В книге рассмотрены физические процессы, вызывающие внутреннее трение в полупроводниках. Описаны конструкции установок, методы исследования внутреннего трения и их результаты для кремния, германия, арсенида галлия, сернистого цинка. Приведены данные о частотной, температурной и амплитудной зависимости внутреннего трения. На их основе вычисляются энергии активации образования и перемещения вакансий и дислокация, диффузии примесей, примесных и вакансионных комплексов, которые обсуждаются в соответствии с современными представлениями о дефектах в полупроводниках.Монография предназначена для научных сотрудников и научно-технических работников по физике полупроводников, полупроводниковой электронике, материаловедению, акустоэлектронике и может быть использована студентами и аспирантами соответствующих специальностей.

Книга посвящена основным физическим явлениям и закономерностям, лежащим в основе технологических методов и процессов современной электроники. Особое внимание уделено наноматериалам и перспективным направлениям нанотехнологии. Изложение построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления, как правило, без обращения к другой литературе. Для изучения отдельных вопросов в конце книги приведен список рекомендуемой литературы. Книга предназначена главным образом студентам как учебное пособие по физико-технологическим основам современной электроники в ее широком понимании, включающем макро-, микро- и нанотематику, но может оказаться полезной и специалистам в этих областях. Рекомендовано учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и наноэлектроника», 211000 «Конструирование и технология электронных средств», 222900 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Первый учебник по фотонике, подготовленный совместно российским и американским профессорами. Книга посвящена одному из наиболее перспективных направлений в информатике. Читатель получит физическое обоснование возможности и целесообразности замены в ряде задач информатики электрического тока потоком когерентных фотонов. В книге содержится весь необходимый материал, тем не менее, она снабжена обширной библиографией, которую можно использовать для углубленного изучения отдельных разделов. В основу учебника положены лекционные курсы по информатике, квантовой электронике и фотонике, которые авторы читают студентам Пенсильванского университета и Государственного университета — МИФИ. Для преподавателей и студентов физических специальностей (фотоника, квантовая электроника) высших учебных заведений.

Популярно рассказано о роли лазеров в современном мире, о достигнутых успехах лазерной техники и надеждах, которые связывают с ее развитием. Рассмотрены различные применения лазеров: для обработки материалов, в медицине, локации, измерительной технике, системах связи, для обработки и хранения информации, в системах контроля, для разделения изотопов, решения проблемы управляемого термоядерного синтеза. Кроме того, изложены основы физики работы лазера и управления лазерным излучением, новые направления современной оптики (голография, нелинейная оптика, волоконная оптика, адаптивная отика); приведены исторические сведения и даны многочисленные примеры отечественных лазеров и лазерных установок. Для школьников, преподавателей, студентов, лекторов.

В обзоре рассмотрены и проанализированы работы, опубликованные в зарубежной печати за последние 15 лет, по проблеме контроля распределения профиля концентрации легирующей примеси в эпитаксиальных диффузионных и ионно-имплантированных слоях соединений А3В5. Приводятся основные положения теории границы раздела полупроводник-электролит: модель энергетических уровней ионов в растворе, образование двойных слоев и распределение потенциала, а также основные электролитические процессы на границе раздела полупроводник-электролит. Проведено сравнение различных методик контроля распределения профиля концентрации носителей заряда и показаны преимущества электрохимического метода. Отмечены достоинства и перспективы использования электрохимического метода контроля концентрационного профиля. Проведена оценка ошибок данного метода.

В книге рассмотрены процессы столкновения атомных частиц. Основное внимание уделено резонансным процессам, которые протекают с большими сечениями и играют наибольшую роль в явлениях, совершающихся в газе и плазме. Книга состоит из двух частей. Первая часть посвящена исследованию потенциалов взаимодействия атомных частиц при больших расстояниях между ними. Во второй части потенциалы взаимодействия используются для нахождения сечений резонансных процессов и изучения механизмов рассматриваемых переходов. Изложение этих проблем проводится с единой точки зрения с помощью асимптотического метода, который по своим возможностям для данного круга задач значительно превосходит другие теоретические методы. Наряду с теорией в книге детально представлены результаты экспериментального исследования рассматриваемых проблем. Кроме того, в ней описаны задачи разных областей физики, техники, где данные процессы проявляются или находят практическое применение.

Рассмотрены назначение и особенности различных классов программ для персональных ЭВМ (ПЭВМ). Описаны основные типы операционных систем. Показана на примерах работа пользователя в рамках системы ДОС — одной из наиболее популярных операционных систем для профессиональных ПЭВМ. Обсуждаются методы управления внешними устройствами и особенности разработки прикладных программ. Приводится описание прикладных систем общего назначения, обсуждаются методы построения автоматизированных рабочих мест на основе персональных компьютеров. Первое издание выходило в 1988 г. Для специалистов в области информатики и вычислительной техники.

В книге предлагается оригинальный интегральный метод, который позволяет сравнительно просто исследовать переходные процессы во многих параметрических системах. На основе этого метода рассматриваются общие свойства параметрических систем. Наибольшее внимание уделяется избирательным системам, для которых получены укороченные интегральные уравнения, позволяющие при помощи стандартных приемов найти форму колебаний в системе любого порядка. Подробно исследуются процессы нарастания колебаний в типовых системах второго порядка и их частотные характеристики. Результаты исследования доведены до простых расчетных соотношений. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой параметрических систем, а также для студентов старших курсов радиотехнических специальностей.