| 41 |
|
Высокоскоростная деформация и разрушение диэлектриков под действием сильноточных электронных пучков: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; оппоненты: К. П. Арефьев, Г. А. Воробьев, Ю. И. Мещеряков; Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского (Омск), Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН (М.), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 1994. — 38 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-38.
|
| 42 |
|
Физическая электроника / Г. Ф. Олфрей ; пер. с англ. В. И. Гайдука. — М.: Мир, 1966. — 316 с.: ил. — Библиогр.: с. 303-308. — 1.25.
Книга посвящена физическим основам работы различных электронных приборов. После краткого исторического введения изложены основные сведения из атомной и молекулярной физики, теории кристаллов, полупроводников и диэлектриков. В весьма популярной форме, но достаточно строго трактуется физический смысл ряда сложных явлений и понятий современной физики (уравнение Шредингера, переходы между уровнями и т. д.). К числу рассмотренных электронных приборов относятся вакуумные лампы от триодов до СВЧ-устройств, газоразрядные приборы и полупроводниковые элементы. Отражены новые направления использования плазмы газового разряда—термоядерный синтез, магнитогидродинамические генераторы и электрические ракетные двигатели. В последней главе книги с позиций квантовой электроники описаны лазеры и мазеры. Книга может быть использована в качестве дополнительного пособия студентами физических и физико-технических факультетов университетов и втузов, она также представляет интерес для широкого круга читателей — инженеров и неспециалистов, которые хотят познакомиться с современным состоянием физики и практическими применениями, основанными на ее достижениях.
|
| 43 |
|
Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.
|
| 44 |
|
Математическая многоуровневая модель упругопластического деформирования структурно-неоднородных сред: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07, 01.02.04 / П. В. Макаров ; оппоненты: В. М. Фомин, А. Д. Коротаев, А. Ф. Ревуженко; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), кафедра проектирования и прочности, Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики при Томском госуниверситете (Томск), Научно-исследовательский институт математики и механики при Санкт-Петербургском госуниверситете (СПб.). — Томск, 1995. — 30 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-30.
|
| 45 |
|
Электрический заряд в облученных материалах / В. В. Громов. — М.: Энергоиздат, 1982. — 112 с.: ил. — Библиогр.: с. 101-111. — 1.40.
|