Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.

В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.

В книге обозначены и насколько возможно полно раскрыты современные тенденции и подходы в разработке СВЧ плазмохимического оборудования и нанотехнологий на его основе. Излагаются математическая теория диффузионных процессов и основы теории плазмы газового разряда в магнитном поле, описаны применяемые методы решения стохастических дифференциальных уравнений и уравнений Фоккера-Планка-Колмогорова. Даны обобщение и системное изложение опыта и результатов по разработке физико-технических основ новых типов микроволновых плазменных устройств. Приведены результаты практического использования разработанных микроволновых источников плазмы. Материалы книги могут быть задействованы в учебном процессе в качестве спецкурсов или спецсеминаров для студентов вузов соответствующего профиля.

Во втором томе изложены технологические и конструктивные основы и особенности методов формирования и "сухого" травления на поверхности подложки тонких слоёв локальных областей проводящих, диэлектрических и полупроводниковых материалов в условиях уменьшения размеров элементов до нанометрового диапазона для интегральных технологий микро-и наноэлектроники, оптоэлектроники, микросистемной техники.

Четвёртое издание (1-е изд. — 2000 г.) энциклопедического словаря-справочника, переработанное, исправленное, дополненное и иллюстрированное, содержит около 23500 терминов, используемых в компьютерной и радиотехнической литературе, руководствах по эксплуатации, информационных каталогах и др. материалах по электронной технике, а также встречающихся в системах телекоммуникации (фиксированная и мобильная телефония, спутниковая связь, Интернет и пр.) и при работе с различной радиоэлектронной аппаратурой. Данное издание словаря значительно пополнено по сравнению с предыдущим (на 4500 терминов), многие термины переработаны и исправлены. Материал представлен в удобной для поиска форме. Издание имеет собственный сайт-приложение в Интернете (http://ee.1963.ru). Предназначено для профессионалов и любителей компьютерной техники, электроники, радио-, аудио- и видеотехники (как профессиональной, так и бытовой), для специалистов по закупке, продаже и ремонту радиоэлектронной аппаратуры, для работников телевидения и радио, учащихся соответствующих специальностей, пользователей ПК, мобильных телефонов и РЭА, а также для переводчиков англоязычной научно-технической литературы и всех, кто по роду своей деятельности сталкивается с электронной аппаратурой и современными коммуникационными технологиями.

Приводится хронология событий, связанных с историей радиоэлектроники, от древних времен до наших дней. При отборе фактов и событий акцент сделан на роль личностей в историческом процессе. Расширенное описание большинства основных событий позволяет использовать книгу для изучения истории радиотехники. Хронология дополнена наиболее значимыми событиями из смежных областей науки и техники, оказавшими существенное влияние на развитие радиоэлектроники: математики, оптики, акустики, химии и даже логики и психологии. Многие исторические факты помогают понять закономерности развития человеческой цивилизации. Научный прогресс воспринимается читателем не как набор изобретений и открытий отдельных ученых, а как непрерывный процесс накопления знаний, в который внесли свой вклад сотни и тысячи известных и неизвестных людей. В конце книги представлены краткие хронологические данные о некоторых крупных российских предприятиях радиоэлектронного профиля. Эти данные дают общее представление об уровне развития радиоэлектронной промышленности России во второй половине XX века. Приведенный в книге список источников позволяет получить более подробную информацию об истории развития радиоэлектроники в XX веке. Предназначена для радиоспециалистов и всех, кто интересуется историей развития науки и техники. Она может быть также использована студентами высших учебных заведений при изучении истории и методологии науки в области радиотехники и электроники.

Перевод 12-гоиздания широко известной книги Ульриха Титце и Кристофа Шенка (в 1982 г. изд-во "Мир" выпустило перевод 5-го изд. этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.). Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентных схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники ин научным работникам.

Впервые систематизированы и обобщены данные по отечественным и зарубежным коаксиальным радиокомпонентам для современной микроэлектроники СВЧ. На большом фактическом материале рассмотрены конструкция и основные параметры современных отечественных и зарубежных радиокомпонентов: коаксиально-микрополосковых переходов, кабельных соединителей, адаптеров, высокочастотных и низкочастотных вводов, изоляционных стоек, фильтров помех. Рассмотрены особенности распространения электромагнитной волны в коаксиальной линии передачи. Приведены основные формулы для расчета коаксиальных радиокомпонентов. Показаны особенности применения радиокомпонентов в современной микроэлектронике СВЧ. Даны рекомендации по их выбору и установке в изделия СВЧ. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой, конструированием и производством РЭА СВЧ для использования в качестве справочных материалов. Она может быть также полезна преподавателям, аспирантам и студентам радиотехнических специальностей.

Рассмотрены принцип действия, устройство, характеристики и основные правила применения комбинированных приборов. Приведены принципиальные электрические схемы, схемы расположения элементов, карты электрических цепей и другие сведения об отечественных и наиболее распространенных зарубежных комбинированных приборах. Даны практические рекомендации по отысканию и устранению неисправностей. Предложены для повторения радиолюбителями, разработанные авторами и реализованные ими на практике, схемы оригинальных измерительных приборов. Для подготовленных радиолюбителей.

Изложены вопросы строения, структуры, а также механических свойств традиционных конструкционных материалов. Рассмотрено влияние различных факторов на свойства материалов. Перечислены возможные способы испытания образцов материалов и даны ссылки на соответствующие стандарты. Значительное внимание уделено вопросам изучения и определения свойств новых перспективных нанокристаллических материалов и конструкций из них. Рассмотрены вопросы описания состояния материалов с точки зрения традиционных подходов, а также линейной механики разрушения, мезомеханики и молекулярной динамики Для студентов высших учебных заведений.