1 |
|
Транзисторы и их зарубежные аналоги : справочник : каталожное издание : в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт.
: Маломощные транзисторы. — 2-е изд., испр. — М.: РадиоСофт, 1999. — 688 с.: ил. — На пер. авт. не указан. — ISBN 5-85554-137-1: 80.24.
В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - полевых и биполярных транзисторов малой мощности. даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в 1-4 тт. издании. Для инженерно=технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
|
2 |
|
Транзисторы и их зарубежные аналоги : справочник : каталожное издание : в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт.
: Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные. — 2-е изд., испр. — М.: РадиоСофт, 1999. — 544 с.: ил. — На пер. авт. не указан. — ISBN 5-85554-149-5: 78.73.
Во втором томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - биполярных транзисторов средней и большой мощности НЧ. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в 1-4 тт. издании. Для инженерно=технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
|
3 |
|
Полупроводниковые приборы: Справочник / В. И. Галкин, А. Л. Булычев, В. А. Прохоренко. — 2-е изд., перераб. и доп. — Минск: Беларусь, 1987. — 285 с.: ил. — 0.80.
|
4 |
|
Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги : справ. : в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : КУбК-а.
:. — М.: КУбК-а, 1997. — 672 с.: ил. — ISBN 5-85554-152-5: 24500.00.
|
5 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы специального назначения : справ. изд. / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. — М.; : СОЛОН-Р. — (Ремонт ; Вып. 62 ).
: Зарубежные аналоги отечественных приборов. — М.: СОЛОН-Р, 2002. — 312 с.: ил. — ISBN 5-93455-165-5: 152.00.
|
6 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы : справ. пособие / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. — М.; : СОЛОН-Р. — (Ремонт ; Вып. 25 ).
: Аналоги отечественных и зарубежных приборов. — М.: СОЛОН-Р, 1999. — 490 с.: ил. — ISBN 5-93455-030-6: 95.00.
|
7 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы : справ. пособие / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. — М.; : СОЛОН-Р. — (Ремонт ; Вып.59 ).
: Аналоги отечественных и зарубежных приборов. — 3-е изд., перераб. и доп. — М.: СОЛОН-Р, 2002. — 544 с.: ил. — ISBN 5-93455-142-6: 207.90.
|
8 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы: Транзисторы биполярные. Диоды. Варикапы. Стабилитроны и стабисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные приборы. Аналоги отечественных и зарубежных приборов : Справ. пособие / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. — 6-е изд., доп. и испр. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2008. — 592 с.: ил. — (Компоненты и технологии). — ISBN 978-5-91359-043-5: 610.00.
|
9 |
|
Зарубежные транзисторы: справ. / Е. Ф. Турута. — М.: Горячая линия - Телеком, 2002. — 756 с.: ил. — ISBN 5-93517-060-4: 404.80.
|
10 |
|
Транзисторы и их зарубежные аналоги : справ.-каталог : в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт.
: Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности. — 2-е изд., испр. — М.: РадиоСофт, 2000. — 672 с.: ил. — ISBN 5-93037-034-6: 67.00.
|
11 |
|
Транзисторы и их зарубежные аналоги : справ.-каталог : в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт.
:. — М.: РадиоСофт, 2002. — 480 с.: ил. — ISBN 5-93037-090-7: 184.40.
|
12 |
|
Полупроводниковые приборы: справ. / Б. Л. Перельман. — М.: НТЦ МИКРОТЕХ, 2000. — 176 с.: ил. — ISBN 5-85823-007-5: 59.00.
|
13 |
|
Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / В. С. Валенко ; под ред. А. А. Ровдо. — М.: Додэка-XXI, 2001. — 368 с.: ил. — Предм. указ.: с. 349-362. — ISBN 5-94120-049-8: 126.50.
|
14 |
|
Зарубежные транзисторы, диоды. 1N...60000...: справ. / под ред. В. И. Заболотного, В. Р. Гончаренко. — М.: Наука и техника, 1999. — 634 с.: ил. — ISBN 5-88977-053-5: 78.00.
|
15 |
|
Зарубежные транзисторы, диоды. A...Z: справ. / под ред. В. И. Заболотного, В. Р. Гончаренко. — М.: Наука и техника, 2000. — 552 с.: ил. — ISBN 5-93630-009-9: 79.00.
|
16 |
|
СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках: учеб. пособие для вузов по напр. 210100 " Электроника и наноэлектроника" / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. — М.: Техносфера, 2011. — 256 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-271-7: 475.00.
Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.
|
17 |
|
Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги : справ. : в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : КУбК-а.
:. — М.: КУбК-а, 1997. — 544 с.: ил. — ISBN 5-85554-157-6: 25.00.
|
18 |
|
Электронные приборы: программированное учеб. пособие / Ю. Д. Денискин, А. А. Жигарев, Л. П. Смирнов ; под ред. Р. А. Нилендера. — М.: Энергия, 1980. — 278, [2] с.: ил. — Библиогр.: с. 276. — 0.70.
|
19 |
|
Основы полупроводниковой электроники: [для специальности 351400 "Прикладная информатика (по обл.)" и др. междисциплинар. специальностям] / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. — М.: Горячая линия - Телеком, 2005. — 391 с.: ил.; 22 см. — (Учебное пособие для высших учебных заведений). — Библиогр.: с. 388. — ISBN 5-93517-226-7: 276.00.
В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.
|
20 |
|
Транзисторные цепи: учеб. пособие для вузов по напр. подгот. бакалавров 552800 - "Информатика и вычислит. техника" и спец. 654600-"Информатика и вычислит. техника" / К. К. Гомоюнов. — СПб.: БХВ-Петербург, 2002. — 234 с.: ил. — Предм. указ.: с. 230-234. — Библиогр.: с. 229. — ISBN 5-94157-100-3: 72.60.
|
21 |
|
Полевые транзисторы / Л. Н. Бочаров. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1984. — 80 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека). — Библиогр.: с. 79. — 0.50.
|
22 |
|
Зарубежные транзисторы и их аналоги : справ.-каталог : в 5-ти т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт.
:. — М.: РадиоСофт, 1999. — 768 с.: ил. — ISBN 5-93037-025-7: 80.00.
|
23 |
|
Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ. Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. — М.: Мир, 1989. — 630, [2] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001100-5: 3.20.
|
24 |
|
Полупроводниковая электроника в технике связи : сб. ст. / под. ред. И. Ф. Николаевского.
:. — М.: Радио и связь, 1984. — 224 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.75.
|
25 |
|
Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / В. П. Дьяконов [и др.] ; под общ. ред. В. П. Дьяконова. — М.: СОЛОН-Р, 2002. — 512 с.: ил. — Библиогр.: с. 499-507. — ISBN 5-93455-160-4: 150.00.
|
26 |
|
Полупроводниковые устройства непрерывного действия / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. — М.: Радио и связь, 1990. — 256 с.: ил. — Библиогр.: с. 255. — ISBN 5-256-00725-4: 1.30.
|
27 |
|
Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов: справ. / В. П. Петухов. — М.: КУбК-а, 1997. — 320 с.: ил. — ISBN 5-85554-143-6: 10500.00.
|
28 |
|
Цветовая и кодовая маркировка радиоэлектронных компонентов, отечественных и зарубежных / И. И. Нестеренко. — М.: СОЛОН-Р, 1999. — 128 с.: ил. — ISBN 5-85954-067-1: 19.12.
|
29 |
|
Полупроводниковые приборы. Транзисторы: доп. первое / В. М. Петухов. — М.: Радио и связь, 1994. — 230 с.: ил. — (Справочник). — ISBN 5-256-01093-X: 3000.00.
|
30 |
|
Полевые транзисторы: справ. / Л. М. Гришина, В. В. Павлов. — М.: Радио и связь, 1982. — 72 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека). — 0.35.
|
31 |
|
Полупроводниковая схемотехника : [в 2 т.]: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. — М.; : ДМК Пресс.
:. — М.: ДМК Пресс, 2008. — 832 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94120-200-3: 723.10.
Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.
|
32 |
|
Электронные приборы: учебник для техникумов / Л. Н. Бочаров ; под ред. Н. Д. Федорова. — М.: Энергия, 1979. — 367, [1] с.: ил., табл. — Предм. указ.: с. 364-365. — Библиогр.: с. 363. — 0.95.
|
33 |
|
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур / А. Н. Ковалев. — М.: МИСИС, 2011. — 363, [1] с.: ил. — Библиогр.: с. 353-363. — ISBN 978-5-87623-489-6: 531.00.
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро-и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
|
34 |
|
Электроника - практический курс / М. Х. Джонс ; пер. с англ. Е. В. Воронова, А. Л. Ларина. — М.: Постмаркет, 2003. — 528 с.: ил. — (Библиотека современной электроники). — Парал. тит. лист англ. — ISBN 5-901095-01-4: 254.80.
|
35 |
|
Электроника - практический курс / М. Х. Джонс ; пер. с англ. Е. В. Воронова, А. Л. Ларина. — М.: Постмаркет, 1999. — 528 с.: ил. — (Библиотека современной электроники). — Парал. тит. лист англ. — Предм. указ.: с. 512-520. — Библиогр.: с. 509-511. — ISBN 5-901095-01-4: 126.00.
|
36 |
|
Физика полупроводниковых приборов / А. И. Лебедев. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. — 488 с.: ил. — ISBN 978-5-9221-0995-6: 310.00.
Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.
|
37 |
|
Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: учеб. пособие для вузов по спец. "Радиосвязь, радиовещание и телевидение" и др. / Ю. Л. Бобровский [и др.] ; под ред. Н. Д. Федорова. — М.: Радио и связь, 1998. — 560 с.: ил. — Предм. указ.: с. 551-553. — Библиогр.: с. 550-551. — ISBN 5-256-01169-3: 72.70.
|
38 |
|
Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко. — М.: Физматлит, 2010. — 407 с.: ил.; 23 см. — Библиогр.: с. 372-401. — ISBN 978-5-9221-1200-0: 462.00.
Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.
|
39 |
|
Полупроводниковые приборы: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Микроэлектронные приборы" / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 479 с.: ил. — Предм. указ.: с. 468-474. — 1.50.
|
40 |
|
Зарубежные транзисторы и их аналоги : справ.-каталог : в 5-ти т. / В. М. Петухов. — М.; : РадиоСофт.
:. — М.: РадиоСофт, 1999. — 928 с.: ил. — ISBN 5-93037-013-3: 80.00.
|
41 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
42 |
|
Справочник по электронным приборам / Д. С. Гурлев. — Киев: Технiка, 1979. — 462 с.: ил. — 2.10.
|
43 |
|
Электронные приборы: учеб. пособие для вузов по спец. "Радиотехника" / А. Л. Булычев, В. А. Прохоренко. — Минск: Вышэйшая школа, 1987. — 315 с.: ил. — Предм. указ.: с. 308-310. — Библиогр.: с. 307. — 1.10.
|
44 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. Гуртов. — 2-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2007. — 406 с.: ил.; 25 см. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 405-406. — ISBN 978-5-94836-120-8: 214.00.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.
|
45 |
|
Радиокомпоненты и материалы: справ. / О. Н. Партала. — М.: КубК-а, 1998. — 720 с.: ил. — ISBN 5-85554-163-0: 32.00.
|
46 |
|
Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды. А...Z: справ. / сост. С. Л. Корякин-Черняк. — СПб.: Наука и техника, 2001. — 736 с.: ил. — ISBN 5-94387-025-3: 201.30.
|
47 |
|
Транзисторы биполярные / И. Г. Бергельсон, В. И. Минц. — М.: Советское радио, 1976. — 56 с.: ил. — (Элементы радиоэлектронной аппаратуры). — Библиогр.: с. 55. — 0.18.
|
48 |
|
Полевые транзисторы и их применение / А. Н. Игнатов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1984. — 217 с.: ил. — Библиогр.: с. 211-215. — 0.75.
|
49 |
|
Полупроводниковые приборы (диоды и транзисторы) / В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — Минск: Беларусь, 1979. — 240 с.: ил. — 0.75.
|
50 |
|
Физика полупроводниковых приборов : в 2-х кн. / С. М. Зи. — М.; : Мир.
:. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1984. — 455 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 2.20.
|