Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 51 - 55 из 2200 для dc.subject any/relevant "электроника эле ... ( 0.644 сек.)

51
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: научное издание / [Н. Н. Михайлов, Р. Н. Смирнов, С. А. Дворецкий и др.]; отв. ред. А. Л. Асеев; Российская академия наук, Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. — 368 с.: ил.; 25 см. — Авт. указаны в огл. — Библиогр. в конце параграфов. — ISBN 5-7692-0608-2: 400.00.
В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологий и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
52
Лозовский, Владимир Николаевич.
Нанотехнология в электронике: введение в специальность: учеб. пособие для вузов по специальности 210601 "Нанотехнология в электронике" / В. Н. Лозовский, Г. С. Константинова, С. В. Лозовский. — [2-е изд., испр.]. — СПб.; М.; Краснодар: Лань, 2008. — 327 с.: ил.; 21 см. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — Библиогр.: с. 319. — ISBN 978-5-8114-0827-6: 310.00.
Учебное пособие составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом (ГОСом) по специальности высшего профессионального образования «Нанотехнология в электронике». В нем рассматривается система современного высшего технического образования, особенности обучения в вузе, фундаментальные основы инженерной деятельности. Данное пособие знакомит читателя с историческими этапами зарождения наноэлектроники, определяет роль микроэлектроники на современном этапе. Также приведены теоретические основы и особенности наноэлектроники, отражены особенности инструментального и технологического обеспечения ее развития. Рассматриваются достижения нанотехнологии в электронике, перспективы и тенденции ее дальнейшего развития. Пособие предназначено для студентов вузов, обучающихся по специальности « Нанотехнология в электронике ».
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
53
Драгунов, Валерий Павлович.
Физика твердого тела. Основы наноэлектроники (квантовые проводники и углеродные нанотрубки): учеб. пособие / В. П. Драгунов ; рец.: И. Г. Неизвестный, О. В. Кибис; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Новосибирск: НГТУ, 2007. — 108 с.: ил. — Инновационная образовательная программа НГТУ "Высокие технологии". — Библиогр.: с. 102-107. — ISBN 978-5-7782-0850-6.
В пособии рассматриваются особенности энергетического спектра и переноса частиц в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области микро- и наноэлектроники.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
54
Панин, Алексей Викторович.
Применение фрактального описания для анализа изображений в сканирующей зондовой микроскопии: научное издание / А. В. Панин, А. Р. Шугуров; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования / Рос. акад. наук, Отд-ние физических наук РАН. — 2003. — N6 . — С. 62-69. — ISSN 0207-3528.
Разработана методика аттестации шероховатости поверхности твердых тел, основанная на вычислении фрактальной размерности изображений, получаемых с помощью сканирующей зондовой микроскопии. Путем тестирования на модельных самоаффинных броуновских поверхностях определены условия корректного измерения фрактальной размерности. Разработанный алгоритм применен для численного описания шероховатости поверхности тонких пленок SiO2, нанесенных при различных температурах. Показано, что в отличие от перепада высоты и среднеквадратичной шероховатости, фрактальная размерность демонстрирует хорошую корреляцию с морфологией поверхности тонких пленок оксида кремния.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
55
Суворов, Александр Леонидович.
Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов / А. Л. Суворов. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 296 с.: ил. — Библиогр.: с. 289-295. — ISBN 5-283-03731-2: 4.40.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи