В справочном пособии рассматриваются вопросы расчета и проектирования полупроводниковых радиопередающих устройств, выполненных на основе гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции. Обсуждаются электрические характеристики и особенности конструктивного исполнения пассивных и активных элементов. Излагаются принципы работы и теория автогенераторов, усилителей мощности, умножителей частоты, частотных и фазовых модуляторов. устройств суммирования мощности, даются примеры расчета их основных характеристик и топологий. Рассматриваются особенности конструирования радиопередающих устройств. Для специалистов, занимающихся проектированием СВЧ аппаратуры. Может быть полезна студентам вузов.

Представлена нелинейно-инерционная модель p-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока.Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - полевых и биполярных транзисторов малой мощности. даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в 1-4 тт. издании. Для инженерно=технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Во втором томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - биполярных транзисторов средней и большой мощности НЧ. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в 1-4 тт. издании. Для инженерно=технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Книга содержит описание унифицированной библиотеки функциональных ячеек 5503 для проектирования средствами САПР «Ковчег» различных интегральных микросхем на основе базовых матричных кристаллов серий 5503 и 5507. Предназначена для разработчиков радиоэлектронной аппаратуры, а также для преподавателей и студентов старших курсов, аспирантов, изучающих современные методы проектирования полузаказных БИС.

Данное учебное пособие предназначено для сотрудников предприятий, занятых разработкой и изготовлением плазмохимического оборудования для повышения их квалификации путем приобретения компетенций в области плазмохимических технологий травления и осаждения материалов электронной и микросистемной техники. Пособие может быть полезно студентам старших курсов, обучаемых в рамках направлений «Наноматериалы» и «Материаловедение и технология материалов» по профилям, относящимся к технологии изделий микроэлектроники и микросистемной техники. В настоящем учебном пособии обсуждаются принципы построения плазмохимического оборудования, основанного на использовании низкотемпературной плазмы, создаваемой с помощью газовых разрядов при пониженных давлениях, основы процессов травления микроэлектронных структур, закономерности процессов плазмохимического травления и примеры их использования для травления разнообразных материалов, а также плазмохимические процессы осаждения слоев на примере нитрида кремния, как одних из наиболее сложных и трудных для практической реализации.