Электронно-тепловые и детонационные процессы при электрическом пробое твердых диэлектриков / Ю. Н. Вершинин ; отв. ред. Ю. А. Котов; Рос. АН, Институт электрофизики УрО РАН. — Екатеринбург: УрО РАН, 2000. — 258 с.: ил. — Библиогр.: с. 245-255. — ISBN 5-7691-1023-6: 8.15.

Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.

Физические основы создания и применения сплошных протяженных лазерных искр: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Л. Я. Полонский ; офиц. оппоненты: Э. И. Асиновский, Н. Г. Ковальский, А. С. Шиканов; Институт высоких температур АН СССР, Институт общей физики АН СССР. — М., 1990. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-27.

Низкочастотная неустойчивость слабоионизованной столкновительной токонесущей плазмы, обусловленная отрицательной диффузией: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / М. Х. Ри ; науч. рук. А. А. Рухадзе, офиц. оппоненты: Л. С. Кузменков, Ю. М. Алиев; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Университет дружбы народов им. П. Лумумбы. — М., 2002. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.