1 |
|
Advances in low temperature RF plasmas: Basis for process desing / ed. T. Makabe. — Amsterdam: Elsevier, 2002. — 341 с.: ill. — Ind.: p.339-341. — ISBN 0-444-51095-8: 5352.00.
|
2 |
|
Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский. — М.: Наука, 1986. — 143 с.: ил. — (Проблемы науки и технического прогресса). — Библиогр.: с. 146. — 0.50.
|
3 |
|
Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды. А...Z: справ. / сост. С. Л. Корякин-Черняк. — СПб.: Наука и техника, 2001. — 736 с.: ил. — ISBN 5-94387-025-3: 201.30.
|
4 |
|
Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй ; пер. с англ. Ю. А. Когцевого, Е. А. Митрофанова ; под ред. А. Г. Васильева. — М.: Техносфера, 2011. — 587 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Предм. указ.: с. 578-587. — Библиогр.: с. 561-577. — ISBN 978-5-94836-296-0: 1011.22.
Представленный в книге аналитический обзор охватывает свыше 1750 работ, посвященных III-N полупроводникам, которые применяются для создания транзисторов и радиоэлектронных устройств большой мощности, работающих в СВЧ диапазоне частот. Рассмотрены материалы, приборы, их технология, моделирование, проблемы надежности и применения. Книга представляет большой интерес для студентов, аспирантов, инженеров, разработчиков приборов и соответствующей аппаратуры.
|
5 |
|
Зарубежные полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и их отечественные аналоги: справ. / сост. А. К. Мальцев. — Минск: Полымя, 1995. — 269 с.: ил. — 24000.00.
|
6 |
|
Современная техника усиления сигналов / Г. В. Войшвилло. — М.: Советское радио, 1978. — 103 с.: ил. — (Советско-венгерская библиотека по радиоэлектронике). — Предм. указ.: с. 100-102. — Библиогр.: с. 98-99. — 0.35.
|
7 |
|
Расчет нелинейных и импульсных устройств на программируемых микрокалькуляторах: справ. пособие / В. П. Дьяконов. — М.: Радио и связь, 1984. — 176 с.: ил. — Библиогр.: с. 171-174. — 0.70.
|
8 |
|
Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью / В. Б. Квасков. — М.: Энергоатомиздат, 1988. — 127 с.: ил. — Библиогр.: с. 124-126. — ISBN 5-283-00567-4: 0.40.
|
9 |
|
Численное моделирование микроэлектронных структур / С. Г. Мулярчик. — Минск: Университетское, 1989. — 368 с.: ил. — Библиогр.: с. 354-366. — ISBN 5-7855-0045-0: 3.30.
|
10 |
|
Твердотельные генераторы и преобразователи миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов: сб. науч. тр. / АН УССР, Институт радиофизики и электроники; редкол : Б. М. Булгаков (отв. ред.) [и др.]. — Харьков: ИРЭ АН УССР, 1989. — 124 с.: ил. — Библиогр. в конце работ. — 2.00.
|
11 |
|
Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники "Полупроводниковые приборы" / Моск. ин-т электрон. техники; отв. ред. В. И. Мурыгин. — М.: МИЭТ, 1979. — 133 с.: ил. — Библиогр. в конце работ. — 0.45.
|
12 |
|
Диоды и их зарубежные аналоги : справ. : в 3-х т. / А. К. Хрулев, В. П. Черепанов. — М.; : РадиоСофт.
:. — М.: РадиоСофт, 1999. — 640 с.: ил. — ISBN 5-8555-4171-1: 68.00.
|
13 |
|
Справочная книга радиолюбителя-конструктора : в 2-х кн. — М.; : Радио и связь. — (Массовая радиобиблиотека ; Вып.1196 ).
:. — М.: Радио и связь, 1993. — 336 с.: ил., табл. — ISBN 5-256-001159-6: 4500.00.
|
14 |
|
Справочник регулировщика радиоэлектронной аппаратуры / Л. В. Омельченко, А. Г. Гордеев. — Киев: Технiка, 1983. — 119 с.: табл. — 0.60.
|
15 |
|
Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами / В. М. Тучкевич, И. В. Грехов; АН СССР, Академические чтения. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1988. — 117 с.: ил. — Библиогр.: с. 112-115. — 0.40.
|
16 |
|
Справочник по радиоэлектронике. — М.; : Энергия.
