В этой книге дается изложение основ теории чисел в объеме университетского курса. Знакомство с этими основами необходимо каждому образованному математику. Книга снабжена задачами. Часть из них — «Численные примеры» — будет способствовать лучшему усвоению изучаемого теоретического материала. Другая часть — «Вопросы» помимо этого позволит самостоятельно разобраться в некотором материале, в тексте не рассмотренном. Численные примеры снабжены лишь ответами. Вопросы же снабжены более или менее подробными решениями. Однако в целях лучшего развития творческих навыков с этими решениями рекомендуется знакомиться не раньше, чем вопрос решен самостоятельно. Настоящее седьмое издание лишь незначительно отличается от шестого.

В книге налагаются и доступной форме понятия вероятности случайного события, распределения вероятностей случайных величин различных типов, даются их статистические толкования. Подробно рассмотрены отдельные законы распределений, важные для приложений, приведены примеры таких приложений. Много внимания уделено числовым характеристикам распределения, а также вопросам оценки этих характеристик. Все главы снабжены упражнениями для самостоятельного решения (с ответами и указаниями в конце книги). Книга предназначается для студентов массовых инженерно-технических, технологических и инженерно-экономических специальностей в качестве учебного пособия по разделу «Основы теории вероятностей» курса высшей математики. Помимо студентов, книга может быть полезна инженерам и экономистам, в особенности тем, кто интересуется вероятностными методами в связи с обработкой результатов эксперимента.

В книге изложены основные вопросы физики полупроводников. Рассмотрена элементарная теори проводимости и модельные представления о механизме проводимости полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, а также изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников.Книга предназначена для студентов вузов и может быть полезна инженерно-техническим работникам.

В сборнике представлены материалы совещения по научным основам технологии катализаторов. Совещание организовано Координационным центром в соответствии с планом работ научно-технического сотрудничества стран-членов СЭВ по проблеме "Разработка новых промышленных катализаторов и улучшения качества катализаторов, применяемых в промышленности", основной целью которого являлось обсуждение со специалистами стран основных направлений развития сотрудничества в области научных основ технологии катализаторов. Совещание состоялось в г. Новосибирске в мае 1975 г.

Дается систематическое изложение интенсивно развивающейся в течение последних 25 лет теории ветвящихся процессов, описывающей процессы размножения и превращения частиц в предположении, что частицы эволюционируют независимо друг от друга. Различные модели ветвящихся процессов имеют применения в физике, химии, биологии, технике. В книге отражены результаты, относящиеся к разным моделям ветвящихся процессов.