Исследование воздействия собственного магнитного поля на параметры плазменных струй в стационарном и импульсном вакуумном разряде: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Е. А. Зверев ; науч. рук. И. А. Кринберг; Иркутский государственный университет (Иркутск). — Иркутск, 1999. — 112 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 105-112.

Структура и свойства тлеющего и высокочастотного емкостного разрядов среднего давления: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / М. Н. Шнейдер ; офиц. оппоненты: Э. И. Асиновский, Э. Е. Сон, Ю. С. Акишев; Объединенный институт высоких температур РАН (М.), Всероссийский электротехнический институт (М.), Высоковольтный научно-исследовательский центр (М.), Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.). — М., 1997. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-30.

Устойчивость и эмиссионные свойства газоразрядных структур с осциллирующими электронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / С. П. Никулин ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель, офиц. оппоненты: В. А. Груздев, А. В. Козырев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Институт электрофизики УрО АН СССР, Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. — Томск, 1992. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Модернизация и исследование источника ионов металлов на основе вакуумного дугового разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / К. П. Савкин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, А. И. Аксенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт теоретической и экспериментальной физики им. А. И. Алиханова. — Томск, 2005. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Параметры и характеристики пучковой плазмы, генерируемой в форвакуумной области давлений электронным источником с плазменным катодом : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Д. Б. Золотухин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: В. Л. Паперный, В. П. Кривобоков; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2016. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.