Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 1 - 50 из 10286 для dc.subject any/relevant "ПРИМЕСИ ЭЛЕКТРО ... ( 1.281 сек.)

1
Бадылевич, Михаил Владимирович.
О роли примесей в формировании электронных свойств и пиннинга дислокаций в кремнии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. В. Бадылевич ; науч. рук. В. В. Кведер, оппоненты: Б. В. Петухов, И. И. Тартаковский; Институт физики твердого тела РАН, Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород). — Черноголовка, 2005. — 18 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
2
Зебрев, Геннадий Иванович.
Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие / Г. И. Зебрев. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. — 240 с.: ил. — (Нанотехнологии). — Библиогр.: с. 224-232. — ISBN 978-5-9963-0181-2: 200.00.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов. специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов "Физические основы наноэлектроники", "Наноэлектронные технологии", "Физика микроэлектронных структур".
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3
Физика наноразмерных структур. Формирование наноразмерных областей в стеклообразных материалах: учеб. пособие для вузов по направлению подгот. 140400 "Техн. физика" / Т. В. Бочарова [и др.] ; рец.: Ю. А. Быстров, С. А. Немов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2008. — 125 с.: граф.; 20 см. — (Инновационная образовательная программа Санкт-Петербургского государственного политехнического университета / Федер. агентство по образованию) ; (Приоритетные национальные проекты). — Приоритетный национальный проект "Образование". Инновационная образовательная программа СПб. гос. политехнического ун-та "Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России". — Библиогр.: с. 125. — ISBN 978-5-7422-1802-9: 279.40.
Пособие соответствует гос. образовательному стандарту направления подготовки 140400 "Техническая физика" и содержанию учебной программы дисциплины ОПД.Ф.03 "Материаловедение и технология конструкционных материалов". Содержит сведения по физическим основам формирования микронеоднородных областей в стекле вследствие протекания сегрегационых явлений активатора на основе обобщения результатов ведущихся в мире интенсивных исследований в области стеклообразного состояния вещества и композитных структур на основе стекол. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 "Техническая физика" при изучении дисциплин "Материаловедение и технология конструкционных материалов" и "Физика некристаллических твердых тел". Может быть использовано для подготовки студентов по направления "Электроника и микроэлектроника", а также аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
4
Зуев, Лев Борисович.
Физика прочности и экспериментальная механика: [учебное пособие для вузов по направлениям подготовки "Прикладная механика", "Техническая физика"] / Л. Б. Зуев, С. А. Баранникова ; отв. ред. В. М. Финкель, рец.: А. Д. Коротаев, В. М. Жигалкин, Ю. А. Хон, К. П. Арефьев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Новосибирск: Наука, 2011. — 348, [1] с.: ил.; 22 см. — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-02-018999-7: 466.70.
В учебном пособии изложены сведения о строении кристаллической решетки. Рассмотрены ее тепловые и электронные свойства, вопросы диффузии в твердой фазе. Приведены данные о дефектной структуре твердых тел. Освещены основные положения теории дислокаций и описываемые на ее базе представления о пластической деформации и разрушении твердых тел. Объяснена природа высокопрочного состояния. Проанализированы методики испытания металлов и сплавов при активном нагружении, ползучести. релаксации упругих напряжений и повторно-переменном нагружении. Для магистрантов, обучающихся по направлениям подготовки высшего профессионального образования "Прикладная механика" и "Техническая физика", а также аспирантов, специализирующихся в областях, связанных с физикой прочности и физическим металловедением.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
5
Нанофизика и наноэлектроника : труды XVI международного симпозиума / Нанофизика и наноэлектроника (Нижний Новгород) (XVI ; 12-16 марта 2012 г.). — Нижний Новгород;.
:. — Нижний Новгород, 2012. — : ил. — Библиогр. в конце ст. — 90.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
6
Физическое металловедение : в трех томах / под ред.: Р. У. Кана, П. Хаазена. — М.; : Металлургия.
: Физико-механические свойства металлов и сплавов / пер. с англ. под ред.: О. В. Абрамова, Ч. В. Копецкого, А. В. Серебрякова. — М.: Металлургия, 1987. — 663 с.: ил. — Предм. указ.: с. 648-654. — 6.40.
