Эффект слабых магнитных полей в фазовых превращениях диамагнитных материалов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Постников ; науч. конс. М. Н. Левин, оппоненты: Ю. И. Головин, Ю. Е. Калинин, В. И. Беляев; Воронежский государственный университет (Воронеж), Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (М.), Воронежский государственный технический университет (Воронеж). — Воронеж, 2003. — 32 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.

Магнитные и электрические характеристики пористых материалов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Егоров ; науч. рук.: В. Е. Панин, В. В. Поляков, оппоненты: Ю. А. Хон, Э. В. Поздеева; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1994. — 20 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Закономерности формирования микродуговых кальцийфосфатных биопокрытий на поверхности циркония и их свойства: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. С. Куляшова ; науч. рук. Ю. П. Шаркеев, оппоненты: С. В. Панин, С. В. Коновалов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2011. — 18 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. М. Анненков ; офиц. оппоненты : Э. Д. Алукер, В. Н. Брудный, А. И. Непомнящих; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет. — Томск, 2002. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-42.

Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2004. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-32.