Рассматриваются основные принципы расчета и конструирования твердотельных импульсных оптических квантовых генераторов на современном уровне лазерного приборостроения. Излагаются методы расчета элементов, схем и узлов, необходимые при разработке оптических квантовых генераторов. Приводятся данные по различным оптическим. радиоэлектронным и теплотехническим элементам. Большое место уделяется рассмотрению схем и конструкций основных оптико-механических, радиоэлектронных и теплотехнических узлов оптических квантовых генераторов. Сообщаются сведения по выпускаемым промышленностью приборам. Значительная часть приборов и схем описывается впервые.Книга ориентирована на широкий круг специалистов. занимающихся разработкой, конструированием и применением оптических квантовых генераторов. Она может быть полезна научным работникам, преподавателям и студентам вузов.

Изложены физические основы работы оптоэлектронных и нанофотонных приборов, рассмотрены основные типы излучающих, фотоприемных и индикаторных приборов, а также вопросы применения оптоэлектронных приборов в аналоговых и цифровых устройствах. Основное внимание уделено полупроводниковым оптоэлектронным приборам, устройствам и системам, предназначенным для использования в микроэлектронной и наноэлектронной аппаратуре инфокоммуникационных систем. Пособие ориентировано на студентов технических специальностей вузов телекоммуникаций и информатики, а также родственных вузов, где изучаются курсы "Физика", "Физические основы электроники", "Электроника".

Монография посвящена исследованию дифракционных явлений на протяженных (по глубине) объектах постоянной толщины - пластинах - применительно к их размерному контролю. Предложена и разработана конструктивная оптико-физическая модель дифракции света на основе эквивалентных диафрагм и полей, что позволило при расчетах полей в дальней зоне и в плоскости изображений граней протяженного объекта использовать стандартные методы фурье-оптики на базе скалярной теории дифракции света Кирхгофа - Френеля. Решения получены в классе интегральных функций Френеля для пластин с различной конфигурацией и отражательной способностью. На основе предложенной конструктивной аппроксимации интегральной функции Френеля детально изучено в аналитическом виде поведение спектров и изображений протяженных объектов с учетом их геометрических и оптических характеристик, а также параметров оптической системы. Результаты исследований подтверждены экспериментально.Книга адресована научным работникам, инженерам, аспирантам, специализирующимся в области оптических измерительных технологий, а также студентам старших курсов университетов.

В книге приводится краткое изложение физических основ полупроводниковой электроники, необходимых для анализа рабочих процессов в оптоэлектронных устройствах и системах различного назначения. Рассмотрены физико-технологические, материаловедческие, оптико-физические, схемотехнические и системные аспекты многоуровневого проектирования широкого спектра оптоэлектронных устройств и интегральных оптоэлектронных систем обработки, передачи и отображения информации, а также рассмотрены традиционные и новые области применения оптоэлектронных устройств и приборов в системах связи, силовой электроники, высокоэнергетичной фотоэлектроники.

В книге рассматриваются методы и алгоритмы анализа логических корреляций в цифровых КМОП-схемах. Показаны возможности использования логических корреляций для повышения качества результатов проектирования в анализе помехоустойчивости и быстродействия схем. Книга основана на результатах, полученных в Учреждении Российской академии наук Институте проблем проектирования в микроэлектронике РАН(ИППМРАН). Материал, изложенный в книге, является основой лекционного курса для магистров факультета ЭКТ Московского института электронной техники, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», а также предназначен для научных работников и инженеров, специализирующихся в области методов математического моделирования САПР СБИС.

В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов. Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.

Книга основана на современных представлениях о технологии изготовления и конструкторско-технологическом проектировании гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок (МСБ) СВЧ-диапазона. В книге изложены перспективные конструкторско-технологические решения, позволяющие, по сравнению с традиционными, улучшить электрические, тепловые, массогабаритные характеристики и надежность ГИС и МСБ СВЧ-диапазона и модулей на их основе. Она базируется на практических и теоретических результатах, полученных авторами в процессе многолетней работы в данном направлении. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой модулей на основе ГИС и МСБ СВЧ-диапазона, а также специалистов-технологов серийного производства. Она будет также полезна аспирантам и студентам высших и средних учебных заведений.

Приведена информация по схемотехнике и топологии аналоговых КМОП интегральных микросхем. Описаны принципы построения согласованных элементов, особенности размещения аналоговых блоков на кристалле, методы защиты выводов микросхем от воздействия статического электричества. Рассмотрена схемотехника операционных усилителей, компараторов, источников опорного напряжения и других аналоговых блоков. Изложены принципы расчета аналоговых фильтров, схем на переключаемых конденсаторах, дельта-сигма модуляторов, систем фазовой автоподстройки частоты. Дана информация по архитектуре и основным параметрам АЦП и ЦАП, аналоговым сигналам и системам. Для инженерно-технических работников и студентов, связанных с разработкой и применением аналоговых интегральных микросхем.

Приведены сведения о микросхемах серии STK фирмы SANYO и STR, SAI, SI фирмы Sanken, широко применяемых в различных бытовых аудио комплексах, телевизорах, видеомагнитофонах, другой бытовой и профессиональной электронной технике. Для большинства из них даны схемы включения, основные электрические параметры, типы корпусов. Микросхемы, имеющие одинаковую электрическую схему включения, сведены в одном месте, т. е. фактически являются аналогами. Наиболее важные параметры микросхем даны в таблице. Для широкого круга радиолюбителей, может быть полезен специалистам, занимающимся ремонтом бытовой радиоаппаратуры.

В справочнике приведено 125 типов отечественных и зарубежных микросхем КМОП. Рассмотрены логические элементы,, триггеры, счетчики, регистры и более сложные микросхемы средней степени интеграции. Даны структурные схемы, параметры, цоколевки,; а также новые схемные решения. Для радиолюбителей, может быть полезен студентам, специалистам, занимающимся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.

Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.

В справочнике в удобной для пользователей табличной форме даны характеристики и эксплуатационные параметры наиболее распространенных и широко применяемых в бытовой и промышленной радиоэлектронной аппаратуре отечественных аналоговых и цифровых микросхем, транзисторов, диодов и их зарубежных аналогов. По всем рассмотренным приборам приведены сведения об их габаритных размерах, типе корпуса, цоколевке, буквенных и цветовых обозначениях. Указатель справочника позволяет быстро найти сведения о нужном приборе. Для специалистов, занимающихся разработкой, конструированием, обслуживанием и ремонтом радиоаппаратуры, а также для радиолюбителей любой квалификации.