В третьем томе рассмотрено влияние дефектов структуры на механические свойства сплавов. Описаны виды точечных дефектов, условия их возникновения и аннигиляции, а также различные виды дислокаций, их зарождение, движение, взаимодействие друг с другом и точечными дефектами. Приведены способы деформаций и разрушения металлов и сплавов. Изложены сверхпроводящие свойства металлов и сплавов. Для научных работников, занятых в области физики металлов, металловедов, работников заводских лабораторий, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов металлургических и машиностроительных институтов.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
7
Нанофизика и наноэлектроника : труды XVI международного симпозиума / Нанофизика и наноэлектроника (Нижний Новгород) (XVI ; 12-16 марта 2012 г.). — Нижний Новгород;.
:. — Нижний Новгород, 2012. — 328 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 90.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
8
Ищенко, Анатолий Александрович.
Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов. — М.: Физматлит, 2011. — 647 с.: цв.ил. — Предм. указ.: с. 638-647. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-9221-1369-4: 893.00.
Монография посвящена систематическому изложению свойств, методов синтеза и возможностей применения пористого кремния, нанокремния и композитных материалов на их основе. Подробно изложены методы получения нанокристаллического кремния и проведен их сравнительный анализ. Описаны электронные и оптические свойства, современные методы исследования, позволяющие дать характеристику спектральных и структурных свойств этого материала, обладающего уникальными оптическими (поглощение излучения в УФ-области и фотолюминесценция в видимой области спектра) и электрофизическими свойствами. Значительное внимание уделяется различным областям практического применения : в УФ-защитных покрытиях, биоаналитике и солнечной энергетике. Представлены результаты исследований трансформации свойств наночастиц кремния в зависимости от химического состава примесей, появляющихся при синтезе и нахождении наночастиц в атмосфере воздуха. Описаны методы диагностики структуры, состава образующихся примесей и способы направленного модифицирования поверхности наночастиц кремния и функции их распределения по размерам. Монография рекомендуется широкому кругу читателей, интересующихся проблемами создания, исследования и применения наноматериалов, - научным работникам, аспирантам и студентам, специализирующимся в этой увлекательной и интенсивно развивающейся области современной науки.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
9
Физические свойства алмаза: справочник / Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля НАНУ; под ред. Н. В. Новикова, рец.: В. Г. Алешин, И. В. Матяш. — Киев: Наукова Думка, 1987. — [188] с.: ил. — Предм. указ.: с. 187-188. — 0.95.
В справочнике изложены основные сведения о фазовых равновесиях углерода, термодинамических условиях образования алмаза и его реальной кристаллической структуре. Изложены современные представления о природе химической связи в алмазе и его зонной структуре. Систематизированы данные о механических, электрофизических, магнитных, теплофизических и оптических свойствах природных и синтетических алмазов, Приведены классификация алмазов и характеристика их физических свойств, а также данные о взаимосвязи физико-химических и эксплуатационных свойств синтетических алмазов. Справочник содержит сведения о примесях в природных и синтетических алмазах, полученные на основе исследований методом электронного парамагнитного резонанса, ИК-спектроскопии и измерений магнитной восприимчивости. Предназначен для инженеров и научных работников, в частности работающих в области материаловедения и физики алмаза. Может быть использован работниками заводских лабораторий и аспирантами соответствующих специальностей.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
10
Захарова, Ирина Борисовна.
Молекулярная электроника и углеродные наноструктуры: [учеб. пособие для вузов по направлению подгот. 140400 "Техн. физика"] / И. Б. Захарова, Т. Л. Макарова ; рец.: В. А. Мошников, В. И. Ильин; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2008. — 122 с.: ил.; 20 см. — (Инновационная образовательная программа Санкт-Петербургского государственного политехнического университета / Федер. агентство по образованию) ; (Приоритетный национальный проект). — Приоритетный национальный проект "Образование". Инновационная образовательная программа СПб. гос. политехнического ун-та "Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России". — Библиогр.: с. 122. — ISBN 978-5-7422-2107-4: 280.50.
Обобщены результаты ведущихся в мире интенсивных исследований в области молекулярной электроники, рассмотрены основные физические свойства и электронное строение молекулярных материалов и углеродных наноструктур, основные принципы создания приборов молекулярной электроники. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям и специальностям в области техники и технологии при изучении дисциплин "Микроэлектроника", "Микро- и оптоэлектроника", "Наноэлектроника", "Физика полимеров и неупорядоченных диэлектриков", "Физика структур пониженной размерности", "Физика сенсорных материалов и устройств", и может быть также использовано аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники, материаловедения.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
11
Нанотехнологии в электронике : сборник / под ред. Ю. А. Чаплыгина. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2013. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-353-0: 975.00.
Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
12
Баскаков, Александр Александрович.
Спин-зависимый рост кластеров Eu2+ в кристаллической решетке NaCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Баскаков ; науч. рук. Р. Б. Моргунов, оппоненты: В. И. Никитенко, А. Н. Георгобиани ; Институт физики твердого тела РАН, Институт проблем химической физики РАН (Черноголовка). — Черноголовка, 2004. — 22 с.: ил. — Библиогр.: с. 20-22.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
13
Мартинес-Дуарт, Дж. М.
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А. В. Хачояна / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. — М.: Техносфера, 2007. — 368 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 978-5-94836-126-0: 238.00.
В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
14
Шукуров, Уметалы.
Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
15
Данилов, Валерий Павлович.
Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
16
Пушкарев, Александр Иванович.
Воздействие импульсного пучка электронов на газо-фазные галогениды кремния и вольфрама: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12, 01.04.08 / А. И. Пушкарев ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: Ю. Н. Новоселов, А. А. Орлов; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2002. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
17
Белозерова, Эмилия Петровна.
Изменение дислокационной структуры и механических свойств щелочногаллоидных кристаллов в ультразвуковом и электрическом полях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. П. Белозерова ; оппоненты: Е. Ф. Дударев, А. А. Урусовская, В. З. Бенгус; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Костромской технологический институт (Кострома), Донецкий физико-технический институт УАН (Донецк). — Томск, 1992. — 47 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 41-47.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
18
Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел.
XVII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, 30 мая-2 июня 2011 г., Черноголовка: тезисы докладов / Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (XVII ; 30 мая - 2 июня 2011 г. ; Черноголовка) , Научный совет РАН по электронной микроскопии, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Черноголовка), Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН (М.), Российский фонд фундаментальных исследований (М.), Jeol, ОПТЭК, ООО "Системы для микроскопии и анализа", Oxford Instruments, Bruker, НТ-МДТ, SPECS, Евротек Дженерал, Энерголаб. — Черноголовка: ИПТМ, 2011. — 279 с.: ил.; 21 см. + 1o=эл. опт. диск (CD-ROM). — Библиогр. в конце докл. — ISBN 978-5-89589-054-7: 90.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
19
Демидов, Борис Алексеевич.
Получение высоких давлений и метастабильных состояний в конденсированных средах на основе использования сильноточного релятивистского электронного пучка: автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.08, 01.04.07 / Б. А. Демидов ; офиц. оппоненты : Г. А. Ададуров, А. А. Иванов, Ю. В. Ткач; Ин-т атомной энергии им. И. В. Курчатова, Ин-т общей физики АН СССР. — М., 1987. — 40 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-40.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
20
Полисадова, Елена Федоровна.
Люминесценция кристаллов с оксианионами и оксидных стекол при возбуждении импульсами потока электронов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ф. Полисадова ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: А. И. Непомнящих, И. А. Вайнштейн, Т. С. Шамирзаев; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
21
Чулков, Евгений Владимирович.
Первопринципные псевдопотенциалы и их применение в расчетах электронной структуры объема и поверхности твердых тел: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. В. Чулков ; оппоненты: В. Г. Вакс, Ю. Х. Векилов, Э. В. Козлов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Ленинградский государственный университет (Л.). — Томск, 1990. — 41 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-41.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
22
Сысоева, Светлана Геннадьевна.
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
23
Окунев, Алексей Олегович.
Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами / А. О. Окунев, В. А. Ткаль, Л. Н. Данильчук ; рец. Ю. М. Таиров; Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого (Новгород). — Великий Новгород: НовГУ, 2006. — 252 с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 229-252. — ISBN 5-89896-321-9: 148.
В монографии рассматриваются особенности экспериментальных изображений дефектов структуры монокристаллического карбида кремния, полученных прямыми и неразрушающими физическими методами рентгеновской топографии и поляризационно-оптического анализа. а также приводятся результаты проведенных исследований этого материала. Проводится сравнение информативности различных методов при исследовании карбида кремния и обзор возможностей цифровой обработки экспериментальных изображений дефектов структуры. Предназначается для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов. специализирующихся в области физического материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов и приборов электронной техники.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
24
Данильчук, Леонид Нестерович.
Рентгеновская дифракционная топография дефектов в кристаллах на основе эффекта Бормана: научное издание / Л. Н. Данильчук, А. О. Окунев, В. А. Ткаль ; рец. Е. М. Труханов; Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого (Новгород). — Великий Новгород: НовГУ, 2006. — 493 с.: ил. — Библиогр.: с. 464-493. — ISBN 5-89896-303-0: 200.
