Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Электросопротивление жидких металлов (Al, Cu, Mo, Ta, W) при импульсном давлении до ~ 50 кбар: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Иванов ; науч. рук. С. В. Лебедев, офиц. оппоненты: В. Е. Фортов, А. А. Самохин; Московский физико-технический институт (М.), Институт высоких температур АН СССР (М.), Московский энергетический институт (М.). — М., 1983. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.

Квантовые эффекты объемного и поверхностного каналирования частиц в системе атомных плоскостей кристалла: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / В. Г. Хлабутин ; науч. рук. В. А. Литвинов, офиц. оппоненты: В. В. Белошицкий, В. Я. Эпп; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Московский инженерно-физический институт (М.). — Томск, 1986. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Нелинейные неравновесные процессы в плазменно-пучковых волноводах и резонаторах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02 / М. В. Кузелев ; офиц. оппоненты: А. Г. Свешников, Ю. Н. Днестровский, В. И. Шевченко; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Физический институт АН СССР им. П. Н. Лебедева, Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. — М., 1987. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-33.