| 11 |
|
Физика конденсированного состояния: [учебное пособие] / Ю. А. Байков, В. М. Кузнецов ; рец.: Е. В. Юртов, А. Д. Гладун. — Москва: Бином. Лаборатория знаний, 2011. — 293 с.: ил.; 22 см. — (Учебник для высшей школы). — Библиогр.: с. 288-293. — ISBN 978-5-9963-0290-1: 330.00.
В учебном пособии помимо традиционно сложившихся разделов физики твердого тела отражены некоторые современные направления науки. такие как физика фотонных кристаллов, наномасштабная физика. фрактальные представления о структуре кристаллических тел. Теоретический материал каждой главы книги дополнен задачами с решениями. Для студентов и аспирантов высших технических учебных заведений, а также преподавателей физики и других естественно-научных дисциплин в технических вузах.
|
| 12 |
|
Сегнетоэлектрики типа АV ВVI СVII / Е. И. Герзанич, В. М. Фридкин. — М.: Наука, 1982. — 227 с.: ил. — Библиогр.: с. 214-227. — 2.30.
|
| 13 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 14 |
|
Физика твердого тела: учебное пособие для студентов вузов / Г. И. Епифанов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1977. — 287, [1] с.: ил. — Библиогр.: с. 282-283. — 0.90.
|
| 15 |
|
Электроника твердого тела: учеб. пособие / Е. В. Нефёдцев; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2017. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 159. — ISBN 978-5-94458-165-5: 299.72.
В первой главе пособия кратко изложены основы кристаллографии. Во второй главе даны физические основы электроники твердого тела. В последующих четырех главах изложены ключевые вопросы физики полупроводников: равновесная статистика электронов и дырок, перенос носителей заряда, контактные явления и явления в сильных электрических полях. Для аспирантов и студентов.
|