:. — М.: Энергия, 1967. — Предм. указ.: с. 636-640. — 3.84.
Излагаются материалы по теории связи, обнаружению и разрешению сигналов, распространению радиоволн и антенно-фидерным устройствам, а также рассматриваются электровакуумные и полупроводниковые приборы, усилительные устройства и элементы импульсной техники. Приводятся необходимые сведения по математическому аппарату, используемому в справочнике. Рассчитан на инженеров, работающих в различных областях радиоэлектроники, студентов специальных вузов, а также на специалистов других областей, работающих с радиоэлектронной аппаратурой.
|
17 |
|
Проблемы микроэлектронной технологии / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома А. А. Орликовский. — М.: Наука, 1994. — 128 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-007030-0: 1350.00.
|
18 |
|
Проблемы литографии в микроэлектронике / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома Т. М. Махвиладзе. — М.: Наука, 1987. — 149 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — 1.90.
|
19 |
|
Цветовая и кодовая маркировка радиоэлектронных компонентов, отечественных и зарубежных / И. И. Нестеренко. — М.: СОЛОН-Р, 1999. — 128 с.: ил. — ISBN 5-85954-067-1: 19.12.
|
20 |
|
Устройства электропитания бытовой РЭА: справ. / И. Н. Сидоров, М. Ф. Биннатов, Е. А. Васильев. — М.: Радио и связь, 1991. — 472 с.: ил., табл. — ISBN 5-256-00364-X: 5.50.
|
21 |
|
Микромощная электроника / пер. с англ. В. В. Горшкова, Г. А. Подольского, под ред. Е. И. Гальперина. — М.: Советское радио, 1967. — 288 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|
22 |
|
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы : сб. статей / под общ. ред. А. А. Васенкова, Я. А. Федотова. — М.; : Радио и связь.
:. — М.: Радио и связь, 1984. — 304 с.: ил. — Библиогр. в конце некоторых ст. — 1.20.
|
23 |
|
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы : сб. статей / под общ. ред. А. А. Васенкова, Я. А. Федотова. — М.; : Радио и связь.
:. — М.: Радио и связь, 1984. — 232 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.00.
|
24 |
|
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы : сб. статей / под общ. ред. А. А. Васенкова, Я. А. Федотова. — М.; : Радио и связь.
:. — М.: Радио и связь, 1989. — 192 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-256-00234-1: 1.00.
|
25 |
|
Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева. — М.: Радио и связь, 1987. — 254 с.: ил. — Предм. указ.: с. 246-249. — Библиогр.: с. 236-245. — 2.70.
|
26 |
|
Элементная база, приборы и техника миллиметровых и субмиллиметровых диапазонов : сб. науч. тр. / АН УССР, Институт радиофизики и электроники, Науч. совет АН УССР по пробл. "Физика и техника миллиметровых и субмиллиметровых волн"; редкол. : А. А. Вертий (отв. ред.) [и др.]. — Харьков, 1990. — 167 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 2.00.
|
27 |
|
Широкополосные радиопередающие устройства (Радиочастотные тракты на полупроводниковых приборах) / О. В. Алексеев [и др.] ; под ред. О. В. Алексеева. — М.: Связь, 1978. — 302 с.: ил. — Библиогр.: с. 293-299. — 1.30.
|
28 |
|
Плазменные умножители частоты / А. А. Брандт, Ю. В. Тихомиров. — М.: Наука: Физматлит, 1974. — 207 с.: ил. — Библиогр.: с. 202-207. — 0.92.
В книге рассматриваются вопросы, связанные с теоретической и экспериментальной разработкой плазменных умножителей частоты СВЧ-диапазона. Анализируются различные нелинейные явления в плазме. Значительное внимание уделено процессам, происходящим на границе металл - плазма.Подробно описывается плазменный варактор - новый нелинейный элемент, являющийся плазменным аналогом полупроводникового перехода. Нелинейный конденсатор плазменного варактора образуется на поверхности металлического электрода, погруженного в плазму, а его обкладками являются сам электрод и резкая граница электронной компоненты плазмы, формирующейся под действием приложенного СВЧ-напряжения. Умножитель, работающий на плазменном варакторе, обеспечивает эффективность преобразования порядка 50% (для второй гармоники) при высоком уровне входной мощности, значительно превосходящем возможности полупроводниковых приборов. Приводится обзор литературы и обширная библиография, посвященная исследованиям плазменных умножителей за последние 20 лет. Даются рекомендации по конструированию плазменных умножителей и данные для инженерного расчета.
