Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.

В книге шаг за шагом раскрывается мир цифровой электроники, ее взаимосвязь с другими областями техники. При создании учебника автор использовал свой большой опыт преподавательской деятельности. Материал изложен последовательно и понятно, начиная с основ. Контрольные тесты с вопросами и задачами в конце каждой главы позволяют проверить понимание пройденного материала, в конце учебника приведены решения. Книга предназначена для студентов электротехнических и машиностроительных специальностей, инженеров-практиков, техников, а также всех, кто интересуется современной цифровой техникой.

Рассматриваются теоретические и практические проблемы повышения синфазной помехоустойчивости аналоговых микросхем с дифференциальным входом. Исследуются причины неполного ослабления синфазных сигналов в различных дифференциальных усилителях. Обсуждаются методы, направленные на повышения коэффициента ослабления синфазных сигналов (Кос.сф.) в базовых архитектурных решениях аналоговых микросхем, в т.ч. с учетом требований SiGe технологий. Приводятся результаты компьютерного моделирования различных модификаций ДУ с повышенным Кос.сф. Монография предназначена для студентов радиотехнических специальностей и инженеров, занимающихся проектированием аналоговых микросхем и IP-модулей нового поколения.

Приводится хронология событий, связанных с историей радиоэлектроники, от древних времен до наших дней. При отборе фактов и событий акцент сделан на роль личностей в историческом процессе. Расширенное описание большинства основных событий позволяет использовать книгу для изучения истории радиотехники. Хронология дополнена наиболее значимыми событиями из смежных областей науки и техники, оказавшими существенное влияние на развитие радиоэлектроники: математики, оптики, акустики, химии и даже логики и психологии. Многие исторические факты помогают понять закономерности развития человеческой цивилизации. Научный прогресс воспринимается читателем не как набор изобретений и открытий отдельных ученых, а как непрерывный процесс накопления знаний, в который внесли свой вклад сотни и тысячи известных и неизвестных людей. В конце книги представлены краткие хронологические данные о некоторых крупных российских предприятиях радиоэлектронного профиля. Эти данные дают общее представление об уровне развития радиоэлектронной промышленности России во второй половине XX века. Приведенный в книге список источников позволяет получить более подробную информацию об истории развития радиоэлектроники в XX веке. Предназначена для радиоспециалистов и всех, кто интересуется историей развития науки и техники. Она может быть также использована студентами высших учебных заведений при изучении истории и методологии науки в области радиотехники и электроники.

Рассмотрены широко распространенные алгоритмы цифровой обработки сигналов, а также особенности их реализации на базе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) фирмы Xilinx®. Приведены примеры реализации цифровых узлов на языке описания аппаратуры VHDL, описание основных алгоритмов, анализ технических характеристик современных ПЛИС. Описан порядок работы в САПР ISE™. Для инженерно-технических работников, проектирующих цифровые устройства обработки сигналов, будет полезна студентам и аспирантам.

В книге представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований релятивистских магнетронов, проведенных в России и за рубежом, в том числе и автором монографии, за период с 1976 по 2012 гг. Описаны конструкции приборов, принцип действия, отличия от классических аналогов. Подробно обсуждаются проблемы генерации СВЧ-импульсов сверхбольшой мощности, получаемых в релятивистских магнетронах при использовании в качестве источников питания сильноточных электронных и линейных индукционных ускорителей. Приведены основные параметры экспериментальных установок, режимов работы, характеристики СВЧ-излучения. Рассматриваются нетрадиционные возможности управления колебательным процессом в релятивистских магнетронах, его спектром и потоками энергии за счет введения в резонансную систему управляющих внешних связей. Книга представляет интерес для научных сотрудников и инженеров, занимающихся исследованиями в области СВЧ-электроники и ускорительной техники.

Впервые систематизированы и обобщены данные по отечественным и зарубежным коаксиальным радиокомпонентам для современной микроэлектроники СВЧ. На большом фактическом материале рассмотрены конструкция и основные параметры современных отечественных и зарубежных радиокомпонентов: коаксиально-микрополосковых переходов, кабельных соединителей, адаптеров, высокочастотных и низкочастотных вводов, изоляционных стоек, фильтров помех. Рассмотрены особенности распространения электромагнитной волны в коаксиальной линии передачи. Приведены основные формулы для расчета коаксиальных радиокомпонентов. Показаны особенности применения радиокомпонентов в современной микроэлектронике СВЧ. Даны рекомендации по их выбору и установке в изделия СВЧ. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой, конструированием и производством РЭА СВЧ для использования в качестве справочных материалов. Она может быть также полезна преподавателям, аспирантам и студентам радиотехнических специальностей.

Перевод 12-гоиздания широко известной книги Ульриха Титце и Кристофа Шенка (в 1982 г. изд-во "Мир" выпустило перевод 5-го изд. этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.). Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентных схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники ин научным работникам.

Первое на русском языке массовое пособие для будущих инженеров-связистов и проектировщиков радиоэлектронной аппаратуры, включая системы-на-кристалле. Даны основы теории информации и сжатия данных, доходчиво изложены современные алгоритмы помехоустойчивого кодирования, реализации циклических и сверточных кодов.??.

Рассмотрено формирование тонкопленочной элементной базы микросборок, позволяющее создавать микроэлектронную аппаратуру с широким диапазоном функциональных возможностей и высокими точностными характеристиками ; изложены принципы проектирования тонкопленочных элементов микросборок (МСБ) : проводящих структур, резистивных элементов, тонкопленочных реактивных элементов (конденсаторов и индуктивностей) ; описаны основные технологические процессы формирования элементов плат МСБ и особенности технологических маршрутов изготовления плат с тонкопленочными элементами, вопросы контроля и обеспечения качества изготовленных элементов. Представленные в книге материалы, обобщающие результаты многолетних исследований, проведенных в рамках выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю. Е. Седакова», а также исследований отечественных и зарубежных авторов, опубликованных в периодической литературе, могут оказаться полезными в качестве справочного руководства для инженеров и научных работников, занимающихся разработкой и производством микроэлектронной аппаратуры.