| 1 |
|
Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат дис. ... / Г. А. Верозубова; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (Томск). — Томск, 2005. — 20, [3] с.: ил. — На правах рукописи.
|
| 2 |
|
Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 3 |
|
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / под ред. К. А. Джексона, В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. — Воронеж; : Водолей.
: Электронная структура и свойства полупроводников. — Воронеж: Водолей, 2004. — 982 с.: ил. — Предм. указ.: с. 931-967. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-88563-041-0: 100.00.
|
| 4 |
|
Труды Института общей физики / Гл. ред. А. М. Прохоров.
:. — М.: Наука, 1986. — 152 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.20.
|
| 5 |
|
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.
|
| 6 |
|
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 7 |
|
Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках / Л. Н. Александров, М. И. Зотов ; отв. ред. Л. С. Смирнов; Институт физики полупроводников СО АН СССР (Новосибирск). — Новосибирск: Наука, 1979. — 160 с.: ил. — Библиогр.: с. 149-158.
В книге рассмотрены физические процессы, вызывающие внутреннее трение в полупроводниках. Описаны конструкции установок, методы исследования внутреннего трения и их результаты для кремния, германия, арсенида галлия, сернистого цинка. Приведены данные о частотной, температурной и амплитудной зависимости внутреннего трения. На их основе вычисляются энергии активации образования и перемещения вакансий и дислокация, диффузии примесей, примесных и вакансионных комплексов, которые обсуждаются в соответствии с современными представлениями о дефектах в полупроводниках.Монография предназначена для научных сотрудников и научно-технических работников по физике полупроводников, полупроводниковой электронике, материаловедению, акустоэлектронике и может быть использована студентами и аспирантами соответствующих специальностей.
|
| 8 |
|
Атомная конфигурация дефектов в сплаве AuCu3: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. Д. Старостенков ; науч. рук.: Л. Е. Попов, Э. В. Козлов, офиц. оппоненты: В. П. Федин, Н. В. Никитина; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт металлофизики АН УССР (Киев). — Томск, 1974. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 9 |
|
Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.
|
| 10 |
|
Поведение систем металл-водород при радиационном воздействии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. П. Черданцев ; науч. конс. И. П. Чернов, офиц. оппоненты : Б. А. Калин, Ю. Р. Колобов, В. П. Кривобоков; Томский политехнический университет (Томск), Российский научный центр "Курчатовский институт" (М.), Институт ядерного синтеза (М.). — Томск, 2005. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.
|
| 11 |
|
Люминесценция кристаллов с оксианионами и оксидных стекол при возбуждении импульсами потока электронов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ф. Полисадова ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: А. И. Непомнящих, И. А. Вайнштейн, Т. С. Шамирзаев; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
|
| 12 |
|
Живой кристалл / Я. Е. Гегузин. — М.: Наука, 1981. — 192 с.: ил. — 0.45.
|
| 13 |
|
Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Предм. указ.: с. 188. — Библиогр.: с. 180-181. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20.
|
| 14 |
|
Электроника твердого тела: учеб. пособие / Е. В. Нефёдцев; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2017. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 159. — ISBN 978-5-94458-165-5: 299.72.
В первой главе пособия кратко изложены основы кристаллографии. Во второй главе даны физические основы электроники твердого тела. В последующих четырех главах изложены ключевые вопросы физики полупроводников: равновесная статистика электронов и дырок, перенос носителей заряда, контактные явления и явления в сильных электрических полях. Для аспирантов и студентов.
|
| 15 |
|
Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах / А. Л. Суворов. — М.: Энергоиздат, 1982. — 167 с.: ил. — Библиогр.: с. 160-165. — 0.65.
|
| 16 |
|
Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах / Б. Я. Любов. — М.: Наука, 1981. — 295 с.: ил. — Библиогр.: с. 289-295. — 2.30.
|
| 17 |
|
Взаимодействие волн в плазме твердого тела / М. Стил, Б. Вюраль ; пер. с англ. И. С. Веселовского. — М.: Атомиздат, 1973. — 248 с.: ил. — Библиогр.: с. 243-247. — 1.60.
|
| 18 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1981. — 155 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
| 19 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1981. — 160 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
| 20 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 163 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|
| 21 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
| 22 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1979. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40.
|
| 23 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках : экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина, под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1985. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 298-300. — Библиогр.: с. 289-297. — 2.70.
|
| 24 |
|
Статистическая физика твердого тела / Л. Жирифалько ; пер. с англ. А. В. Ведяева, Ю. Г. Рудого, под ред. В. З. Кресина, Б. М. Струнина. — М.: Мир, 1975. — 382 с.: ил. — Предм. указ.: с. 376-379. — Библиогр.: с. 373-375. — 1.68.
|
| 25 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках. Теория: пер. с англ. / М. Ланно, Ж. Бургуэн ; пер. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина ; под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1984. — 263 с.: ил. — Предм. указ.: с. 254-259. — Библиогр.: с. 248-253. — 2.30.
