Эмиссионные свойства структур металл - диэлектрик - металл на основе пленок оксинитрида кремния: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Л. Галанский ; офиц. оппоненты : Г. А. Месяц ; науч. рук. Г. А. Воробьев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1979. — 203 л. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 185-196.

Эмиттеры заряженных частиц непрерывного действия с большой поверхностью на основе разрядов с холодным катодом: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Я. Мартенс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 193 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 143-155.

Экспериментальное исследование генерации и усиления СВЧ-излучения миллиметрового диапазона с использованием сильноточных мини-ускорителей: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / М. И. Яландин ; науч. рук. Г. А. Месяц; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1985. — 150 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 138-150.

Взрывная эмиссия катодов с ограниченной эмиссионной поверхностью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Л. А. Широчин ; науч. рук.: Г. Н. Фурсей, В. М. Жуков, офиц. оппоненты: А. А. Рухадзе, В. И. Раховский; Всесоюзный науч.-исслед. центр по изуч. свойств поверхности и вакуума, Ленинградский электротехнический ин-т связи им. М. А. Бонч-Бруевича, Ин-т электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.