| 51 |
|
Особенности взаимодействия излучения с веществом в полупроводниковых наноструктурах и фотонных кристаллах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / Н. А. Гиппиус ; офиц. оппоненты: А. М. Желтиков, Ю. В. Копаев, М. В. Федоров; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт физики твердого тела РАН. — М., 2005. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-35.
|
| 52 |
|
Молекулярные лазеры на эксимерах и органических красителях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / С. С. Ануфрик ; офиц. оппоненты: В. А. Орлович, Г. Б. Толсторожев, А. П. Шкадаревич; Гродненский гос. ун-т им. Я. Купалы. — Минск, 2000. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-39.
|
| 53 |
|
Лазеры на кристаллах LiF с центрами окраски и лазерная спектроскопия ионов Nd3+ в кристаллах CaF2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. В. Федоров ; науч. рук.: Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, офиц. оппоненты: А. А. Фомичев, В. А. Смирнов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Институт радиоэлектроники РАН (М.). — М., 1999. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-18.
|
| 54 |
|
Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.
|
| 55 |
|
Пограничный электронный слой и образование плотной приповерхностной плазмы при импульсном лазерном воздействии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / М. А. Яковлев ; офиц. оппоненты: М. В. Федоров, В. В. Горев, С. С. Моисеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 2000. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 37-45.
|