Цель данной книги - познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
| 26 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 27 |
|
Исследование электрически- и рекомбинационно-активных дефектов в кремнии и сплавах кремний-германий картирующим методом малодугового рассеяния света: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / О. В. Астафьев ; науч. рук. В. П. Калинушкин, офиц. оппоненты: Э. И. Рау, В. В. Смирнов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научно-исследовательский и проектный институт редкоземельной промышленности "ГИРЕДМЕТ" (М.). — М., 1997. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-16.
|
| 28 |
|
Рентгенографический и электронно-оптический анализ: учеб. пособие для вузов по направлениям 550500-Металлургия, 651300-Металлургия, 651800-Физ. материаловедение / С. С. Горелик, Ю. А. Скаков, Л. Н. Расторгуев. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: МИСИС, 2002. — 360 с.: ил. — ISBN 5-87623-096-0: 110.00.
|
| 29 |
|
Физика твердого тела. Лабораторный практикум : учеб. пособие для вузов : в 2-х т. — М.; : Высшая школа. — 5-06-004023-2.
: Методы получения твердых тел и исследования их структуры / В. А. Гавва [и др.] ; под ред. А. Ф. Хохлова. — 2-е изд., исправ. — М.: Высшая школа, 2001. — 364 с.: ил. — ISBN 5-06-004021-6: 97.00.
|
| 30 |
|
Достижения электронной теории металлов : в 2-х т. / под ред. П. Цише, Г. Леманна, пер. с нем. под ред. А. А. Абрикосова, Ю. Х. Векилова. — М.; : Мир.
:. — М.: Мир, 1984. — 281-646 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 4.10.
|
| 31 |
|
Комплексный метод анализа минеральных частиц в атмосфере и его реализация в свободной тропосфере над Японией: автореферат дис. ... / Д. Н. Трошкин; Институт водных и экологических проблем СО РАН. — Барнаул, 2003. — 25, [1] с.: ил. — На правах рукописи.
|
| 32 |
|
Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 33 |
|
Исследование кинетики ударной ионизации и свечения в ЩГК: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Г. Еханин ; науч. рук.: Г. А. Воробьев, Н. С. Несмелов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, М. Б. Котляревский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники, Латвийский государственный университет им. П. Стучки. — Томск, 1974. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12.
|
| 34 |
|
Термодинамическое и статистическое исследование канальной стадии импульсного электрического пробоя конденсированных сред: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. Д. Ильюшенков ; науч. рук. М. П. Тонконогов, офиц. оппоненты: Ю. М. Волокобинский, Е. К. Завадовская; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Карагандинский политехнический институт (Караганда), Институт прикладной физики АН Молдавской ССР. — Томск, 1974. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.
|
| 35 |
|
Некоторые вопросы теории неустойчивости электронно-дырочной плазмы в электрическом и магнитном полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. И. Ципивка ; науч. рук.: В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, офиц. оппоненты: В. И. Гаман, Е. А. Литвинов; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Институт физики полупроводников (Новосибирск). — Томск, 1974. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 36 |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 37 |
|
Структурные состояния и фотоэлектрические и электретные свойства аморфных конденсатов на основе Sb2S3: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Полищук ; науч. рук. В. М. Косевич, науч. конс. В. Д. Кулибаба, офиц. оппоненты: В. А. Базакуца, В. К. Сорокин; Харьковский политехнический институт им. В. И. Ленина (Харьков), Ужгородский государственный университет (Ужгород). — Харьков, 1987. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 38 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 39 |
|
Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.
|
| 40 |
|
Семиэлектрики: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. В. Афанасьев ; оппоненты: Ю. В. Аграфонов, Э. И. Бродская, Е. А. Раджабов; Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Институт химической физики им. Н. Н. Семенова РАН (М.), Иркутский государственный университет им. А. А. Жданова (Иркутск). — Иркутск, 1995. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-38.
|
| 41 |
|
Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 42 |
|
Исследование фотоэлектрических и оптических свойств галогенидных кристаллов из систем Cd-(As)-Hal: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Черешня ; науч. рук.: А. А. Кикинеши, Д. Г. Семак, офиц. оппоненты: А. Б. Лыскович, Е. И. Герзанич; Ужгородской государственный университет, Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, Химический факультет. — Ужгород, 1988. — 16 с. — На правах рукописи.
|
| 43 |
|
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 44 |
|
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.
|
| 45 |
|
К теории автоэлектронной эмиссии полупроводников: автореферат дис. ... / Л. М. Баскин ; науч. рук.: Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей, офиц. оппоненты: В. Г. Багров, Г. Ф. Караваев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.), Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск). — Томск, 1975. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 46 |
|
Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 47 |
|
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Ю. Саркисов ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. И. Грибенюков; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 48 |
|
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. М. Дзядух ; науч. рук. А. В. Войцеховский, офиц. оппоненты : О. П. Толбанов, А. А. Вилисов; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Томский университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 49 |
|
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Д. И. Горн ; науч. рук. А. В. Войцеховский ; офиц. оппоненты : В. П. Гермогенов, В. М. Лисицин; Нац. исслед. Томский гос. ун-т. — Томск, 2012. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 50 |
|
Самосогласованные модели режимов распространения плазмы электрических разрядов в газах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / Ю. К. Бобров ; офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. А. Рухадзе, Е. А. Литвинов; Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Высоковольтный научно-исследовательский центр, Институт электродинамики АН УССР. — Томск, 1991. — 36 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-36.
|