| 1 |
|
Исследование генерации ионов эрбия в лютеций-алюминиевом гранате в трехмикронной области: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / М. А. Андриасян ; науч. рук. Р. Б. Костанян, офиц. оппоненты : Т. М. Мурина, А. О. Меликян; Ин-т физич. исслед. АН Арм. ССР, Ин-т физики АН УССР. — Аштарак, 1985. — 15 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-15.
|
| 2 |
|
Спектрально-генерационные исследования кристаллов граната и алюмината с примесью ионов эрбия: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Т. В. Санамян ; науч. рук. Р. Б. Костанян, офиц. оппоненты: Я. И. Ханин, Э. С. Вартанян; Институт физических исследований АН Армянской ССР (Аштарак), Институт радиофизики и электроники АН Армянской ССР. — Аштарак, 1988. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 3 |
|
Сдвиговые динамические голограммы в фоторефрактивных кристаллах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. Г. Одулов ; офиц. оппоненты: Б. Я. Зельдович, Л. А. Шувалов, П. М. Томчук; Институт физики АН УССР, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР. — Киев, 1988. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-21.
|
| 4 |
|
Когерентное излучение релятивистских электронных потоков вблизи каустик электромагнитного поля: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / М. Г. Куркин ; науч. рук. В. А. Черепенин, офиц. оппоненты: А. Ф. Александров, А. М. Афонин; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.). — М., 1988. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 5 |
|
Исследование сильноточной ионной накачки газовых лазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. С. Сулакшин ; науч. рук. А. Н. Диденко, офиц. оппоненты: В. А. Бойко, В. Ф. Тарасенко; Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Научно-исследовательский институт ядерной физики, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Физический институт АН СССР. — Томск, 1983. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|