Современные проблемы электронной спектроскопии. (Электронные спектрометры и их применение) / И. Г. Козлов. — М.: Атомиздат, 1978. — 248 с.: ил. — Библиогр.: с. 235-245. — 2.90.

Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Термодинамическое и статистическое исследование канальной стадии импульсного электрического пробоя конденсированных сред: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. Д. Ильюшенков ; науч. рук. М. П. Тонконогов, офиц. оппоненты: Ю. М. Волокобинский, Е. К. Завадовская; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Карагандинский политехнический институт (Караганда), Институт прикладной физики АН Молдавской ССР. — Томск, 1974. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.

Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.