| 1 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1990. — 103 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.00.
|
| 2 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1989. — 93 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.90.
|
| 3 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1989. — 96 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.90.
|
| 4 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1989. — 103 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.90.
|
| 5 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1988. — 104 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.90.
|
| 6 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1987. — 97 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
| 7 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1987. — 97 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40.
|
| 8 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1986. — 107 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
| 9 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1985. — 109 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
| 10 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников, Отделение оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1985. — 100 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
| 11 |
|
Нанотехнологии в электронике : сборник / под ред. Ю. А. Чаплыгина. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2013. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-353-0: 975.00.
Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.
|
| 12 |
|
Физическая электроника: сб. науч. тр. / Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина; отв. ред. К. П. Селезнев. — Л.: Ленинградский политехнический институт, 1977. — 124 с.: ил. — (Труды Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина). — Библиогр. в конце ст. — 1.00. |
| 13 |
|
Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: сб. ст. / Саратовский гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского; под общ. ред. Б. Н. Климова, А. И. Михайлова. — Саратов: Колледж, 2001. — 188 с.: ил. — ISBN 5-94409-005-7: 50.54. |
| 14 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Издательство Львовского университета.
:. — Львов: Издательство Львовского университета, 1973. — 116 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.99.
|
| 15 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 2004. — 182 с.: ил. — 130.00.
|
| 16 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 2003. — 312 с.: ил. — 150.00.
|
| 17 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 2002. — 236 с.: ил. — 150.00.
|
| 18 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1997. — 175 с.: ил.
|
| 19 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1995. — 156 с.: ил.
|
| 20 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1995. — 116 с.: ил.
|
| 21 |
|
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. / НАН Украины ; Ин-т физики полупроводников, Отд-ние оптоэлектроники.
:. — Киев: Наукова думка, 1994. — 100 с.: ил.
|
| 22 |
|
Основы промышленной электроники: учеб. для неэлектротехн. спец. вузов / В. Г. Герасимов [и др.] ; под ред. В. Г. Герасимова. — 3-е изд. перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1986. — 336 с.: ил. — Предм. указ.: с. 330-333. — Библиогр.: с. 329. — 0.80. |
| 23 |
|
Международный семинар по оптоэлектронике, Санкт-Петербург, 5-6 нояб. 1998 г.: тез. докл. / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН, Каф. оптоэлектроники С.-Петерб. гос. электротехн. ун-та. — СПб., 1998. — 72 с.: ил. — 7.25.
|
| 24 |
|
Функциональная электроника: учебник для вузов по спец. "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / А. А. Щука. — М.: МИРЭА, 1998. — 260 с.: ил. — Предм. указ.: с. 253-255. — Библиогр.: с. 248-252. — ISBN 5-7339-0166-7: 16.80.
|
| 25 |
|
Материалы электронной техники / АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев. — Новосибирск; : Наука. Сибирское отделение.
: Состав, структура и электрофизические свойства. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1983. — 191 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.10.
|
| 26 |
|
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы : сб. статей / под общ. ред. А. А. Васенкова, Я. А. Федотова. — М.; : Радио и связь.
:. — М.: Радио и связь, 1989. — 192 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-256-00234-1: 1.00.
|
| 27 |
|
Измерение параметров приборов оптоэлектроники / Н. Ф. Геда ; под ред. С. В. Свечникова. — М.: Радио и связь, 1981. — 367 с.: ил. — (Измерения в электронике). — Предм. указ.: с. 360-362. — Библиогр.: с. 351-359. — 1.30.
|
| 28 |
|
Полупроводниковая электроника в технике связи : сб. ст. / под. ред. И. Ф. Николаевского.
:. — М.: Радио и связь, 1986. — 248 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.80.
|
| 29 |
|
Тиристоры, выключаемые током управления / И. В. Грехов , И. А. Линийчук. — Л.: Энергоиздат, 1982. — 95 с.: ил. — Библиогр.: с. 88-93. — 0.35.
|
| 30 |
|
Физические основы полупроводниковой электроники: посвящается памяти В. Е. Лашкарева / АН УССР, Институт полупроводников; под общ. ред. О. В. Снитко. — Киев: Наукова думка, 1985. — 302 с.: ил. — Библиогр.: с. 269-302. — 3.80. |
| 31 |
|
Физические процессы в приборах электронной и лазерной техники: межвед. сб. / Моск. физ.-техн. ин-т; ред. Б. В. Бондаренко. — М.: Московский физико-технический институт, 1987. — 136 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — Библиогр.: с. 133-136. — 0.50.
