| 1 |
|
Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 2 |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 3 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 4 |
|
Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.
|
| 5 |
|
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 6 |
|
Исследование кинетики ударной ионизации и свечения в ЩГК: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Г. Еханин ; науч. рук.: Г. А. Воробьев, Н. С. Несмелов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, М. Б. Котляревский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники, Латвийский государственный университет им. П. Стучки. — Томск, 1974. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12.
|
| 7 |
|
Термодинамическое и статистическое исследование канальной стадии импульсного электрического пробоя конденсированных сред: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. Д. Ильюшенков ; науч. рук. М. П. Тонконогов, офиц. оппоненты: Ю. М. Волокобинский, Е. К. Завадовская; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Карагандинский политехнический институт (Караганда), Институт прикладной физики АН Молдавской ССР. — Томск, 1974. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.
|
| 8 |
|
Некоторые вопросы теории неустойчивости электронно-дырочной плазмы в электрическом и магнитном полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. И. Ципивка ; науч. рук.: В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, офиц. оппоненты: В. И. Гаман, Е. А. Литвинов; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Институт физики полупроводников (Новосибирск). — Томск, 1974. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 9 |
|
Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 10 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 11 |
|
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Д. И. Горн ; науч. рук. А. В. Войцеховский ; офиц. оппоненты : В. П. Гермогенов, В. М. Лисицин; Нац. исслед. Томский гос. ун-т. — Томск, 2012. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 12 |
|
К теории автоэлектронной эмиссии полупроводников: автореферат дис. ... / Л. М. Баскин ; науч. рук.: Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей, офиц. оппоненты: В. Г. Багров, Г. Ф. Караваев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.), Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск). — Томск, 1975. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 13 |
|
Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 14 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04.
|
| 15 |
|
Семиэлектрики: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. В. Афанасьев ; оппоненты: Ю. В. Аграфонов, Э. И. Бродская, Е. А. Раджабов; Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Институт химической физики им. Н. Н. Семенова РАН (М.), Иркутский государственный университет им. А. А. Жданова (Иркутск). — Иркутск, 1995. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-38.
|
| 16 |
|
Температурная зависимость проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении сильноточными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Наминов ; науч рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Э. Д. Алукер, В. С. Старцев; Уральский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Ин-т физики АН ЭССР. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 17 |
|
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.
|
| 18 |
|
Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии / В. Г. Лифшиц, Ю. В. Луняков; Рос. АН, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов управления. — Владивосток: Дальнаука, 2004. — 315 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-8044-0454-7: 50.00.
|
| 19 |
|
Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2004. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-32.
|
| 20 |
|
Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях [выдержки из текста]: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты : Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2003. — 80 с. — На правах рукописи.
|
| 21 |
|
Структурные состояния и фотоэлектрические и электретные свойства аморфных конденсатов на основе Sb2S3: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Полищук ; науч. рук. В. М. Косевич, науч. конс. В. Д. Кулибаба, офиц. оппоненты: В. А. Базакуца, В. К. Сорокин; Харьковский политехнический институт им. В. И. Ленина (Харьков), Ужгородский государственный университет (Ужгород). — Харьков, 1987. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 22 |
|
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.
|
| 23 |
|
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 24 |
|
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.
|
| 25 |
|
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Ю. Саркисов ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. И. Грибенюков; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 26 |
|
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. М. Дзядух ; науч. рук. А. В. Войцеховский, офиц. оппоненты : О. П. Толбанов, А. А. Вилисов; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Томский университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 27 |
|
Лазерное напыление пленок аморфных магнетиков и полумагнитных полупроводников и их исследование: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. М. Горбанзаде ; науч. рук. П. И. Никитин, офиц. оппоненты: А. К. Звездин, Ф. А. Пудонин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам РАН (Троицк). — М., 1998. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|
| 28 |
|
Физика твердого тела. Физика полупроводников, физика сегнетоэлектриков и диэлектриков, физика низких температур: спецпрактикум / редактор Б. А. Струков, автор посвящения П. Г. Елисеев, автор посвящения А. С. Сонин. — М.: МГУ, 1983. — 296 с.: ил. — 1.20.
Книга содержит описание практических работ по физике полупроводников, сегнетоэлектриков и диэлектриков, низких температур. Описания задач включают основы теории исследуемых явлений, схемы экспериментальных установок, порядок выполнения эксперимента. Представлены работы, охватывающие равновесные и неравновесные свойства полупроводников, электрические и оптические свойства сегнетоэлектриков, а также оптические, упругие, пиро- и пьезоэлектрические свойства диэлектрических кристаллов, явление сверхпроводимости, ряд задач по физике жидкого гелия. задачи отражают современное состояние исследований в области физики твердого тела. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, а также преподавателей физических специальностей высших учебных заведений.
|
| 29 |
|
Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.
|
| 30 |
|
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А. В. Хачояна / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. — М.: Техносфера, 2007. — 368 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 978-5-94836-126-0: 238.00.
