Изложены физические принципы работы и основы построения оптико-электронных приборов (ОЭП). Описаны типовые узлы ОЭП: источники и приемники оптического излучения, оптические системы, анализаторы изображения, сканирующие системы, модуляторы. Рассмотрены методы приема оптических сигналов, обобщенные структурные схемы ОЭП и способы выделения сигналов от объектов, наблюдаемых на фоне помех. Приведены методики расчета ряда основных параметров ОЭП, которые могут быть полезными при выборе того или иного ОЭП, предназначенного для использования в геодезической практике и дистанционном зондировании и оценке эффективности этого использования. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению "Геодезия и дистанционное зондирование" и специальности "Прикладная геодезия".

Представлена нелинейно-инерционная модель p-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока.Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.

Рассмотрены итоги развития фотоэлектроники к концу первого десятилетия нашего века. Приведены типы и параметры промышленных фотоприемников на основные спектральные диапазоны от ультрафиолетового до длинноволнового инфракрасного. Выявлены главные направления дальнейших исследований и разработок. Это фокально-плоскостные матрицы: с лавинным умножением, в том числе со счетом фотонов в линейном и Гейгер-режимах в каждом пикселе; с формированием 3D изображения, в том числе с фиксацией момента прихода и интенсивности оптического импульса; двухдиапазонные, в том числе чувствительные одновременно к тепловому излучению (3—5 мкм либо 8—10 мкм) и к лазеру (1,3—1,55 мкм). Это инфракрасные фокальные матрицы на основе квантоворазмерных структур. Это лавинные фотодиоды с уменьшенными током, шумами, с повышенным быстродействием для волоконно-оптических линий и других лазерных оптико-электронных систем. Для специалистов — инженеров и научных работников, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем, а также для преподавателей, студентов и аспирантов соответствующих специальностей вузов.

Материалы сборника отражают результаты научных исследований, ведущихся в МФТИ и базовых предприятиях института в области вакуумной и полупроводниковой электроники, охватывающей основные направления развития современной электроники и лазерной техники. Данный сборник полезен студентам и аспирантам, специализирующимся в области физической и квантовой электроники, а также специалистам, разрабатывающим приборы электронной и лазерной техники.

В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.