Материалы сборника отражают результаты научных исследований, ведущихся в МФТИ и базовых предприятиях института в области вакуумной и полупроводниковой электроники, охватывающей основные направления развития современной электроники и лазерной техники. Данный сборник полезен студентам и аспирантам, специализирующимся в области физической и квантовой электроники, а также специалистам, разрабатывающим приборы электронной и лазерной техники.
|
| 32 |
|
Оптико-электронные системы и приборы : межвуз. сб. / Новосиб. ин-т инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографии ; ред кол. Н. А. Мещеряков (отв. ред.) [и др.]. — Новосибирск; : НИИГАиК.
:. — Новосибирск: НИИГАиК, 1980. — 110 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.70.
|
| 33 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1988. — 128 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.80.
|
| 34 |
|
Численное моделирование микроэлектронных структур / С. Г. Мулярчик. — Минск: Университетское, 1989. — 368 с.: ил. — Библиогр.: с. 354-366. — ISBN 5-7855-0045-0: 3.30.
|
| 35 |
|
Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория базовых знаний, 2003. — 488 с.: ил. — (Технический университет). — Библиогр.: с. 488. — ISBN 5-93208-045-0: 165.77.
|
| 36 |
|
Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. — 488 с.: ил. — (Технический университет). — Библиогр.: с. 488. — ISBN 5-93208-045-0: 135.00.
|
| 37 |
|
Зарубежные полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и их отечественные аналоги: справ. / сост. А. К. Мальцев. — Минск: Полымя, 1995. — 269 с.: ил. — 24000.00. |
| 38 |
|
Материалы электронной техники: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" / В. В. Пасынков. — М.: Высшая школа, 1980. — 406 с.: ил. — Алф. указ.: с. 403-406. — Библиогр.: с. 397. — 1.30.
|
| 39 |
|
Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева. — М.: Радио и связь, 1987. — 254 с.: ил. — Предм. указ.: с. 246-249. — Библиогр.: с. 236-245. — 2.70.
|
| 40 |
|
Вакуумная и газоразрядная электроника : межвуз. сб. науч. тр. / Рязанский радиотехнический институт; отв. ред. А. А. Потсар. — Рязань: Рязанский радиотехнический институт, 1984. — 136 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 0.70. |
| 41 |
|
Физические явления в приборах электронной и лазерной техники: межвуз. сб. / Моск. физ.-техн. ин-т; редкол. : Б. В. Бондаренко (отв. ред.) [и др.]. — М., 1982. — 110 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.50. |
| 42 |
|
Физические явления в приборах электронной и лазерной техники: межвуз. сб. / Моск. физ.-техн. ин-т; редкол. : Б. В. Бондаренко (отв. ред.) [и др.]. — М., 1983. — 112 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.50. |
| 43 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
| 44 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1978. — 110 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10.
|
| 45 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : М. В. Пашковский (зам. отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1977. — 102 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.90.
|
| 46 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1974. — 122 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.96.
|
| 47 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1974. — 144 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10.
|
| 48 |
|
Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники "Полупроводниковые приборы" / Моск. ин-т электрон. техники; отв. ред. В. И. Мурыгин. — М.: МИЭТ, 1979. — 133 с.: ил. — Библиогр. в конце работ. — 0.45. |
| 49 |
|
Неквазистатическое моделирование импульсных полупроводниковых приборов: монография / Г. М. Шевченко, Э. В. Семенов ; рецензенты : Н. Д. Малютин, О. Ю. Малаховский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск: Изд-во ТУСУРа, 2022. — 50 с.: ил. — Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ, проект № FWRM-2021-0015. — Библиогр.: с. 44-47. — ISBN 978-5-86889-987-4.
Представлена нелинейно-инерционная модель p-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока.Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.
|
| 50 |
|
Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных: Справочное пособие / Д. А. Садченков. — М.: СОЛОН-Р, 2001. — 224 с. — (Ремонт). — ISBN 5-93455-039-X: 58.00.
|