В монографии рассматриваются теоретические основы, методика и практика применения метода рентгеновской топографии на основе эффекта Бормана (РТБ). Приводятся методика и результаты моделирования теоретического контраста от основных типов дефектов в монокристаллических материалах в методе РТБ и его сопоставление с экспериментальным контрастом. Предложены методы цифровой обработки изображений, позволившие устранить слабый контраст и фоновую неоднородность топограмм и фотонегативов, влияние зернистости фотоэмульсии, представить изображение дефектов в виде, более удобном для анализа и идентификации дефектов. Для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов, специализирующихся в области материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов электронной техники.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
25
Андриевский, Ростислав Александрович.
Основы наноструктурного материаловедения: возможности и проблемы / Р. А. Андриевский. — Москва: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 251, [1] с.: ил.; 22 см. — (Нанотехнологии). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-9963-0622-0: 300.00.
В монографии изложены современные тенденции в наноструктурном материаловедении, сформулированы нерешенные проблемы. Систематизированы многочисленные данные о влиянии размерных эффектов и поверхностей раздела на физические, физико-химические и механические свойства наноматериалов, обобщены и проанализированы сведения о термической , радиационной, деформационной и коррозионной стабильности. Рассмотрены особенности наиболее характерных наноматериалов на основе соединений титана, кремния и их сплавов. Для научных работников, преподавателей, инженеров, аспирантов и студентов, специализирующихся в области нанотехнологии и наноматериалов.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
26
Вавилов, Виктор Сергеевич.
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М.: Наука, 1990. — 216 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 190-212. — ISBN 5-02-014023-6: 3.60.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
27
Герасименко, Николай Николаевич.
Кремний - материал наноэлектроники: научное издание / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. — . — 351 с. — Допущено учеб.-метод. об-нием вузов Российской Федерации по образованию в обл. радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учеб. пособия для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 210600 "Нанотехнология" и 210100 "Электроника и микроэлектроника".
Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
28
Фазовые превращения и структура металлов и сплавов: сб. ст. / Уральский научный центр АН СССР. — Екатеринбург: УНЦ АН СССР, 1982. — [147] с. — 1.20.
Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований фазовых и структурных превращений в металлах и сплавах. Обсуждаются процессы пластической деформации и диффузии в металлических материалах, влияние гидростатического давления на их механическое поведение. Анализируются особенности тонкой структуры, дислокаций и точечных дефектов в металлах и сплавах и те изменения, которые они претерпевают в результате различных внешних воздействий. Рассматривается влияние фазовых и структурных превращений на формирование механических свойств сталей и сплавов. Сборник представляет интерес для исследователей, работающих в области физического материаловедения, фазовых превращений и диффузии прочности и пластичности, а также для специалистов смежных областей знания.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
29
Акципетров, Олег Андреевич.
Нелинейная оптика кремния и кремниевых наноструктур / О. А. Акципетров, И. М. Баранова, К. Н. Евтюхов. — М.: Физматлит, 2012. — 543 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-9221-1402-8: 726.00.
Книга сочетает в себе черты монографии и учебного пособия. Описаны физические свойства кремния, представляющие интерес с точки зрения нелинейной оптики. Изложены основы феноменологического и микроскопического подходов, используемых в теории генерации оптических гармоник в кремнии. Предложена комплексная модель генерации второй гармоники на кремниевых межфазных границах, учитывающая интерференцию различных вкладов в нелинейно-оптический отклик, анизотропию среды, фотогенерацию неравновесных носителей и многое другое. Дан подробный аналитический обзор экспериментальных работ, демонстрирующий как историю развития нелинейной оптики кремния и кремниевых наноструктур, так и ее современное состояние. Для научных сотрудников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области нелинейной оптики и спектроскопии поверхности, микро- и нанотехнологии кремния.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
30
Барыбин, Анатолий Андреевич.
Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники: учебное пособие для вузов по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" / А. А. Барыбин, В. И. Томилин, В. И. Шаповалов; под общ. ред. А. А. Барыбина. — М.: Физматлит, 2011. — 782 с.: ил.; 23 см. — Предм. указ.: с. 773-782. — Библиогр.: с. 771-772. — ISBN 978-5-9221-1321-2: 752.40.
