Рассмотрены физические основы метода высших гармоник. Даны рекомендации по отстройке от мешающих факторов и выбору оптимальных режимов неразрушающего контроля этим методом. Проведенные расчеты использованы для контроля твердости литого чугуна и магнитных параметров тонких магнитных пленок. Книга может быть полезна дефектоскопистам, проектирующим приборы неразрушающего контроля, инженерам, работающим в области использования нелинейных магнитных материалов в переменных полях, и физикам, занимающимся проблемами магнитных явлений, особенно в прикладном их аспекте.

Рассматривается одна из самых актуальных научных проблем, лежащих на стыке материаловедения, химии и физики твердого тела - нанокристаллическое состояние вещества. Особое место среди нанокристаллических материалов занимают магнетики, так как в них наиболее полно проявляются особенности перехода к на-нокристаллической структуре. Освещены вопросы корреляции структуры и физических свойств наночастиц 3d-металлов, технология получения и свойства нанокристаллических и наногранулированных магнитных пленок, а также потенциальные возможности их практического использования. Для специалистов в области физики твердого тела, материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

В книге рассматриваются основные разновидности адаптивных фильтров и их применение в радиотехнических системах и системах связи. Дается представление о математических объектах и методах, используемых в теории адаптивной фильтрации сигналов. Рассматриваются приемы получения вычислительных процедур, сами процедуры и свойства таких алгоритмов адаптивной фильтрации, как алгоритмы Ньютона и наискорейшего спуска, алгоритмы по критерию наименьшего квадрата, рекурсивные алгоритмы по критерию наименьших квадратов и их быстрые (вычислительно эффективные) версии; рекурсивные алгоритмы по критерию наименьших квадратов для многоканальных фильтров и их версии для обработки нестационарных сигналов, а также многоканальные алгоритмы аффинных проекций. Дано описание стандартных и нестандартных приложений для моделирования адаптивных фильтров на современных языках программирования MATLAB, Lab VIEW и System Vue, а также реализаций адаптивных фильтров на современных цифровых сигнальных процессорах отечественного и зарубежного производства. Особенностью книги является изложения теоретических материалов для наиболее общего случая — адаптивных фильтров с комплексными весовыми коэффициентами, наличие разделов по многоканальным адаптивным фильтрам и алгоритмам адаптивной фильтрации нестационарных сигналов. Книга является первым систематическим изложением теории адаптивной фильтрации на русском языке. Она предназначена для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов радиотехнических и связных специальностей, изучающих и использующих на практике цифровую обработку сигналов и, в частности, адаптивную фильтрацию сигналов.

За последние годы метод спектрофотометрии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) получил широкое распространение в практике научных исследований. В книге рассмотрены преимущества метода НПВО по сравнению с классическими методами пропускания и обычного отражения. Обсуждены возможности метода применительно к решению большого круга задач в области физики, химии, в различных областях техники, в биологии и т. д. Приводятся примеры как уже осуществленных, так и возможных приложений метода к изучению структуры поверхности массивных тел и тонких пленок, и в частности поверхностных свойств полупроводников. Рассмотрены приложения метода в области изучения полимеров, повеерхностных соединений, химических реакций, адгезии, адсорбции и т. д. Книга представляет большой интерес для специалистов-спектроскопистов, работающих в различных областях науки и техники, физиков, биологов.

Современные требования к специалистам электронной промышленности многократно возрастают и требуют пересмотра учебных планов многих вузов. Авторы книги — авторитетные ученые, совмещающие научное руководство в области электроники с преподаванием основ этого предмета, — предлагают читателю компактно изложенные лекции, подготовленные в стиле «приглашенного профессора». Второй том открывается Нобелевской лекцией академика Ж. И. Алферова. В книге представлены полупроводниковые и фотоэлектронные приборы, наноэлектроника, приборы функциональной электроники, вычислительная и микросистемотехника. Книга адресована преподавателям вузов, специалистам в области электроники и студентам — будущим ученым, инженерам и руководителям отечественной электронной промышленности.

Современную науку, технику, промышленность и даже медицину нельзя представить без применения вакуумных устройств и технологий, от упаковки продуктов до производства традиционных и новых материалов, создания научных приборов и телевизоров, источников света и интегральных схем. Учебно-справочное руководство посвящено в первую очередь инженерным вопросам создания, поддержания и измерения различных уровней вакуума для огромного множества практических задач. При этом даны и необходимые сведения научного характера, позволяющие понять критерии выбора технических решений, принципы работы приборов и установок, физические предпосылки для рационального применения материалов и использования новейшего оборудования. Подобное универсальное руководство создано впервые. Оно включает в себя примеры проектирования реальных вакуумных систем и справочные таблицы по характеристикам оборудования мировых и отечественных производителей. Для студентов и преподавателей инженерно-физических факультетов и технических университетов, инженеров-разработчиков и практиков.

