Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. М. Анненков ; офиц. оппоненты : Э. Д. Алукер, В. Н. Брудный, А. И. Непомнящих; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет. — Томск, 2002. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-42.

Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2004. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-32.

Особенности фазовых диаграмм и кристаллической структуры смешанных ионно-электронных проводников с собственным и примесным разупорядочением: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / З. А. Ягафарова ; науч. рук.: В. Н. Конев, Н. Н. Биккулова, оппоненты: О. А. Скалдин, М. Х. Балапанов; Стерлитамакский государственный педагогический институт (Стерлитамак), Рос. акад. наук, Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН (Уфа). — Уфа, 2004. — 25 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.

Исследование барьерного слоя в металлах и его влияние на кинетику и фазообразование в слоистой системе Fe-Be : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Нуркенов ; науч. рук. Т. А. Кукетаев, науч. конс. К. А. Кутербеков, офиц. оппоненты: В. Ф. Пичугин, С. В. Фортуна; Евразийский нац. ун-т им. Л. Н. Гумилева, Алтайский гос. ун-т. — Томск, 2017. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-22.

Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях [выдержки из текста]: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты : Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2003. — 80 с. — На правах рукописи.