|
29 |
|
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Н. Н. Горюнов [и др.] ; под общ. ред. Н. Н. Горюнова. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1978. — 744 с.: ил. — 2.40.
|
30 |
|
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Н. Н. Горюнов [и др.] ; под общ. ред. Н. Н. Горюнова. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1976. — 744 с.: ил. — 2.39.
|
31 |
|
Металлооксидные катоды электронных приборов / А. Б. Киселев. — М.: МФТИ, 2002. — 239 с.: ил. — Библиогр.: с. 208-239. — ISBN 5-89155-068-7.
В представленной книге рассмотрены широко применяемые в современных электронных приборах и устройствах оксидные катоды, активное покрытие которых является гетерофазной системой, сформированной из порошков окислов ЩЗМ и металла, главным образом, никеля. Детально изложена технология изготовления катодов, применение их в приборах разных классов. Описаны принципы конструирования катодных узлов, в том числе созданных самим автором монографии. Большое внимание уделено методам оценки качества катодов в приборах. Все изложение проводится с позиций понимания катода как части физико-химической системы, каковой является электровакуумный прибор в целом. Книга может служить учебным пособием при чтении традиционных курсов по электронным приборам и технологии электровакуумного производства. Она представит несомненный интерес для инженеров-разработчиков электронных приборов и катодов, а также для технологов-производственников. Одобрено ученым советом факультета физической и квантовой электроники МФТИ.
|
32 |
|
Элементная база оптико-электронных приборов / Ю. М. Андреев [и др.] ; под общ. ред. В. Е. Зуева, М. В. Кабанова. — Томск: РАСКО, 1992. — 275 с.: ил. — Авторы указаны на обороте титульного листа. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-256-00499-9.
|
33 |
|
Основы электроники / И. П. Жеребцов. — 3-е изд., перераб. и доп. — Л.: Энергия, 1974. — 464 с.: ил. — 2.01.
|
34 |
|
Радиопередающие устройства: монография / М. В. Балакирев [и др.] ; под ред. О. А. Челнокова. — М.: Радио и связь, 1982. — 256 с.: ил. — (Проектирование радиоэлектронной аппаратуры на интегральных микросхемах). — Алф. указ.: с. 250-254. — Библиогр.: с. 241-250. — 1.20.
В справочном пособии рассматриваются вопросы расчета и проектирования полупроводниковых радиопередающих устройств, выполненных на основе гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции. Обсуждаются электрические характеристики и особенности конструктивного исполнения пассивных и активных элементов. Излагаются принципы работы и теория автогенераторов, усилителей мощности, умножителей частоты, частотных и фазовых модуляторов. устройств суммирования мощности, даются примеры расчета их основных характеристик и топологий. Рассматриваются особенности конструирования радиопередающих устройств. Для специалистов, занимающихся проектированием СВЧ аппаратуры. Может быть полезна студентам вузов.
|
35 |
|
Плазменные лазеры / Л. И. Гудзенко, С. И. Яковленко. — М.: Атомиздат, 1978. — 253 с.: ил. — Предм. указ.: с. 253. — Библиогр. в конце гл. — 2.90.
|
36 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1988. — 128 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.80.
|
37 |
|
Неравновесная плазма хлора: свойства и применение / А. М. Ефремов, В. И. Светцов. — М.: Физматлит, 2013. — 215 с.: ил.; 23 см. — (Фундаментальная и прикладная физика). — Библиогр. в конце докл. — ISBN 978-5-9221-1406-6: 277.30.
В книге рассмотрены результаты экспериментального и теоретического исследования кинетики и механизмов физико-химических процессов в неравновесной низкотемпературной плазме хлора и его смесей с инертными и молекулярными газами. Проанализировано влияние внешних параметров разряда на энергетическое распределение электронов, транспортные и кинетические характеристики электронного газа. Проведен анализ кинетики нейтральных и заряженных частиц; установлены взаимосвязи задаваемых параметров плазмы и начального состава плазмообразующих смесей со стационарными концентрациями активных частиц и плотностями их потоков на поверхность, ограничивающую зону плазмы. Приводятся результаты исследований кинетических закономерностей и механизмов взаимодействия активных частиц плазмы с рядом металлов и полупроводников. Книга предназначена научно-техническим работникам в области неравновесной плазмохимии и плазмохимической технологии, а также студентам и аспирантам соответствующих специальностей.
