61 |
|
Поведение макроскопически неоднородных твердых диэлектриков в сильном электрическом поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Лебедев ; науч. конс. Ю. П. Похолков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, В. М. Лисицин, А. Г. Овсянников; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — Томск, 2003. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.
|
62 |
|
Циклотронные эффекты в релятивистских СВЧ приборах черенковского типа: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Палицин; Ин-т прикладной физики РАН. — Нижний Новгород, 2011. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-19.
|
63 |
|
Теория структурных фазовых переходов с несколькими параметрами порядка в кристаллах с октаэдрической анионной подрешеткой: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. П. Ивлиев ; науч. конс. В. П. Сахненко, оппоненты: В. И. Зиненко, Б. М. Даринский, В. И. Торгашев; Южный федеральный университет (Ростов н/Д), НИИ физики, Воронежский государственный технический университет (Воронеж). — Ростов н/Д, 2011. — 48 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 44-48.
|
64 |
|
Поверхностная диффузия, десорбция и кристаллический рост в электрическом поле : автореферат дис. ... д-ра. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Г. Павлов ; офиц. оппоненты: Г. Н. Фурсей, Г. Г. Соминский , Л. Н. Галль; Физ.--техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, Физический ин-т им. П. Н. Лебедева. — СПб., 2014. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-32.
|
65 |
|
Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.
|