1 |
|
От молекулы к кристаллу / Р. В. Богданов. — Л.: Химия. Ленинградское отделение, 1972. — 127, [2] с.: ил. — Библиогр.: с. 124. — 0.21.
|
2 |
|
Колебательные спектры и симметрия кристаллов / А. Пуле, Ж. -П. Матье ; пер. с франц. под ред. Г. Н. Жижина. — М.: Мир, 1973. — 437, [3] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 433. — 2.70.
|
3 |
|
Симметрия глазами химика / И. Харгиттаи, М. Харгиттаи ; пер. с англ. В. С. Мастрюкова. — М.: Мир, 1989. — 494, [2] с. — Предм. указ.: с. 484-491. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-000276-6.
|
4 |
|
Кристаллы в мире минералов / И. М. Израилев. — Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2003. — ISBN 5-85165-441-4: 153.40.
В научно-популярной форме изложен процесс образования кристаллов различных минералов в природе. Дано представление о кристаллической решетке и связанных с ней формах кристаллов. Подробно рассказано о росте кристаллов в различных условиях, их облике и цвете. Дано определение качества кристаллов в соответствии с ГОСТом. Приводятся советы начинающим коллекционерам. Для широкого круга коллекционеров — любителей минералов.
|
5 |
|
Устойчивый рост кристаллов / В. А. Татарченко. — М.: Наука, 1988. — 240 с.: ил. — Библиогр.: с. 234-240. — 3.60.
|
6 |
|
Процессы реального кристаллообразования / Институт металлургии; Уральский научный центр, АН СССР. — М.: Наука, 1977. — 235 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 1.60.
|
7 |
|
Жидкие кристаллы = Ciekle krystaly / А. Адамчик, З. Стругальский ; пер. с пол. М. Г. Пацовской, под ред. И. Г. Чистякова. — М.: Советское радио, 1979. — 156, [4] с.: ил. — Библиогр.: с. 156-158. — 0.80.
|
8 |
|
Фазовые переходы и симметрия кристаллов / Ю. А. Изюмов, В. Н. Сыромятников. — М.: Наука, 1984. — 246 с.: ил. — Библиогр.: с. 241-246. — 3.00.
|
9 |
|
Интерпретация порошковых рентгенограмм [Текст] / Г. Липсон, Г. Стипл ; пер. с англ. Е. Н. Беловой, Г. П. Литвинской, под ред. Н. В. Белова. — . — 384 с.
Авторы книги Г. Липсон и Г. Стипл - английские ученые, специалисты в области рентгенографии, причем первый из них известен советским читателям по переводу книги, написанной на высоком теоретическом уровне (Липсое Г., Кокрен В., Определение структуры кристаллов, ИЛ, 1956). Предлагаемая книга представляет собой модернизированное пособие по непрерывно совершенствующимся порошковым методам, которое включает все достижения последних лет, как экспериментальные, так и теоретические. Она риссчитана на рентгеноструктурщиков, использующих в основном порошковые рентгенограммы, а также на студентов, осваивающих порошковые методы рентгеноструктурного анализа.
|
10 |
|
Thermodynamic basis of crystal growth [Текст] : P-T-X phase equilibrium a. non-stoichiometry / J. Greenberg. — Berlin: Springer, 2002. — VIII,249 p.: ill. — (Springer ser. in materials science, ISSN 0933-033X; 44). — Bibliogr.: p. 237-246. - Ind.: p. 247-249. — ISBN 3-540-41246-8: 2699.00.
|
11 |
|
Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников: учеб. пособие для вузов / Б. Ф. Ормонт. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1973. — 655, [1] с.: ил., табл. — Предм. указ.: с. 635-647. — Библиогр. в конце глав. — 1.44.
|
12 |
|
Нелинейно-оптические кристаллы: Свойства и применение в квантовой электронике : справ. / Г. Г. Гурзадян, В. Г. Дмитриев, Д. Н. Никогосян. — М.: Радио и связь, 1991. — 159 с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 148-150. — ISBN 5-256-00859-5: 2.20.
|
13 |
|
Испарение атомно- и магнитоупорядоченных кристаллов с дефектами / Н. А. Боголюбов, С. И. Машаров ; под ред. В. Г. Мартынец. — Новосибирск: Наука, 1989. — 206, [3] с.: ил. — Библиогр.: с. 195-207. — 2.50.
|
14 |
|
Исследования по оптике и спектроскопии кристаллов и жидкостей: Избранные труды / Е. Ф. Гросс. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1976. — 448 с.: ил. — Список статей Е. Ф. Гросса по оптике и спектроскопии конденсированного состояния, не вошедших в сборник: с. 436-444. — 2.28.
