Методы расчета характеристик коронного разряда и процессов осаждения заряженных частиц применительно к электрографии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. Е. Литвинов ; офиц. оппоненты: Ю. К. Бобров, В. А. Панин, В. П. Савинов; Московская сельскохозяйственная академия им. К. А. Тимирязева (М.), Московский энергетический институт (технический университет) (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 2002. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-32.

Моделирование излучения плотной высокотемпературной плазмы и физических процессов, протекающих при имплозии Z-пинчей: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. И. Орешкин ; науч. рук. Н. А. Ратахин, офиц. оппоненты : В. И. Афонин, В. А. Гасилов, А. В. Козырев; Институт сильноточной электроники СО РАН, РНЦ "Курчатовский институт". — Томск, 2005. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-38.

Экспериментальные исследования формирования плотной излучающей плазмы в диодах наносекундных генераторов тока мегаамперного диапазона : автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. А. Чайковский ; науч. конс. Н. А. Ратахин, офиц. оппоненты: А. В. Бурдаков, В. Л. Паперный, Н. Г. Ремпе; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Троицкий ин-т инновационных и термоядерных исследований. — Томск, 2016. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 37-40.

Теория быстропротекающих процессов взаимодействия сильных электрических полей с неравновесными потоками электронов в плотных газах, полупроводниках и вакууме: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. Ю. Кожевников ; науч. рук. А. В. Козырев, офиц. оппоненты : Н. Б. Волков, В. Л. Паперный, А. П. Потылицын; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т теор. и прикл. механики им. С. А. Христиановича СО РАН. — Томск, 2019. — 31 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-31.

Моделирование излучения плотной высокотемпературной плазмы и физических процессов, протекающих при имплозии Z-пинчей: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. И. Орешкин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2004. — 263 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 240-263.