|
38 |
|
СВЧ полупроводниковые радиопередатчики / В. И. Каганов. — М.: Радио и связь, 1981. — 400 с.: ил. — Библиогр.: с. 383-397. — 1.20.
|
39 |
|
Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А. А. Ровдо. — М.: Лайт Лтд., 2000. — 288 с.: ил. — Предм. указ.: с. 281-284. — Библиогр.: с. 285-286. — Алф. указ.: с. 267-280. — ISBN 5-89818-041-9: 95.00.
|
40 |
|
Электровакуумные и полупроводниковые приборы / А. М. Калашников, Я. В. Степук. — 4-е изд., перераб. — М.: Воениздат, 1973. — 290 с.: ил. — (Основы радиотехники и радиолокации). — 25.00.
|
41 |
|
Основы электроники / И. П. Жеребцов. — 4-е изд., перераб. и доп. — Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1985. — 352 с.: ил. — Библиогр.: с. 348. — 2.20.
|
42 |
|
Основы электроники / И. П. Жеребцов. — 5-е изд., перераб. и доп. — Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1989. — 352 с.: ил. — Библиогр.: с. 348-349. — ISBN 5-283-04448-3: 3.00.
|
43 |
|
Технология полупроводниковых приборов: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" / И. Г. Пичугин, Ю. М. Таиров. — М.: Высшая школа, 1984. — 288 с.: ил. — Библиогр.: с. 288. — 1.10.
|
44 |
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Красников. — 2-е изд., испр. — М.: Техносфера, 2011. — 799 с.: ил.; 25 см. — (Мир электроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-289-2: 1188.00.
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
|
45 |
|
Работа с электронно-лучевым осциллографом: практ. курс / В. А. Новопольский. — М.: Радио и связь, 1999. — 176 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека). — ISBN 5-256-01453-6: 27.30.
|
46 |
|
Справочник по электронным измерительным приборам / В. В. Мардин, А. И. Кривоносов. — М.: Связь, 1978. — 416 с.: ил. — 1.80.
|
47 |
|
Техника и приборы СВЧ: учебник для техникумов электронных приборов / М. Ф. Воскобойник, А. И. Черников. — М.: Радио и связь, 1982. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 206. — 0.50.
|
48 |
|
Флуктуации и шумы в электронных твердотельных приборах / Г. П. Жигальский. — М.: Физматлит, 2012. — 512 с.: ил.; 22 см. — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-9221-1382-3: 726.00.
Флуктуации и шумы определяют чувствительность приемных и измерительных электронных устройств. В наноэлектронике шумами ограничивается минимальный размер элемента, а также плотность записи информации в магнитных записывающих устройствах. По 1/f-шуму удается оценивать качество и прогнозировать надежность интегральных схем и устройств на их основе, не прибегая к долговременным и дорогостоящим испытаниям, причем с такой высокой достоверностью, какую не дают другие известные методы. Все эти вопросы, а также способы описания и физические модели различных шумов (1/f-шума, фликкер-шума и др.), а также методы измерения и снижения шума описаны в данном учебном пособии, написанном на основе курса лекций, прочитанных автором в Московском институте электронной техники. Для студентов старших курсов, магистрантов, аспирантов, а также научных сотрудников и инженеров.
|
49 |
|
Приборы квантовой электроники: учеб. пособие для вузов по напр. 654200 по спец. 071500 / Г. Г. Шишкин. — М.: Сайнс-Пресс, 2004. — 80 с.: ил. — (Конспекты лекций по радиотехническим дисциплинам). — Библиогр.: с. 80. — ISBN 5-94818-019-0: 93.83.
Рассматриваются физические основы квантового усиления, принципы работы и физические процессы в таких оптических квантовых генераторах, как газовые лазеры (атомарные, ионные и молекулярные), твердотельные, жидкостные и полупроводниковые, а также светодиоды. Приводятся параметры и характеристика лазеров различных типов, описывается их конструкция. Для студентов, обучающихся по специальности 2007, 2012, 2016, 2017, 071500.
|
50 |
|
Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: учеб. пособие для вузов / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. — 3-е изд., стереотип. — СПб.: Лань, 2002. — 424 с.: ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — Предм. указ.: с. 419-421. — Библиогр.: с. 418. — ISBN 5-8114-0438-7: 110.00.
|