Представлены результаты триботехнических исследований имплантированной и неимплантированной алюминиевой бронзы. Показана перспективность модифицирования поверхностного слоя методами ионной имплантации, позволяющей управлять триботехническими свойствами материала за счет микролегирования поверхности трения. Сочетание относительно стабильного коэффициента трения после приработки и низкого износа позволяют рекомендовать этот способ модификации поверхности бронзовых деталей узлов трения, работающих в паре со сталью при умеренных нагрузках в условиях сухого и граничного трения.

В пособии изложены физико-технические основы эмиссионной электроники. Последовательно рассмотрены основы электроники твердого тела, общие вопросы твердотельной эмиссионной электроники, виды электронной эмиссии из твердых тел - термоэлектронная, фотоэлектронная, вторичная электронная и автоэлектронная. Впервые содержательно изложены основы относительно нового вида электронной эмиссии - взрывной электронной эмиссии. Также в данном пособии впервые как самостоятельный раздел эмиссионной электроники рассмотрены основы эмиссии заряженных частиц из плазмы. Заключительный раздел пособия посвящен рассмотрению эмиссионных явлений, вызванных взаимодействием ускоренных ионов с поверхностью твердых тел. Предназначено для студентов, магистрантов, аспирантов, инженеров и научных работников, специализирующихся в области вакуумной и плазменной электроники, в том числе сильноточной, физики плазмы и техники плазменных исследований, физической электроники, электронно-лучевых, ионно-лучевых и плазменных технологий, промышленной электроники, физики и техники ускорителей заряженных частиц.

В книге рассматриваются методы и алгоритмы анализа логических корреляций в цифровых КМОП-схемах. Показаны возможности использования логических корреляций для повышения качества результатов проектирования в анализе помехоустойчивости и быстродействия схем. Книга основана на результатах, полученных в Учреждении Российской академии наук Институте проблем проектирования в микроэлектронике РАН(ИППМРАН). Материал, изложенный в книге, является основой лекционного курса для магистров факультета ЭКТ Московского института электронной техники, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», а также предназначен для научных работников и инженеров, специализирующихся в области методов математического моделирования САПР СБИС.

Исследованы особенности ионной многоэлементной имплантации в импульсном режиме с использованием композиционных катодов состава TiC+Al и TiC+Si. на основе изучения элементного состава модифицированной поверхности мишеней из молибдена, стали 45 и меди выявлены общие закономерности в распределении профилей различных имплантированных элементов. Показано, что одновременное внедрение различных элементов обеспечивает более эффективное высокодозовое легирование материалов по сравнению с одноэлементной имплантацией.

Методами дифракции обратнорассеянных электронов проведено исследование изменения микроструктуры приповерхностного слоя никелида титана после импульсных воздействий на поверхность образцов сплава потоками ионов кремния средних энергий. Показано, что после ионно-пучкового облучения поверхности образцов наблюдается изменение и фрагментация структуры приповерхностного слоя на глубину 5-15 мкм, меньшую среднего размера исходного зерна исследуемого сплава. Установлено, что характерными особенностями слоя с фрагментированной структурой являются присутствие в нем мартенситной фазы В19' и высокая концентрация межфазных и внутрифазовых границ раздела, линейные размеры фрагментов превышают 1 мкм, измельчение структуры слоя под облученной поверхностью неоднородно и зависит от кристаллографической ориентации исходного зерна. Высказано предположение, что одной из причин интенсивной фрагментации отдельных зерен исходной фазы В2 после ионно-пучковой обработки является близость ориентации основных систем скольжения направлению воздействия ионными пучками. Возможно, это привело к более раннему, по сравнению с остальными зернами, запуску процесса пластической деформации таких зерен и, как результат, частичной фрагментации их структуры.

В обзоре рассмотрены особенности процесса образования радиационных дефектов в соединениях и их постимплатационного отжига, закономерности активации внедренных примесных атомов, обеспечивающих электронную или дырочную проводимость слоев, влияние радиационных дефектов на структурные и электрические характеристики получаемых слоев. Обсуждается выбор легирующей примеси для изготовления различных приборных структур на основе InP и InGaAs.

Книга посвящена генерированию мощных наносекундных импульсов. Рассмотрены краткая теория электрических цепей; физика разрядов в вакууме, газах и жидкостях. Описаны мощные замыкающие и размыкающие плазменные, полупроводниковые и магнитные коммутаторы; методы генерирования и преобразования импульсов; методы получения пучков электронов и ионов, а также импульсов рентгеновского, лазерного, СВЧ и сверхширокополосного излучения. Для изучающих физику плазмы и разрядов, электрофизику, радиофизику, электротехнику, технику высоких напряжений, сильноточную электронику и т.д.

В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологии и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.