Книга является сборником избранных трудов выдающегося ученого-физика, крупнейшего специалиста в области оптики конденсированного состояния, члена-корреспондента АН СССР Е. Ф. гросса, опубликованных в научных периодических изданиях в 1929-1972 гг. Первая часть книги содержит статьи, касающиеся рассеяния света в кристаллах и и жидкостях, во второй части приведены работы по исследованию экситонов в кристаллах. В книге содержится также очерк жизни и научной деятельности Е. Ф. Гросса и дана библиография его трудов.
|
15 |
|
Эффекты локального поля в оптике жидких кристаллов / Е. М. Аверьянов; Отв. ред. К. С. Александров; Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН. — Новосибирск: Наука, 1999. — 552 с.: ил. — Библиогр.: с. 485-546. — ISBN 5-02-031478-1: 60.00.
|
16 |
|
Кремний-2002: Совещ. по росту кристаллов, пленок, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г. : тез. докл. / Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (2002 ; Новосибирск). — Новосибирск: ИФП СО РАН, 2002. — 215 с.: ил.
|
17 |
|
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия: сборник / под ред.: Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски, пер. с англ. К. В. Юдинцева, под ред.: В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. — Москва: Техносфера, 2011. — 383 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-293-9: 840.00.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
|
18 |
|
Фейнмановские лекции по физике / Р. Ф. Фейнман, Р. Лейтон, М. Сэндс. — М.; : Мир.
: Физика сплошных сред. — М.: Мир, 1966. — 290 с.: ил. — 1.30.
|
19 |
|
Методы геометрической и физической оптики в задаче рассеяния света атмосферными ледяными кристаллами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / науч. рук. А. Г. Боровой, офиц. оппоненты: А. Г. Петрушин, В. А. Донченко; Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2009. — 22 с.: рис. — С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института оптики атмосферы им. В.Е. Зуева СО РАН. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
20 |
|
Теоретическая физика : учеб. пособие для физ. спец. ун-тов : в 10-ти т. / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц.
: Теория упругости. — 3-е изд., испр. и доп. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1965. — [203] с. — Предм. указ.: с. 203. — 0.45.
|
21 |
|
Основы практической прочности кристаллов: научное издание / А. В. Степанов ; отв. ред. Г. В. Курдюмов; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР (Л.). — М.: Наука, 1974. — 132 с.: ил. — Библиогр.: с. 129-131. — 0.53.
Книга содержит оригинальные исследования, приведшие к установлению фундаментальных представлений в физике пластичности и прочности кристаллов. Они лежат в основе современного учения о механических свойства кристаллических тел. В книге выдвинуты и доказаны взгляды о том, что причиной разрушения кристаллов являются дефекты, создаваемые предшествующей этому процессу пластической деформацией. Открыты и изучены явления, определяющие возникновение и образование линий скольжения в кристаллах, обнаружен и исследован новый механизм пластического формоизменения кристаллов. Предложен метод изучения механизма пластичности путем исследования областей локальных нарушений кристалла вблизи уколов, царапин, вершин трещин и т. п. Обнаружены "прозрачные металлы" - галлоидные соединения серебра и таллия и сплавы на их основе, обладающие металлоподобными механическими свойствами атомов, их образующих . Книга будет полезна специалистам, занимающимся изучением физики кристаллов, физических процессов пластической деформации и разрушения кристаллических тел.
|
22 |
|
Физика твердого тела: сборник научных трудов / Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР (Красноярск); отв. ред. А. Г. Лундин. — Красноярск, 1974. — [404] с. — 1.50.
Основу настоящего сборника составляют доклады молодых ученых и специалистов из различных городов СССР, которые были прочитаны в Институте физики им. Л. В. Киренского в декабре 1969 года. Доклады сгруппированы по разделам, отражающим основные направления дискуссий. Они представляют интерес для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в соответствующих областях. Сборник издается по инициативе Совета молодых ученых Института физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР.
|
23 |
|
Принципы динамической теории решетки / Х. Бетгер ; пер. с англ. А. И. Буздина, О. В. Долгова, под ред. Л. Н. Булаевского. — М.: Мир, 1986. — 401 с.: ил. — Предм. указ.: с. 383-388. — Библиогр.: с. 368-382. — 3.60.
|
24 |
|
Проблемы управления процессом выращивания кристаллов методом Бриджмена. Математическое моделирование, экспериментальные исследования / М. М. Филиппов, Ю. В. Бабушкин, А. И. Грибенюков. — Б.м.: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012. — 174, [6] с.: ил. — Библиогр.: с. 162-174. — ISBN 978-3-8465-3141-9.
|
25 |
|
Механизм, кинетика образования и выращивание нелинейных кристаллов для оптоэлектроники: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07, 02.00.04 / Б. И. Кидяров ; оппоненты: В. В. Баковец, А. Н. Черепанов, А. И. Непомнящих; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород). — Новосибирск, 2011. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-40.
|
26 |
|
Современная кристаллография : в четырех томах / Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР. — М.; : Наука.
