Моделирование динамики конденсированных сред, облучаемых мощными пучками заряженных частиц: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. Я. Лейви ; науч. рук. А. П. Яловец, офиц. оппоненты: Н. М. Зубарев, А. Е. Коренченко; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Екатеринбург, 2008. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.

Методика и устройства для определения диэлектрической проницаемости материалов, используемых в электрофизических установках: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20, 01.04.13 / А. А. Сулимов ; науч. рук. Н. П. Собенин, офиц. оппоненты: В. В. Петренко, А. В. Грызлов; Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (М.), Институт ядерных исследований РАН (М.). — М., 2003. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Динамические и электрофизические явления при взаимодействии интенсивных потоков заряженных частиц с веществом: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13, 01.04.02 / А. П. Яловец ; офиц. оппоненты: В. Г. Багров, Е. И. Биченков, А. Д. Зубов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Челябинский государственный университет (Челябинск), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова (М.). — Томск, 1993. — 38 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-38.

Разработка и исследование источников мощных наносекундных потоков заряженных частиц и рентгеновского излучения: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.13 / Н. А. Ратахин ; офиц. оппоненты: С. Д. Коровин, Г. Е. Ремнев, А. В. Аржанников; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2000. — 56 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 54-56.