Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.

Книга основана на современных представлениях о технологии изготовления и конструкторско-технологическом проектировании гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок (МСБ) СВЧ-диапазона. В книге изложены перспективные конструкторско-технологические решения, позволяющие, по сравнению с традиционными, улучшить электрические, тепловые, массогабаритные характеристики и надежность ГИС и МСБ СВЧ-диапазона и модулей на их основе. Она базируется на практических и теоретических результатах, полученных авторами в процессе многолетней работы в данном направлении. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой модулей на основе ГИС и МСБ СВЧ-диапазона, а также специалистов-технологов серийного производства. Она будет также полезна аспирантам и студентам высших и средних учебных заведений.

Приведена информация по схемотехнике и топологии аналоговых КМОП интегральных микросхем. Описаны принципы построения согласованных элементов, особенности размещения аналоговых блоков на кристалле, методы защиты выводов микросхем от воздействия статического электричества. Рассмотрена схемотехника операционных усилителей, компараторов, источников опорного напряжения и других аналоговых блоков. Изложены принципы расчета аналоговых фильтров, схем на переключаемых конденсаторах, дельта-сигма модуляторов, систем фазовой автоподстройки частоты. Дана информация по архитектуре и основным параметрам АЦП и ЦАП, аналоговым сигналам и системам. Для инженерно-технических работников и студентов, связанных с разработкой и применением аналоговых интегральных микросхем.

Монография посвящена изложению основ различных методов нанолитографии. Обсуждаются перспективы использования методов, области их предпочтительного применения и возможности использования в массовом производстве. Книга предназначена тем специалистам, которые приобщаются к работе в сфере нанотехнологий и наноэлектроники, а также аспирантам и студентам соответствующих специальностей. Монография опубликована за счет средств, выделенных по гранту Российского фонда фундаментальных исследований (проект №07-08-02003 э_д).

Приводятся сведения о классификации, условных обозначениях, основных параметра и габаритных размерах элементов электрических схем бытовой радиоаппаратуры отечественного производства (выпрямительных и импульсных диодов, варикапов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов), а также их зарубежных аналогах. Даются рекомендации по замене диодов и транзисторов другими приборами отечественного производства, имеющими подобные характеристики. Предназначается широкому кругу специалистов, занимающихся конструированием, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также радиолюбителям.

Рассмотрены широко распространенные алгоритмы цифровой обработки сигналов, а также особенности их реализации на базе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) фирмы Xilinx®. Приведены примеры реализации цифровых узлов на языке описания аппаратуры VHDL, описание основных алгоритмов, анализ технических характеристик современных ПЛИС. Описан порядок работы в САПР ISE™. Для инженерно-технических работников, проектирующих цифровые устройства обработки сигналов, будет полезна студентам и аспирантам.

В книге рассматриваются фидерные линии СВЧ, работающие в режиме ТЕМ-волны, коаксиальные, полосковые, связанные линии и разнообразные их модификации. На материале огромного числа источников дается подробный анализ современного состояния теории, указываются достижения и отмечается незавершенность многих исследований. Приводятся формулы, таблицы и графики для расчета волнового сопротивления перечисленных фидерных линий. Книга предназначена для исследователей, разработчиков и конструкторов радиоаппаратуры СВЧ. Она может быть полезна также аспирантам и студентам радиоспециальностей.??.

Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.