Системы на основе несамостоятельных газовых разрядов низкого давления для генерации потоков ионов плазмы: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2011. — 30 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-30.

Взрывоэмиссионные источники широкоапертурных электронных пучков микросекундной длительности: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Э. Н. Абдуллин ; офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, А. Л. Филатов, Ю. Н. Новоселов; Институт сильноточной электроники СО РАН, Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова. — Томск, 2007. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 33-38.

Взрывоэмиссионные источники широкоапертурных электронных пучков микросекундной длительности: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Э. Н. Абдуллин; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2007. — 229 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 114-128.

Системы на основе несамостоятельных газовых разрядов низкого давления для генерации потоков ионов плазмы: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2011. — 314 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 292-313.

Исследование влияния эмиссионных и коммутационных процессов на параметры рентгеновских импульсов диодов с взрывной эмиссией: автореферат дис. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.04 / Л. Я. Морговский ; науч. рук. С. П. Бугаев, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, В. М. Жуков; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Всесоюзный научно-исследовательский институт научного приборостроения (Л.), Ленинградское научно-производственное объединение "Буревестник" (Л.), Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений (М.). — Томск, 1983. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-16.