31 |
|
Тезисы докладов VI Всесоюзного симпозиума по сильноточной импульсной электронике (27-29 мая 1986 г.) / Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск: Институт сильноточной электроники, 1986. — 258 с. — Библиогр. в конце тез. — 2.30.
|
32 |
|
Тезисы докладов VI Всесоюзного симпозиума по сильноточной импульсной электронике (27-29 мая 1986 г.) / Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск: Институт сильноточной электроники, 1986. — 288 с. — Библиогр. в конце тез. — 2.60.
|
33 |
|
Тезисы докладов VI Всесоюзного симпозиума по сильноточной импульсной электронике (27-29 мая 1986 г.) / Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск: Институт сильноточной электроники, 1986. — 228 с. — Библиогр. в конце тез. — 2.00.
|
34 |
|
Cильноточная электроника: Тезисы докладов / IX Симпозиум по сильноточной электронике; оргкомитет конф.: Г. А. Месяц [и др.]. — Б.м., 1992. — 378 с.: ил. — С приложением. — Библиогр. в конце тез.
|
35 |
|
Исследование влияния эмиссионных и коммутационных процессов на параметры рентгеновских импульсов диодов с взрывной эмиссией: автореферат дис. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.04 / Л. Я. Морговский ; науч. рук. С. П. Бугаев, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, В. М. Жуков; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Всесоюзный научно-исследовательский институт научного приборостроения (Л.), Ленинградское научно-производственное объединение "Буревестник" (Л.), Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений (М.). — Томск, 1983. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-16.
|