Книга посвящена основным физическим явлениям и закономерностям, лежащим в основе технологических методов и процессов современной электроники. Особое внимание уделено наноматериалам и перспективным направлениям нанотехнологии. Изложение построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления, как правило, без обращения к другой литературе. Для изучения отдельных вопросов в конце книги приведен список рекомендуемой литературы. Книга предназначена главным образом студентам как учебное пособие по физико-технологическим основам современной электроники в ее широком понимании, включающем макро-, микро- и нанотематику, но может оказаться полезной и специалистам в этих областях. Рекомендовано учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и наноэлектроника», 211000 «Конструирование и технология электронных средств», 222900 «Нанотехнологии и микросистемная техника».
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
31
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1981. — 160 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
32
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 163 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
33
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
34
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1979. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
35
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1978. — 110 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
36
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : М. В. Пашковский (зам. отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1977. — 102 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.90.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
37
Головнев, Юрий Филиппович.
Оптика ферромагнитных наносистем / Ю. Ф. Головнев, А. Б. Лаковцев; Тул. гос. пед. ун-т им. Л. Н. Толстого. — Тула: Издательство ТГПУ, 2012. — 272 с.: ил.; 20 см. — Библиогр.: с. 268-270. — ISBN 978-5-87954-671-2: 91.00.
В монографии представлены теоретические и экспериментальные результаты исследований оптических свойств ферромагнитных кристаллов и наноразмерных гетеросистем на основе ферромагнитных полупроводников, полученные за последнее время; показаны современные методы анализа взаимодействия излучения с магнитоупорядоченными средами, особенности поглощения света сверхрешетками, в состав которых входят нанослои халькогенидов европия. Много внимания уделено вопросам применения этих материалов в современной оптоэлектронике и зарождению нового научного направления - экситоники. Особенно детально анализируются условия образования межъямных и межъбарьерных экситонов высокой плотности вплоть до образования из них бозе-конденсата. В работе приведен обширный литературный материал по всем рассмотренным вопросам. Монография представляет интерес для научных работников, аспирантов и студентов, интересующихся вопросами физики наноразмерных ферромагнитных гетеросистем.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
38
Кадич, Аида.
Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций / А. Кадич, Д. Эделен ; пер. с англ. А. К. Зданьски, под ред. А. М. Курбатова. — М.: Мир, 1987. — 168 с.: ил. — Библиогр.: с. 165-166. — 1.40.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
39
Hummel, Rolf E.
Electronic Properties of Materials / R. E. Hummel. — 3rd ed. — New York: Springer, 2005. — 438 с.: ill. — Ind.: p. 426-438. — ISBN 0-387-95144-X: 2448.25.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
40
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2005. — 414,[1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-033950-4: 194.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
41
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / под ред. К. А. Джексона, В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. — Воронеж; : Водолей.
: Электронная структура и свойства полупроводников. — Воронеж: Водолей, 2004. — 982 с.: ил. — Предм. указ.: с. 931-967. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-88563-041-0: 100.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
42
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2009. — 177 с.: ил. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036976-4: 292.50.
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
43
Белозерова, Эмилия Петровна.
Изменение дислокационной структуры и механических свойств щелочногалоидных кристаллов в ультразвуковом и электрическом полях: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. П. Белозерова; Костромской ордена Трудового Красного Знамени технологический институт (Кострома). — Кострома, 1991. — 310 л.: фото. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 280-310.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
44
Губин, Сергей Павлович.
Графен и родственные наноформы углерода: монография / С. П. Губин, С. В. Ткачев. — Москва: URSS, 2011. — 101 с.: ил.; 22 см. — Библиогр.: с. 86-101. — ISBN 978-5-397-02076-3: 245.00.
В настоящей книге представлен краткий обзор углеродсодержащих нанообъектов на основе графита и продуктов его модификации. Основное внимание уделено новому углеродному наноматериалу - графену. Описано, что именно понимают под термином "графен" в русской и зарубежной научной литературе, приведены основные методы получения графена, его физико-химические свойства, показана возможность получения композитов и соединений на основе графена, а также перечислены основные направления применения этого перспективного материала.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
45
Карькина, Лидия Евгеньевна.
Моделирование атомной структуры дефектов в кристаллах: монография / Л. Е. Карькина, Л. И. Яковенкова ; отв. ред. Е. П. Романов, рец.: В. В. Попов, В. Г. Мазуренко; Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург). — Екатеринбург: УрО РАН, 2011. — 462 с.: ил.; 21 см. — (Научно-образовательная серия "Физика конденсированных сред"). — Библиогр.: с. 446-459. — ISBN 978-5-7691-2236-1: 360.00.