: Физические свойства кристаллов / Л. А. Шувалов [и др.] ; отв. ред. тома Т. М. Перекалина. — М.: Наука, Б.г. — Библиогр.: с. 473-483 ; Предм. указ.: с.484-488. — 4.80.
Настоящий том посвящен изложению физических свойств кристаллов на основе учения о кристаллофизике. Вначале вводится тензорный аппарат кристаллофизики и рассматриваются общие вопросы симметрии физических свойств кристаллов. Далее рассматриваются механические (упругие свойства, пластическая деформация, механическое двойникование, разрушение), электрические (с основном сегнетоэлектрические), магнитные, полупроводниковые и оптические свойства кристаллов, Изложены явления переноса в процессах и термомагнитные явления в кристаллах. Описаны физические свойства жидких кристаллов. Книга рассчитана на научных сотрудников и инженеров, работающих в области исследования, применения и выращивания кристаллов, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов высших учебных заведений.
|
27 |
|
Приборы и методы для оптического исследования кристаллов / С. В. Грум-Гржимайло. — М.: Наука, 1972. — 128 с.: ил. — Библиогр.: с. 123-125. — 0.56.
|
28 |
|
Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
29 |
|
Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи : в 2-х т. / У. Харрисон. — М.; : Мир.
:. — М.: Мир, 1987. — 359 с.: ил. — Библиогр.: с. 372-379. — 3.60.
|
30 |
|
Волновая оптика: учебное пособие для студентов университетов / Н. И. Калитеевский. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1971. — 376 с.: ил. — 0.99.
|
31 |
|
Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение / К. Сангвал; Пер. с англ. — М.: Мир, 1990. — 496 с.: ил. — Библиогр.: с. 467-489. — ISBN 5-03-001315-6: 3.10.
|
32 |
|
Физическая акустика кристаллов: учеб. пособие для вузов / К. Н. Баранский. — М.: Издательство Московского университета, 1991. — 143 с.: ил. — Библиогр.: с. 142-143. — ISBN 5-211-00969-X: 1.00.
|
33 |
|
Избранные труды по кристаллографии / А. В. Шубников. — М.: Наука, 1975. — 550, [2] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце разд. — 2.69.
|
34 |
|
Сегнетоэлектричество / Б. А. Струков. — М.: Наука, 1979. — 91, [5] с.: ил. — Библиогр.: с. 93. — 0.15.
|
35 |
|
Проблемы современной кристаллографии [Текст] : сборник памяти А. В. Шубникова. — . — 407, [1] с.
|
36 |
|
Избранные труды. Статьи 1909 - 1965 / П. Дебай. — Л.: Наука, 1987. — 559 с.: ил. — Библиогр.: с. 554. — 6.50.
|
37 |
|
Crystallization as a separations process: Developed from a symp. sponsored by the Intern. chem. congr. of Pacific basic soc., Honolulu, Hawaii, Dec. 17-22, 1989 / Ed. by A. S. Myerson, K. Toyokura. — Washington: American chemical society, 1990. — XI,419 p.: Ill. — (ACS symposium series). — . - Ind.: p. 409-419. — Bibliogr. at the end of the chapters. — ISBN 0-8412-1864-1: 33600.00.
|
38 |
|
Зарубежная военная техника : обзоры / Центральный научно-исследовательский институт информации и технико-экономических исследований (М.). — Москва; : ЦНИИ информации.
: Приемники и преобразователи оптического излучения. Свойства и получение объемных монокристаллов Cdx Hg1-x Te / Е. Н. Холина, Р. А. Хазиева. — Москва: ЦНИИ информации, 1987. — 44 с.: табл. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 38-44.
На основе имеющихся литературных данных рассмотрены фазовые равновесия в системе Cdx Hg1-x Te (КРТ), термодинамические и физико-химические свойства твердых растворов КРТ. В результате анализа приведенных свойств сделан вывод, что наиболее перспективным для обеспечения минимальной плотности дефектов является направление развития технологии выращивания кристаллов КРТ при низких температурах.Проведен анализ результатов исследований собственных дефектов и включений вторых фаз в твердых растворах КРТ, показывающий, что технология выращивания кристаллов и их термическая обработка оказывают определяющее влияние на электрофизические параметры кристаллов.Проанализированы методы выращивания тройных твердых растворов КРТ, среди которых как наиболее перспективный выделен метод движущегося нагревателя с использованием теллура в качестве растворителя.
|
39 |
|
Влияние ионизирующего излучения на кинетику растворения твердых тел / В. В. Громов. — М.: Атомиздат, 1976. — 128 с.: ил. — Библиогр.: с. 112-125.
