Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.

Учебное пособие посвящено теоретическим методам описания спинового транспорта в многослойных магнитных наноструктурах и применению таких структур в новой области твердотельной электроники — спинтронике. Рассмотрен квантово-статистический подход к расчету тензора электрической проводимости металлических систем, базирующийся на формализме Кубо и методе функций Грина. Приведен обзор новых эффектов, используемых в спинтронике; в частности, подробно рассмотрены гигантское магнетосопротивление (ГМС), туннельное магнетосопротивление (ТМС), а также квазидвумерный эффект Холла (АЭХ). Учебное пособие содержит материалы лекций по теме «Введение в спинтронику» и «Спинтроника», читаемых студентам специалистам, магистрам и аспирантам на физическом факультете МГУ имени М.В. Ломоносова. Оно может быть полезно для физиков теоретиков и экпериментаторов, работающих в области современной твердотельной электроники. Учебное пособие рекомендовано к печати Ученым советом физического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова. Ключевые слова: спиновый транспорт; эффект гигантского магнетосопротивления; эффект туннельного магнетосопротивления; аномальный эффект Холла; наноструктуры; явление спинового торка; сверхпроводимость гетероструктур.