Изложены физические основы полупроводниковых электронных приборов. Рассмотрены основные типы радиокомпонентов, элементы и узлы аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральные схемы высоких степеней интеграции. Показана целесообразность и возможности перехода от классической электроники к наноэлектронике. Проанализированы физические и технологические основы наноэлектроники, особенности наноэлектронных транзисторов, фотоприемников и лазеров, приборов на основе углеродных нанотрубок. Издание предназначено для бакалавров по направлениям подготовки «Электроника и наноэлектроника» и «Радиотехника». Также может быть полезно инженерно-техническим работникам, занимающимся проектированием и эксплуатацией электронной аппаратуры с использованием микроэлектронной и наноэлектронной элементных баз.

Микросхемы в эпоху их изобретения воплощали идею интеграции множества радиоэлектронных компонентов в единый универсальный кубик — заготовку для дальнейшего создания широкого круга конструкций. Однако уже ранние реализации микросхем заставили разработчиков отказаться от принципов универсальности, в результате чего переход к разработке специализированных микросхем узкопрофильного назначения стал более чем обоснован. Книга систематизировано освещает вопросы практического использования аналоговых микросхем: операционных усилителей и схем на их основе, усилителей и генераторов низких (звуковых) и высоких частот, компараторов, таймеров, аналоговых коммутаторов и мультиплексоров, электронных потенциометров, фильтров, преобразователей частоты, однокристальных AM- и ЧМ-радиоприемников, микросхем ЦАП и АЦП, схем управления и индикации и т. д. Приведены многочисленные диаграммы и графики, иллюстрирующие работу устройств. Наряду с примерами стандартного включения приведены варианты включения микросхем при использовании их по нетиповому или неосновному назначению. Книга содержит свыше 500 схем и может оказаться полезной в практической деятельности радиолюбителям и профессионалам различного уровня подготовки.

Изложены результаты экспериментальных и теоретических исследований процессов образования дефектов и их скоплений, структурно-фазового состояния и композиционного состава материалов ядерной энергетики при взаимодействии частиц и излучений с твердым телом. Рассмотрена связь этих процессов с радиационно-индуцированными (стимулированными) явлениями и эффектами. Пособие предназначено для студентов физического, химического и факультета радиофизики и компьютерных технологий БГУ.

Изложены современные методы анализа элементного состава материалов, основанные на взаимодействии электронов, ионов и фотонов с поверхностью, приведена классификация методов анализа поверхности. Для каждого из методов рассматриваются физические процессы и наиболее важные закономерности, лежащие в их основе, а также влияние параметров зондирующего пучка на результаты анализа. Пособие предназначено для студентов физического факультета и факультета радиофизики и электроники БГУ.

Сборник содержит оригинальные теоретические и экспериментальные работы по различным разделам физики плазмы, таким как физика газового разряда, сильноточная электроника, диагностика и применение плазмы и др.Предназначен для студентов и аспирантов физических специальностей, а также для специалистов по физике плазмы.

В обзоре М. П. Кузнецовой рассмотрена модель "частично-плавного канала" полевого транзистора с затвором Шоттки и с p-n переходом в качестве затвора. В рамках этой модели проведен расчет крутизны, емкости затвора и граничной частоты полевого транзистора, созданного на основе материалов InP и InGaAs. Полученные результаты сравниваются с приведенными в литературе значениями этих параметров для полевых транзистров на основе GaAs. Рассмотрено влияние поверхностного заряда на границе канал-подложка на характеристики полевого транзистора. Приведены результаты численного расчета характеристик полевых транзистров.В обзоре В. Д. Шадрина рассмотрены физические основы мехинзма преобразования излучения диодом с барьером Шоттки, а также вытекающие из них пороговые характеристики отдельного фотоприемника. Анализируются особенности применения фотодиодов с барьером Шоттки в многоэлементных матрицах с накоплением, в частности, влияние геометрического фактора шума на общий шум матрицы. С физической точки зрения обсуждаются основные фотоэлектрические и пороговые характеристики как фотодиодов, так и многоэлементных матриц, среди них - эквивалентная шуму разность температур. Приводятся типичные параметры ИК приемных устройств на матрицах Шоттки - диодов.

Книга содержит описание унифицированной библиотеки функциональных ячеек 5503 для проектирования средствами САПР «Ковчег» различных интегральных микросхем на основе базовых матричных кристаллов серий 5503 и 5507. Предназначена для разработчиков радиоэлектронной аппаратуры, а также для преподавателей и студентов старших курсов, аспирантов, изучающих современные методы проектирования полузаказных БИС.

Этот сборник посвящен 80-летию со дня рождения выдающегося ученого и крупного государственного деятеля нашей страны академика Российской академии наук Юрия Андреевича Осипьяна (1931-2008 гг.). Основное направление исследований Юрия Андреевича - физика твердого тела. Результаты работ, выполненных Ю. А. Осипьяном с сотрудниками в 1960-е г., привели к созданию нового научного направления - дислокационная физика, которое успешно развивается и в настоящее время. Вошедшие в сборник статьи распределены довольно условно по четырем разделам: первые работы; изучение свойств дислокаций в полупроводниках; высокотемпературные сверхпроводники; физика фуллеренов и наноструктурированных углеродных материалов. Каждый из разделов отражает эволюцию основных направлений исследований Юрия Андреевича и созданной им "школы Осипьяна".