Разрушение ионных кристаллов наносекундными пучками большой плотности: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Н. Балычев ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, Е. А. Литвинов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Эстонской ССР (Тарту). — Томск, 1976. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.

Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Изменение упругих свойств и внутреннего трения монокристаллов галогенидов щелочных металлов в зависимости от состава и воздействия облучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Н. Гырбу ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, А. А. Ботаки, офиц. оппоненты: П. А. Савинцев, В. А. Кучин; Томский политехнический институт им С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт радиационной физики (Томск), Воронежский политехнический институт (Воронеж). — Томск, 1974. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.

Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах NgP2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Корепанов ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Л. В. Григорук, М. А. Эланго; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Латвийский государственный университет. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.