Книга посвящена одному из современных методов исследований в материаловедении - моделированию атомной структуры дефектов. Включает в себя методически последовательное изложение взаимосвязанных разделов в физике реальных кристаллов, таких как структура и энергия точечных и планарных дефектов, структура ядра дислокаций, компьютерное моделирование взаимодействия дефектов, динамические процессы радиационных повреждений в металлах и сплавах; атомистические расчеты структуры основного состояния микрокластеров и кинетики их превращений и др. Перечисленные разделы являются достаточно устоявшимися направлениями в физике реальных кристаллов и ведены в курсы лекций для студентов физико-технического и металлургического факультетов УрФУ. Большое внимание уделяется связи результатов атомистических расчетов с особенностями поведения реальных металлов и сплавов при деформации, разрушении, радиационном повреждении, фазово-структурных превращениях. Систематизирован богатый литературный материал и результаты работы авторов по изучению дислокационной структуры, особенностей деформации и разрушения монокристаллического Ti3Al. Книга адресована научным работникам, магистрам, аспирантам и студентам старших курсов физико-технических специальностей, а также изучающим дефекты и их влияние на свойства твердых тел.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
46
Зайнабидинов, Сиражиддин.
Физические основы образования глубоких уровней в кремнии: научное издание / С. Зайнабидинов ; отв. ред. В. И. Фистуль, рец.: П. М. Каррагеоргий-Алкалаев, Е. Г. Заугольникова; Ташкентский государственный университет им. В. И. Ленина (Ташкент). — Ташкент: Фан, 1984. — 160 с.: ил. — Библиогр.: с. 149-158. — 1.30.
Рассматривается образование глубоких уровней при термообработке, облучении и введении примесных атомов в полупроводниках; обобщаются результаты изучения влияния глубоколежащих уровней на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства полупроводника; выясняются причины образования глубоколежащих уровней в запрещенной зоне полупроводника, заключающиеся в сложном взаимодействии дефектов кристаллической решетки с дефектами, образующимися при внешних воздействиях или с примесными атомами. Для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
47
Влияние структурных дефектов на электронные свойства поверхности и границ раздела в сплавах Гейслера: научное издание / С. С. Кульков [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // Физическая мезомеханика. — 2006. — Том9, NСпец. вып. . — С. 33-36. — ISSN 1029-9599.
Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры сплавов Гейслера Co2MnGa(Si) и Ni2MnGa, а также их тонких пленок на полупроводниковых подложках. Анализируется влияние структурных дефектов на электронную структуру и магнитные свойства в объеме, на поверхности и границах раздела.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
48
Ахкубеков, Анатолий Амишевич.
Контактное плавление металлов и наноструктур на их основе: монография / А. А. Ахкубеков, Т. А. Орквасов, В. А. Созаев. — М.: Физматлит, 2008. — 147 с.: ил.; 22 см. — Библиогр.: с. 128-147. — ISBN 978-5-9221-0939-0: 192.00.
В монографии обобщены результаты теоретических и экспериментальных исследований в области физики контактного плавления твердых растворов с металлами и электропереноса в контактных прослойках. Рассмотрен механизм начальной стадии контактного плавления на наноуровне. Описано влияние малых примесей щелочных металлов и постоянного электрического тока на скорость контактного плавления. Для специалистов в области физики конденсированного состояния, теплофизики, материаловедения и металлургии, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
49
Полиморфные модификации углерода и нитрида бора: справочник / А. В. Курдюмов [и др.]. — М.: Металлургия, 1994. — 318 с.: ил. — - Библиогр.: с. 274-318. — ISBN 5-229-00872-5: 33.13.
Приведены сведения о кристаллической структуре полиморфных модификаций углерода и нитрида бора, особенностях их превращения под действием высоких давлений и температур. Представлены данные по электронной структуре, термодинамическим, теплофизическим, механическим, электрическим, магнитным и оптическим свойствам. Рассмотрены вопросы количественного рентгенофазового анализа этих модификаций, особенности их спектров электронного парамагнитного и ядреного магнитного резонансов. Для специалистов в области создания и использования конструкционных и инструментальных материалов на основе разных модификаций углерода и нитрида бора.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
50
Лущик, Чеслав Брониславович.
Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах / Ч. Б. Лущик, А. Ч. Лущик. — М.: Наука, 1989. — 263 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-261. — ISBN 5-02-014026-0: 4.10.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи