Ю. С. Васильев (отв. ред.) [и др.]. — Л.: ЛПИ, 1983. — 97 с.: ил. — (Труды Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина, 0376-1304). — Библиогр. в конце ст. — 1.00. |
| 8 |
|
Электронно-тепловые и детонационные процессы при электрическом пробое твердых диэлектриков / Ю. Н. Вершинин ; отв. ред. Ю. А. Котов; Рос. АН, Институт электрофизики УрО РАН. — Екатеринбург: УрО РАН, 2000. — 258 с.: ил. — Библиогр.: с. 245-255. — ISBN 5-7691-1023-6: 8.15.
|
| 9 |
|
Физика твердого тела. Физика полупроводников, физика сегнетоэлектриков и диэлектриков, физика низких температур: спецпрактикум / редактор Б. А. Струков, автор посвящения П. Г. Елисеев, автор посвящения А. С. Сонин. — М.: МГУ, 1983. — 296 с.: ил. — 1.20.
Книга содержит описание практических работ по физике полупроводников, сегнетоэлектриков и диэлектриков, низких температур. Описания задач включают основы теории исследуемых явлений, схемы экспериментальных установок, порядок выполнения эксперимента. Представлены работы, охватывающие равновесные и неравновесные свойства полупроводников, электрические и оптические свойства сегнетоэлектриков, а также оптические, упругие, пиро- и пьезоэлектрические свойства диэлектрических кристаллов, явление сверхпроводимости, ряд задач по физике жидкого гелия. задачи отражают современное состояние исследований в области физики твердого тела. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, а также преподавателей физических специальностей высших учебных заведений.
|
| 10 |
|
Электрический пробой ионных кристаллов / В. Д. Куликов; Томский сельскохозяйственный институт. — Томск: Издательство Томского университета, 2014. — 146 с.: ил. — Библиогр.: с. 133-141. — ISBN 978-5-7511-2274-4.
В монографии рассмотрены основные закономерности процесса импульсного электрического пробоя в твердых телах. Представлен новый механизм генерации первичных электронов посредством каскадных оже-переходов в валентной зоне ионных кристаллов. В рамках данного механизма разработана физическая модель канала электрического пробоя, включая элементы кристаллографической и анодной направленности канала пробоя, высокой плотности предпробойного тока, механизма движения канала и его внутренней структуры. Для специалистов в области высоковольтной импульсной техники, электрической изоляции, физики диэлектриков и полупроводников, студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|