В книге рассмотрены закономерности растворения в воде и водных растворах различных твердых веществ, предварительно облученных гамма-квантами. Отдельная глава посвящена кинетике растворения кристаллических соединений непосредственно в зоне действия излучения, когда твердая и жидкая фазы облучаются одновременно.Разбираются детали кинетики растворения радиоактивных кристаллических веществ, некоторые методические вопросы этого процесса. Анализируется влияние электрического заряда, возникающее в объеме облучаемых соединений, на кинетику растворения.Книга рассчитана на широкий круг научных работников, аспирантов, специализирующихся в области радиационной химии, физики и физической химии. Она также может быть полезна инженерам, работающим в различных областях науки и техники, связанных с использованием излучения и радиоактивных нуклеидов.
|
40 |
|
Электронные явления в гетерогенном катализе / С. З. Рогинский; Институт химической физики АН СССР. — М.: Наука, 1975. — 267, [3] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце глав. — 1.32.
|
41 |
|
Стереохимия = STEREOCHEMIE: уч. пособие / Г. Виттиг ; пер. нем. А. Бамдас, под ред. и с дополн. А. Успенского. — М.; Л.: ОНТИ Государственное химико-технологическое изд-во, 1934. — 397, [2] с.: ил., табл. — Предм. указ.: с. 382-397. — 0.66.
|
42 |
|
Взаимодействие и распределение атомов в сплавах внедрения на основе плотноупакованных металлов / В. Н. Бугаев, В. А. Татаренко; АН УССР, Институт металлофизики. — Киев: Наукова думка, 1989. — 183 с.: ил. — Предм. указ.: с. 177-178. — Библиогр.: с. 160-176. — ISBN 5-12-000496-2: 3.10.
|
43 |
|
Построение геометрии на основе понятия симметрии = Aufbau der geometrie aus dem spiegelungsbegriff / Ф. Бахман ; пер. с нем. Р. И. Пименова, под ред. И. М. Яглома. — М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1969. — 379, [1] с.: ил. — Библиогр.: с. 364-365. — 2.04.
|
44 |
|
Магнитная нейтронография / Ю. А. Изюмов, Р. П. Озеров. — М.: Наука, 1966. — 532 с.: ил. — (Физико-математическая библиотека инженера). — Библиогр.: с. 514-532. — 2.01.
|
45 |
|
Упругие и неупругие свойства кристаллов / В. А. Кучин, В. Л. Ульянов. — М.: Энергоатомиздат, 1986. — 136 с.: ил. — Библиогр.: с. 131-134. — 1.40.
|
46 |
|
Теория инвариантов / Э. Спенсер ; пер. с англ. А. И. Державиной, под ред. В. В. Лохина. — М.: Мир, 1974. — 156, [4] с.: табл. — (Библиотека сборника "Механика"). — Предм. указ.: с. 153-154. — Библиогр.: с. 149-151. — 0.60.
|
47 |
|
Рост кристаллов / АН СССР, Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова. — М.; : Наука.
:. — М.: Наука, 1986. — 220 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.30.
|
48 |
|
Рост кристаллов / АН СССР, Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова. — М.; : Наука.
:. — М.: Наука, 1983. — 175 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10.
|
49 |
|
Проблема высокотемпературной сверхпроводимости / под ред. В. Л. Гинзбурга и Д. А. Киржница. — . — 399, [1] с.
|
50 |
|
Физические процессы в оксидном катоде / Б. Я. Мойжес. — М.: Наука. Физматлит, 1968. — 480 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 460-479. — 1.71.
Описываются физико-химическкие, оптические и электрические свойства кристаллов окислов щелочно-земельных металлов (CaO, SrO, BaO). Рассматриваются свойства поликристаллических пористых оксидных покрытий катодов электровакуумных приборов: электропроводность в слабых и сильных электрических полях, контактные сопротивления, теплопроводность и распределение температуры в разных режимах, излучательная способность, вторичная эмиссия и т. п. Основное внимание уделяется особенностям термоэлектронной эмиссии реальных оксидных катодов в разных режимах работы. Обсуждаются физические явления при активировании и отравлении оксидных катодов. Рассматриваются пленки окислов и распределительные катоды. Кратко излагаются основные сведения по физике полупроводников, необходимые для понимания физических процессов в оксидном катоде, а также рассматривается взаимодействие дефектов в ионных кристаллах и свойства поверхности твердых тел.
|