| 1 |
|
Научные основы создания и регулирования резистивных свойств высоконаполненных эластомеров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Н. Минакова ; науч. конс. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, К. П. Арефьев, В. Э. Борзых; Томский политехнический университет (Томск), Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Томск, 2001. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-45.
|
| 2 |
|
Макроскопические свойства композиционных сред на основе магнитных коллоидов, определяемые процессами микромасштабного структурообразования: автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Р. Закинян ; науч. конс. Ю. И. Диканский, офиц. оппоненты : М. С. Краков, В. В. Соколов, Е. А. Елфимова ; Северо-Кавказский федеральный ун-т, Московский гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. — Ставрополь, 2019. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-38.
|
| 3 |
|
Структурные модели стеклования чистых металлов и систем типа металл-металлоид: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. В. Левченко ; науч. рук. А. Т. Косилов, оппоненты: Б. М. Даринский, С. И. Курганский; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Тамбовский гос. ун-т. — Воронеж, 2002. — 17 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 4 |
|
Оптимизация состава и процессов изготовления радиационно-защитного металломатричного композиционного материала с применением плазменного и ультразвукового воздействия : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Петюкевич ; науч. рук. О. Л. Хасанов, офиц. оппоненты: М. М. Михайлов, М. В. Горшенков; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Акционерное общество "Композит" (Королев). — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.19-22.
|
| 5 |
|
Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. В. Исмаилов ; науч. рук. А. П. Ильин, офиц. оппоненты : П. М. Плетнев, Л. П. Борило; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Юго-Западный гос. ун-т. — Томск, 2018. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.23-24.
|