В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.

В справочнике приведены сведения о более 5000 тыс. зарубежных и отечественных полупроводниковых приборах, выпускаемых в настоящее время и выпущенных за последние 20 лет (диодах, стабилитронах и стабисторах, диодах СВЧ, варикапах, тиристорах, оптронах, фотодиодах и магнитодиодах), и приведены аналоги для их замены. Основные параметры приведены в форме таблиц. В каждой таблице предусмотрена возможность добавления новых п/п приборов. В справочнике приведены графические изображения корпусов и основные размеры. Справочник рассчитан на широкий круг радиолюбителей, занимающихся ремонтом и сборкой радиоэлектронной аппаратуры.

В представленной книге рассмотрены широко применяемые в современных электронных приборах и устройствах оксидные катоды, активное покрытие которых является гетерофазной системой, сформированной из порошков окислов ЩЗМ и металла, главным образом, никеля. Детально изложена технология изготовления катодов, применение их в приборах разных классов. Описаны принципы конструирования катодных узлов, в том числе созданных самим автором монографии. Большое внимание уделено методам оценки качества катодов в приборах. Все изложение проводится с позиций понимания катода как части физико-химической системы, каковой является электровакуумный прибор в целом. Книга может служить учебным пособием при чтении традиционных курсов по электронным приборам и технологии электровакуумного производства. Она представит несомненный интерес для инженеров-разработчиков электронных приборов и катодов, а также для технологов-производственников. Одобрено ученым советом факультета физической и квантовой электроники МФТИ.

Фазовый состав, тонкая структура интерметаллических покрытий исследована методами электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа. Показано, что интерметаллид Ni3Al является основной фазой покрытия для всех исследованных образцов. Ионная имплантация покрытия ионами алюминия и бора приводит к изменению параметра решетки, параметра дальнего атомного порядка, изменению внутренних упругих напряжений, размеров зерен и типа дислокационной структуры.

Приведены результаты комплексного экспериментально-теоретического исследования деформационного поведения, закономерностей и механизма откольного разрушения гетерофазного алюминиевого сплава Al-Mg-Li-Zr с ультрамелкозернистой и крупнозернистой структурой при воздействии наносекундного сильноточного электронного пучка. Рассмотрены закономерности зарождения и распространения ударной волны, а после ее отражения от тыльной поверхности - волны отражения. Отмечены общие закономерности изменения толщины откольного слоя и степени его пластической деформации при ультрамелкозернистой и крупнозернистой структурах. Показано, что у исследованного гетерофазного сплава Al-Mg-Li-Zr откольная прочность определяется не исходной зеренной структурой, а ультрамелкозернистой структурой, сформированной в зоне откола при воздействии волны растяжения.

Проведено сравнительное исследование закономерностей откольного разрушения гетерофазного сплава Cu-8,45% Al-5,06% Ni (ат%) в ультрамелкозернистом и крупнозернистом состояниях при ударно-волновом нагружении на ускорителе электронов "Синус-7". Установлено, что толщина отколотого слоя при обеих зеренных структурах увеличивается, а степень его пластической деформации уменьшается с ростом толщины мишения. на основе экспериментальных данных и теоретических расчетов показано, что при ультрамелкозернистой и крупнозернистой структурах откольная прочность равна ~ 3ГПа. Приведены данные о зеренной структуре на разном расстоянии от поверхности откола, о закономерностях и механизме откольного разрушения.

Приведены данные о габаритных размерах, электрических параметрах, предельно допустимых значениях режимов эксплуатации и основных функциональных назначениях выпрямительных полупроводниковых диодов, столбов, блоков, диодных сборок и матриц, стабилитронов, тиристоров, универсальных и импульсных диодов, варикапов, туннельных диодов. В ближайшее время планируется выпуск справочника, включающего в себя справочные данные о биполярных и полевых транзисторах широкого применения. Для специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, студентов соответствующего профиля, радиолюбителей.

В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и наноразмерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур. Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей. Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Книга посвящена кругу вопросов, связанных с применением туннельных диодов в импульсных схемах. Рассматриваются свойства туннельных диодов, их характеристики, а также характеристики комбинированных схем, вопросы аппроксимации характеристик . Главное внимание уделено анализу работы туннельных диодов в схемах усиления колебаний, в схемах автогенераторов и триггеров. Излагаемый материал в значительной степени основывается на теоретических и экспериментальных работах автора и его сотрудников; здесь также использован ряд работ, опубликованных в отечественной и зарубежной литературе. Книга рассчитана на специалистов, работающих в области импульсной техники и полупроводниковых устройств, и на студентов вузов.

Флуктуации и шумы определяют чувствительность приемных и измерительных электронных устройств. В наноэлектронике шумами ограничивается минимальный размер элемента, а также плотность записи информации в магнитных записывающих устройствах. По 1/f-шуму удается оценивать качество и прогнозировать надежность интегральных схем и устройств на их основе, не прибегая к долговременным и дорогостоящим испытаниям, причем с такой высокой достоверностью, какую не дают другие известные методы. Все эти вопросы, а также способы описания и физические модели различных шумов (1/f-шума, фликкер-шума и др.), а также методы измерения и снижения шума описаны в данном учебном пособии, написанном на основе курса лекций, прочитанных автором в Московском институте электронной техники. Для студентов старших курсов, магистрантов, аспирантов, а также научных сотрудников и инженеров.