В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.
|
| 31 |
|
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. Н. Орлова ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. И. Олешко, А. В. Войцеховский; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|
| 32 |
|
Атомная конфигурация дефектов в сплаве AuCu3: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. Д. Старостенков ; науч. рук.: Л. Е. Попов, Э. В. Козлов, офиц. оппоненты: В. П. Федин, Н. В. Никитина; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт металлофизики АН УССР (Киев). — Томск, 1974. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 33 |
|
Применение ионного проектора к изучению поверхности кристаллических наростов тугоплавких металлов : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / Б. М. Шайхин ; науч. рук. В. Н. Шредник, офиц. оппоненты: Ю. С. Коробочко, П. И. Антонов; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Л.), Институт физики металлов УНЦ АН СССР (Свердловск). — Л., 1975. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13.
|
| 34 |
|
О предельных возможностях измерительно-вычислительных систем: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / В. П. Манолов ; науч. рук. Ю. П. Пытьев, офиц. оппоненты: Ю. А. Белов, Л. Г. Диденко; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Объединенный институт ядерных исследований (Дубна). — М., 1993. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 35 |
|
Неравновесный СВЧ разряд в волновых пучках: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / А. Л. Вихарев ; офиц. оппоненты: А. В. Гуревич, И. А. Коссый, В. Ю. Трахтенгерц; Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород), Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (Троицк). — Нижний Новгород, 1992. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-28.
|
| 36 |
|
Электрические и магнитные явления в самораспространяющемся высокотемпературном синтезе: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.17 / Ю. Г. Морозов ; офиц. оппоненты : Э. Н. Руманов, Ю. М. Максимов, Н. Г. Букун; Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН, Московский государственный институт стали и сплавов. — Черноголовка, 2001. — 35 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-35.
|
| 37 |
|
Численное моделирование электромагнитного сжатия быстрых лайнеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / В. В. Лоскутов ; науч. рук. А. В. Лучинский, офиц. оппоненты : М. А. Либерман, В. Н. Вымятнин; Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Ин-т прикладной математики им. М. В. Келдыша АН СССР (М.). — Томск, 1986. — 15 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 38 |
|
Nanostructures : Physics and Technology: 7th International Symposium, St Petersburg, Russia, June 14-18, 1999 : Proceedings. — St Petersburg: Ioffe Institute, 1999. — 565 с. — ISBN 5-86763-008-0: 35.00. |
| 39 |
|
Современные проблемы физики и технологии: сб. ст. молодых ученых : II школа-семинар молодых ученых, Томск, 5-7 февраля 2001 г. / Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт оптического мониторинга СО РАН, Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Центр исследования проблем научной молодежи Сибири, Областная ассоциация молодых ученых и специалистов. — Томск: Издательство Томского университета, 2001. — 298 с.: ил. — ISBN 5-7511-1431-0. |
| 40 |
|
Полевые транзисторы. Физика, технология и применения / пер. с англ. под ред. С. А. Майорова. — М.: Советское радио, 1971. — 376 с.: ил. — Предм. указ.: с. 369-371. — Библиогр. в конце глав. — 1.70. |
| 41 |
|
Влияние короткомасштабного взаимодействия зарядов на корреляционные функции слабо неидеальной плазмы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / Ю. В. Табачник ; науч. рук. Н. С. Голосов, науч. конс. М. М. Шапиро, офиц. оппоненты: Е. П. Гордов, И. Л. Бухбиндер; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1988. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.
|
| 42 |
|
Physics of Semiconductors / B. Sapoval, C. Hermann. — New York: Springer, 2003. — 319 с.: ill. — Ind.: p. 307-319. — Bibliogr.: p. 305-306. — ISBN 0-387-40630-1: 1398.25.
|
| 43 |
|
Математическое моделирование в проектах нового позитронного источника для KEKB и детектора SiDдля ILC: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.16, 01.04.20 / И. С. Тропин ; науч. рук. А. М. Кольчужкин, науч. конс. А. П. Потылицын, офиц. оппоненты : В. В. Рыжов, П. В. Логачев; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". — Томск, 2010. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-24.
|
| 44 |
|
Введение в физику полупроводников: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Технология спец. материалов электронной техники" / В. И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1984. — 352 с.: ил. — Алф. указ.: с. 343-345. — Библиогр.: с. 346-348. — 1.10.
|
| 45 |
|
Физика полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. — М.: Наука, 1990. — 685 с.: ил. — Библиогр.: с. 677-681. — ISBN 5-02-014032-5: 2.00.
|
| 46 |
|
Физика полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. — М.: Наука, 1977. — 672 с.: ил. — Библиогр.: с. 666-669. — 1.70.
|
| 47 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 48 |
|
Экспериментальное исследование газового разряда в квазиоптических пучках электромагнитных волн: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук / В. Г. Зорин ; офиц. оппоненты : Вл. В. Кочаровский, С. М. Грач, А. Н. Старостин; Институт прикладной физики РАН, Институт теоретической и экспериментальной физики. — Нижний Новгород, 2007. — 35 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-35.
|
| 49 |
|
Экспериментальное исследование особенностей циклотронной неустойчивости плазмы ЭЦР разряда в прямой магнитной ловушке: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Д. А. Мансфельд ; науч. рук. С. В. Голубев, офиц. оппоненты : П. А. Беспалов, М. М. Могилевский; Институт прикладной физики РАН, Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского. — Нижний Новгород, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.
|
| 50 |
|
Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge, Sn) - As2, облученных протонами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Т. В. Ведерникова ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты: А. С. Поплавной, В. Ю. Яковлев; Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2008. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22.
|