Предпробойные явления и развитие импульсных разрядов в сильноточных коммутаторах низкого давления с холодным катодом: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02 / И. А. Шемякин; Ин-т сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2011. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-35.

Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.

Наносекундные процессы при электрическом пробое и разряде в вакууме: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Д. И. Проскуровский; Институт высоких температур АН СССР. — М., 1982. — 32 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.

Исследование начальной стадии электрической формовки тонкопленочных систем: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Ю. А. Баренгольц ; науч. рук. Ю. Б. Янкелевич; Томский государственный педагогический институт им. Ленинского Комсомола. — Томск, 1987. — 133 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 120-133.

Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Ф. Штанько ; науч. рук.: В. А. Москалев, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. А. Михальченко, Н. А. Битовский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Латвийской ССР (Тарту). — Томск, 1975. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.